| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КП303А | 2N3823, THJ4220 *1, ТР4220 *1, TP4220R *1, 2N3070 *2, 2N3070A *2, 2N3088, 2N3088A, 2N3089, 2N3089A, BF245A/0 *1 | |||
| КП303Б | 2N5556, THJ4220 *1, ТР4220 *1, TP4220R *1, 2N3070 *2, 2N3070A *2, 2N3088, 2N3088A, 2N3089, 2N3089A, BF245A/0 *1 | ||||
| КП303В | 2N5484R *1, CMPF5484 | ||||
| КП303Г | 2N3458 *2 | ||||
| КП303Д | 2N3823, 2N5458R *1, BF256AR *3, ТР5362 *3, TP5362R *3, 2N5669 *1, 2N3069 *2 | ||||
| КП303Е | MFE3006, 2N5459R *1, ТР3823 *1, TP3823R *1, ТР3824 *3, TP3824R *3, ТР4224 *1, TP4224R *1, ТР5248 *1 | ||||
| КП303Ж | 2N3821, THJ4220 *1, ТР4220 *1, TP4220R *1, 2N3070 *2, 2N3070A *2, 2N3088, 2N3088A, 2N3089, 2N3089A, BF245A/0 *1 | ||||
| КП303И | 2N3822, 2N5484R *1, CMPF5484 *1, ТР5668 *1, TP5668R *1, 2N5668 *1, BFW12 *2, 2N3465, 2N3466 | ||||
| Структура | — | C p-n переходом и n-каналом | |||
| Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП303А | — | 200 | мВт, (Вт*) |
| КП303Б | — | 200 | |||
| КП303В | — | 200 | |||
| КП303Г | — | 200 | |||
| КП303Д | — | 200 | |||
| КП303Е | — | 200 | |||
| КП303Ж | — | 200 | |||
| КП303И | — | 200 | |||
| Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП303А | — | 0.5…3 | В |
| КП303Б | — | 0.5…3 | |||
| КП303В | — | 1…4 | |||
| КП303Г | — | ≤8 | |||
| КП303Д | — | ≤8 | |||
| КП303Е | — | ≤8 | |||
| КП303Ж | — | 0.3…3 | |||
| КП303И | — | 0.5…2 | |||
| Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП303А | — | 25; 30* | В |
| КП303Б | — | 25; 30* | |||
| КП303В | — | 25; 30* | |||
| КП303Г | — | 25; 30* | |||
| КП303Д | — | 25; 30* | |||
| КП303Е | — | 25; 30* | |||
| КП303Ж | — | 25; 30* | |||
| КП303И | — | 25; 30* | |||
| Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП303А | — | 30 | В |
| КП303Б | — | 30 | |||
| КП303В | — | 30 | |||
| КП303Г | — | 30 | |||
| КП303Д | — | 30 | |||
| КП303Е | — | 30 | |||
| КП303Ж | — | 30 | |||
| КП303И | — | 30 | |||
| Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП303А | — | 20 | мА |
| КП303Б | — | 20 | |||
| КП303В | — | 20 | |||
| КП303Г | — | 20 | |||
| КП303Д | — | 20 | |||
| КП303Е | — | 20 | |||
| КП303Ж | — | 20 | |||
| КП303И | — | 20 | |||
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП303А | — | ≤2.5; 5* | мА |
| КП303Б | — | ≤2.5; 5* | |||
| КП303В | — | ≤5; 5* | |||
| КП303Г | — | ≤12; 5* | |||
| КП303Д | — | ≤9; 5* | |||
| КП303Е | — | ≤20; 5* | |||
| КП303Ж | — | ≤3; 5* | |||
| КП303И | — | ≤5; 5* | |||
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП303А | 10 В | 1…4 | мА/В |
| КП303Б | 10 В | 1…4 | |||
| КП303В | 10 В | 2…5 | |||
| КП303Г | 10 В | 3…7 | |||
| КП303Д | 10 В | ≥2.6 | |||
| КП303Е | 10 В | ≥4 | |||
| КП303Ж | 10 В | 1…4 | |||
| КП303И | 10 В | 2…6 | |||
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП303А | — | ≤6; ≤2* | пФ |
| КП303Б | — | ≤6; ≤2* | |||
| КП303В | — | ≤6; ≤2* | |||
| КП303Г | — | ≤6; ≤2* | |||
| КП303Д | — | ≤6; ≤2* | |||
| КП303Е | — | ≤6; ≤2* | |||
| КП303Ж | — | ≤6; ≤2* | |||
| КП303И | — | ≤6; ≤2* | |||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K*у.P, P**вых, ΔUЗИ | КП303А | — | — | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| КП303Б | — | — | |||
| КП303В | — | — | |||
| КП303Г | — | — | |||
| КП303Д | — | — | |||
| КП303Е | — | — | |||
| КП303Ж | — | — | |||
| КП303И | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП303А | 20 Гц | ≤30** | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| КП303Б | 1 кГц | ≤20** | |||
| КП303В | 1 кГц | ≤20** | |||
| КП303Г | 1 кГц | ≤6·10-17*** | |||
| КП303Д | 100 МГц | ≤4 | |||
| КП303Е | 100 МГц | ≤4 | |||
| КП303Ж | 1 кГц | ≤100** | |||
| 1 кГц | ≤100** | ||||
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП303А | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
| КП303Б | — | — | |||
| КП303В | — | — | |||
| КП303Г | — | — | |||
| КП303Д | — | — | |||
| КП303Е | — | — | |||
| КП303Ж | — | — | |||
| КП303И | — | — |
rudatasheet.ru
Полевой транзистор КП303 | NALADCHIKKIP.RU
p-n переход, n-канал
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 0,5 г.
| Группа | Uси max. B | Uзи max. B | Jс max. А | Pси max. Вт | Uзи пор[отс.]. B | S ma/B | fгр. Мгц | Rси отк. Ом |
| А | 25 | 30 | 0.020 | 0.2 | 0.5-3 | 2-6 | 100 | – |
| Б | 25 | 30 | 0.020 | 0.2 | 0.5-3 | 1-4 | 100 | – |
| В | 25 | 30 | 0.020 | 0.2 | 1-4 | 1-4 | 100 | – |
| Г | 25 | 30 | 0.020 | 0.2 | 8 | 2-5 | 100 | – |
| Д | 25 | 30 | 0.020 | 0.2 | <8 | >2.6 | 100 | <4 |
| Е | 25 | 30 | 0.020 | 0.2 | <8 | >4 | 100 | <4 |
| Ж | 25 | 30 | 0.020 | 0.2 | 0.3-3 | 1-4 | 100 | – |
| И | 25 | 30 | 0.020 | 0.2 | 0.5-2 | 2-6 | 100 | <4 |
Поделиться ссылкой:
[Всего голосов: 1 Средний: 5/5]naladchikkip.ru
КП303А, КП303Б, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И (Ni) – Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы с управляющим p-n переходом и каналом n-типа предназначены для использования в радиовещательной, приемно-усилительной, телевизионной и другой аппаратуре. Предельные параметры полевых транзисторов КП303А,Б,Д,Е, Ж:
Основные характеристики транзисторов КП303А / КП303Б / КП303Д / КП303Е:
С11и – входная емкость в схеме с ОИ С12и – проходная емкость в схеме с ОИ С22и – выходная емкость в схеме с ОИ
Чертёж корпуса и расположение выводов транзисторов КП303А,Б,Д,Е,Ж,И:
| ||||||||||
tec.org.ru
