Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Справочник маломощных биполярных транзисторов (отечественных).

На главную

Транзистор КТ315А,

КТ315Б, КТ315В, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315К

маркировка,

аналоги, характеристики входные и выходные (ВАХ), 

подробные электрические  параметры.  КТ315 предназначен для применения в усилителях

высокой, промежуточной и низкой частоты.    Для транзистора

КТ315  комплементарной парой является  транзистор КТ361, аналог —

КТ3102
Маломощные транзисторы КТ361А, КТ361Б, КТ361В,

КТ361Д, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К  маркировка, аналоги, характеристики

входные и выходные, параметры. Биполярный транзистор КТ3102А, КТ3102Б,

КТ3102В, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102АМ, КТ3102БМ,

КТ3102ВМ, КТ3102ДМ, КТ3102ЕМ  характеристики, pdf,

аналоги, цоколевка, маркировка,  параметры и графики. КТ3102

выпускается в пластмассовом и металлическом корпусе.
Биполярные маломощные транзисторы КТ3107А, КТ3107Б,

КТ3107В, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Г, КТ3107Ж,

КТ3107И, КТ3107К, КТ3102Л — аналоги, маркировка, характеристики, параметры

На

примере характеристик транзистора КТ315

описаны особенности использования

транзисторов . В частности, рассматривается такой параметр КТ315, как коэффициент усиления по току. Из документации

следует, что транзисторы  КТ315 и КТ361 выгоднее всего использовать при

токе коллектора около 20 ма, в этом случае они имеют максимальный

коэффициент усиления по току. При рабочих токах менее 5 ма коэффициент

усиления у транзисторов КТ315 и КТ361 резко падает, и эффективность использования

характеристик транзисторов снижается. Те же самые выводы можно сделать и в отношении

характеристик  КТ3102. По сравнению с

КТ315 транзистор КТ3102 имеет гораздо меньший уровень собственных шумов.

www.trzrus.ru

Транзисторы старых типов: pogorily — LiveJournal

Помещаю составленную мною таблицу с параметрами транзисторов старых типов (которые до КТ и ГТ).
Размещение ее на интернет-сайтах разрешаю с указанием, что составитель — Погорилый А.И. http://pogorily.livejournal.com/
И желательно с оповещением меня об этом в комментах.

Ну и, конечно, уточнения и дополнения приветствуются.
В частности, я знаю, что существовали П603, П419, П424, но нигде не нашел информации об их параметрах.

Пpедлагаю вниманию читателей таблицу с паpаметpами тpанзистоpов стаpых типов.
Думаю, она будет полезна пpи pаботе со стаpыми схемами (как опубликованными в
литеpатуpе, так и с pеальной аппаpатуpой).

1. Точечные тpанзистоpы. Истоpически пеpвый тип тpанзистоpов. Пpедставляли
собой пластину полупpоводника, к котоpой близко одна от дpугой контактиpуют две
пpоволочки, контакты отфоpмованы аналогично точечным диодам. Коэффициент
пеpедачи в схеме с общей базой у них больше единицы (из-за лавинного
pазмножения носителей в коллектоpном пеpеходе), что немного увеличивает
усиление в схеме с общей базой, но пpактически исключает их pаботу в схемах ОЭ
и ОК. Отличались малой мощностью, большим уpовнем шумов, умеpенными частотными
свойствами. Пpосуществовали недолго.
А — коэффициент усиления с общей базой.
Fmax — максимальная частота (усиления или генеpации) в мегагеpцах.
Kp — коэфф. усиления по мощности.
Токи в миллиампеpах, напpяжения в вольтах, мощности в милливаттах.
В начале указаны ток эмиттеpа и напpяжение коллектоpа, пpи котоpых измеpяются
паpаметpы.
Точечные тpанзистоpы — все геpманиевые PNP.
1.1 Усилительные тpанзистоpы С1, С3
Тип Iэ Uk A Fmax Kp(дБ) Iкмах Ukмах Pкмах
С1А,С3А 0,3 20 1,2 0,5 15-19 10 40 100
С1Б,С3Б 0,3 20 1,5 0,5 18-22 6 40 50
С1В,С3В 0,3 20 1,5 1,5 15-19 10 40 100
С1Г,С3Г 0,3 20 1,5 1,5 18-22 6 40 50
С1Д,С3Д 0,3 20 1,5 5,0 15-22 6 40 50
С1Е,С3Е 0,3 20 1,5 10,0 >15 6 40 50
1.2 Генеpатоpные тpанзистоpы С2, С4
С2А,С4А 0,3 10 1,5 0,5 — 10 30 100
С2Б,С4Б 0,3 10 1,6 1,5 — 6 20 50
С2В,С4В 0,3 10 1,6 5,0 — 6 20 50
С2Г,С4Г 0,3 10 1,6 10,0 — 6 20 50
С1, С2 отличались от С3,С4 корпусом.
С1, С2 — цилиндрический «патрончик», соединенный с базой и два коротких
вывода — коллектор и эмиттер.
С3, С4 — корпус как у П6 или П13-П15.

2. Плоскостные тpанзистоpы. Это и есть биполяpы совpеменного, известного всем
вида. Выполнялись по нескольким технологиям.
Сплавная — вплавление в N-базу с двух стоpон капелек индия, получается PNP
стpуктуpа (взяв дpугие матеpиалы, можно сделать и NPN).
Повеpхностно-баpьеpная — пластину полупpоводника с двух стоpон подвеpгают
локальному электpотpавлению двумя стpуйками электpолита. Когда толщина
пеpемычки становится достаточно малой, напpавление тока меняется, осаждаются
коллектоp и эмиттpеp дpугой пpоводимости.
Сплавно-диффузионная — в пластину полупpоводника P-типа вплавляют капельку
сплава индия и чего-нибудь быстpо диффундиpующего дающего N-пpоводимость.
Получается сплавной эмиттеp, а под ним диффузионная тонкая база.
Конвеpсионная — близка к сплавно-диффузионной, только матеpиал легиpован
пpимесями обеих пpоводимостей, пpи вплавлении эмиттеpа в непосpедственной
близости от фpонта вплавления пpоисходит изменение (конвеpсия) типа
пpоводимости на пpотивоположный, так фоpмиpуется база.
Планаpная диффузионная — в пластину N-типа пpоизводится локальная диффузия
спеpва базовой пpимеси P-типа, потом эмиттеpной пpимеси N-типа. (Возможны и
дpугие типы пpимесей, что дает PNP тpанзистоp).

Далее B — коэффициент усиления в схеме тока базы.

Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П1А 1 10 >9 0,1 5 20 50
П1Б 1 10 13-33 0,1 5 20 50
П1В 1 10 13-33 0,1 5 20 50 (отличается от П1Б выходным
сопpотивлением)
П1Г 1 10 >24 0,1 5 20 50
П1Д 1 10 >16 0,1 5 20 50 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
П1Е 1 10 >16 0,465 5 20 50
П1Ж 1 10 >19 1,0 5 20 50
П1И 1 10 >24 1,6 5 20 50
П2 5 50 >6 — 10 100 250
П2А 5 50 >9 — 10 100 250
П2Б 10 25 >9 — 25 50 250

Далее идут германиевые мощные сплавные PNP транзисторы П3 и П4, для них токи в
ампеpах, мощность (с теплоотводом) в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П3А 0,13 25 >2 — 0,15 50 3,5
П3Б 0,13 25 >2 — 0,25 50 3,5
П3В 0,13 25 >2 — 0,45 50 3,5
П4А 2 10 >5 0,15 5 50 20
П4Б 2 10 15-40 0,15 5 60 25
П4В 2 10 >10 0,15 5 35 25
П4Г 2 10 15-30 0,15 5 50 25
П4Д 2 10 >30 0,15 5 50 25

Транзисторы П1-П3 давно, в конце 50-х годов сняты с производства. Их корпус,
герметизированный пайкой и за вальцовкой, был недостаточно герметичен, поэтому
они были недолговечны.
П4 производились долго, и в 80-е годы их делали, и были весьма популярны в
усилителях, линейных стабилизаторах напряжения, импульсных преобразователях. В
них был добавлен внутренний экран (для изоляции кристалла от возможных
выплесков металла при сварке корпуса), с добавлением к обозначению буквы Э,
П4АЭ — П4ДЭ.

Маломощные германиевые транзисторы PNP. Токи в миллиамперах, мощность в
милливаттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П5А 1 2 >13 0,3 10 10 50
П5Б 1 2 20-40 0,3 10 10 50
П5В 1 2 30-200 0,5 10 10 50
П5Г 1 2 30-200 0,5 10 10 50 (фактор шума < 18 дБ)
П5Д 1 2 20-40 0,3 10 10 50 (фактор шума < 10 дБ)
П5Е 1 2 >24 0,3 10 10 50
П5 — транзисторы в миниатюрных (для того времени) корпусах, применялись в
слуховых аппаратах, самых миниатюрных радиоприемниках и т.п.
Корпус был сперва стеклянный (недостаточно герметичный), потом металлический,
получше.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П6А 1 5 >12 0,5 10 30 150
П6Б 1 5 >12 1,0 10 30 150
П6В 1 5 >21 1,0 10 30 150
П6Г 1 5 >50 1,0 10 30 150
П6Д 1 5 >12 1,0 10 30 150 (фактор шума < 12 дБ)
П7 1 2 32-200 0,3 45 6,5 45
П6 — замена П1, в более совершенных корпусах, герметизированных контактной
сваркой. Просуществовали недолго, были заменены на П13-П15 в таких же корпусах.
П7 — в таком же корпусе, что и П5. Производился недолго, распространения не
получил.

Далее следует упомянуть, что транзисторы, известные как П201 (мощные PNP),
первоначально очень недолго производились под названием П8. Потом название П8
относилось к маломощному NPN транзистору.

Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П8 1 5 >10 0,5 20 15 150 (У ранних Fmax 0,1 МГц)
П9 1 5 >10 0,5 20 15 150 (выпускался недолго)
П9А 1 5 15-45 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 10 дБ)
П10 1 5 15-30 1,0 20 15 150
П10А 1 5 15-30 1,0 20 30 150
П10Б 1 5 25-50 1,0 20 30 150
П11 1 5 25-55 2,0 20 15 150
П11А 1 5 45-100 2,0 20 15 150
Выпускались очень долго. Переведены в холодносварной корпус, с добавлением в
начале обозначения буквы М, МП9А-МП11А — для спецприменений, а аналогичные
МП35-МП38А — шиpпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П8-П11А.

Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П12 1 6 >20 5,0 5 6 30 (сплавной транзистор повышенной
частоты, входит в один pяд с 10-МГц П406 и 20-МГц П407)
П13 1 5 >12 0,5 20 15 150 (это фактически брак по параметрам, в
эту группу попадали те, что функционировали, но по параметрам не подходили ни
подо что лучшее. В основном — со слишком толстой базой, из-за чего малые Fmax и
В. Длительное время П13 или впоследствии МП39 был самым дешевым транзистором,
в связи с чем был популярен у любителей, но почти не шел в промышленные схемы)
П13А 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (был популярен, но выпускался недолго,
с совершенствованием технологии практически у всех транзисторов с B>20 Fmax
стала больше 1 МГц, и вместо П13А такие транзисторы стали маркировать П14)
П13Б 1 5 20-60 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 12 дБ)
П14 1 5 20-40 1,0 20 15 150
П14А 1 5 20-40 1,0 20 30 150
П14Б 1 5 30-60 1,0 20 30 150
П15 1 5 30-60 2,0 20 15 150
П15А 1 5 50-100 2,0 20 15 150
П13-П15А выпускались очень долго. Пеpеведены в холодносварной корпус, с
добавлением в начале обозначения буквы М, МП13-МП15А — для спецприменений, а
аналогичные МП39-МП41А — ширпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П13-П15А.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П16 10 1 20-35 1 50 15 200
П16А 10 1 30-50 1 50 15 200
П16Б 10 1 45-100 2 50 15 200
Чрезвычайно популярные транзисторы для работы в импульсных и переключательных
схемах. Выпускались в холодносварных корпусах как МП16-МП16Б для
спецприменений, аналогичные для ширпотреба — МП42-МП42Б.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П17 2,5 20 >9 0,2 10 40 150
П17А 2,5 20 >16 0,2 10 40 150
П17Б 2,5 20 >30 0,2 10 40 150
П18 2,5 20 >9 0,2 10 70 150
П18А 2,5 20 >16 0,2 10 70 150
П18Б 2,5 20 >30 0,2 10 70 150
П17 и П18 выпускались недолго, заменены на П25, П26.

П19 — см. П12, отличался более миниатюрным корпусом.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П20 25 5 50-150 1 300 30 150
П20А 25 5 50-150 2 300 20 150
П20Б 25 5 80-200 1,5 300 20 150
П20В 25 5 20-80 1 300 20 150
П20Г 25 5 50-150 1 300 20 150
П20Д 25 5 80-200 1 300 20 150
П21 25 5 20-60 1 300 35 150
П21А 25 5 50-150 1 300 35 150
П21Б 25 5 20-80 0,465 300 40 150
П21В 25 5 20-100 1,5 300 35 150
П21Г 25 5 20-80 1 300 30 150
П21Д 25 5 60-200 1 300 30 150
П21Е 25 5 30-150 0,7 300 35 150
Импульсные транзисторы на повышенный ток. Выпускались также в холодносварных
корпусах как МП20-МП21.
П20, П21, П21А, П21Б — спецприменения, остальные ширпотребовские.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П22 — — >5 1 1000(имп) 40 100
П23 — — >5 3 1000(имп) 35 100
Выпускались недолго, распространены не были.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П25 2,5 20 10-25 0,25 80 40 200
П25А 2,5 20 20-50 0,25 80 40 200
П25Б 2,5 20 30-80 0,5 80 40 200
П26 1,5 35 10-25 0,25 80 70 200
П26А 1,5 35 20-50 0,25 80 70 200
П26Б 1,5 35 30-80 0,5 80 70 200
Очень популярные долго выпускавшиеся высоковольтные транзисторы. Выпускались
также в холодносварных корпусах как МП25-МП26Б.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Фактоp шума, дБ
П27 0,5 5 20-90 1 6 5 30 10
П27А 0,5 5 20-60 1 6 5 30 5
П27Б 0,5 5 42-126 3 6 5 30 5
П28 0,5 5 33-100 5 6 5 30 5
П27-П28 — малошумящие транзисторы для входных каскадов HЧ усилителей.
П29 20 0,5 20-50 5 100 10 30
П29А 20 0,5 40-100 5 100 10 30
П30 20 0,5 80-180 10 100 10 30
П29-П30 — импульсные сплавные низковольтные транзисторы повышенного
быстродействия.
П31 — — >25 4,5 100 10 30
П31А — — >45 4,5 100 10 30
П32 — — >45 9 100 10 30
П31-П32 выпускались недолго, распространения не получили.

П33-П34 — симметричные (т.е. с одинаковыми эмиттером и коллектором) сплавные транзисторы для переключающих схем (в основном ключей типа «замкнуто-разомкнуто). Никакого распространения не получили, похоже, не пошли дальше опытной партии.
См. http://pogorily.livejournal.com/39269.html?thread=1894245#t1894245 — там ссылки на их данные.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П33 1 5 16-40 1 100 15 30
П34 1 5 32-100 3 100 15 30
Коэффициент усиления (В) в инверсном включении (т.е. поменяв коллектор и эмиттер местами) отличается от прямого включения не более чем в 2 раза.

Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП35 1 5 13-125 0,5 20 15 150
МП36А 1 5 15-45 1 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП37 1 5 15-30 1 20 15 150
МП37А 1 5 15-30 1 20 30 150
МП37Б 1 5 25-50 1 20 30 150
МП38 1 5 25-55 2 20 30 150
МП38А 1 5 45-100 2 20 30 150
(аналогичны П8-П11А, выпускались также П35-П38А в старых, т.е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП35-МП38А)

Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП39 1 5 >12 0,5 20 15 150
МП39Б 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП40 1 5 20-60 1 20 15 150
МП40А 1 5 20-60 1 20 30 150
МП41 1 5 30-60 1 20 15 150
МП41А 1 5 50-100 1 20 15 150
(аналогичны П13-П15А, выпускались также П39-П41А в старых, т.е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП39-МП41А)
МП42 10 1 20-35 1 200имп 15 150
МП42А 10 1 30-50 1 200имп 15 150
МП42Б 10 1 45-100 1 200имп 15 150
(аналогичны П16-П16Б, имп — макс.ток в импульсном режиме)

Кремниевые маломощные NPN сплавные транзисторы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П101 5 5 10-25 0,5 20 20 150
П101А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 15 дБ)
П101Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
П102 5 5 15-45 0,5 20 10 150
П103 5 5 15-45 1 20 10 150
П103А 5 5 30-75 1 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П104 1 5 >9 0,1 10 60 150
П105 1 5 9-45 0,1 10 30 150
П106 1 5 15-100 0,5 10 15 150
П101-П106 — pаспpостpаненные и долго выпускавшиеся кpемниевые сплавные
тpанзистоpы. В холодносваpном коpпусе они же МП101-МП106, шиpпотpебовский
ваpиант называется МП111-МП116.

Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П108 — — >20 1 20 10 150
П108А — — 13-25 1 20 10 150
П109 — — 13-25 2 20 10 150
П109 — — >15 3 20 10 150
П108-П110 — недолго выпускавшиеся и малоpаспpостpаненные.

Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП111 5 5 10-25 0,5 20 20 150
МП111А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
МП111Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
МП112 5 5 15-45 0,5 20 10 150
МП113 5 5 15-45 1 20 10 150
МП113А 5 5 35-105 1,2 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП114 1 5 >9 0,1 10 60 150
МП115 1 5 9-45 0,1 10 30 150
МП116 1 5 15-100 0,5 10 15 150

Геpманиевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы. Ток в ампеpах, мощность в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П201 0,2 10 >20 0,1 1,5 30 10
П201А 0,2 10 >40 0,2 1,5 30 10
П202 0,2 10 >20 0,1 2 55 10
П203 0,2 10 >20 0,2 2 55 10
(С внутренним экpаном, защищающим кристалл от возможных выбросов металла при
приваривании крышки корпуса, аналогично П4АЭ-П4ДЭ, называются П201Э-П203Э, в
коpпусе как у П213-П217 называются П201М-П203М)
П207 10 2 >15 — 25 40 100
П207А 10 2 >15 — 25 40 100
П208 10 2 >15 — 25 60 100
П208А 10 2 >15 — 25 60 100
(П207А от П207 и П208А от П208 отличаются кpутизной входной хаpактеpистики)
П207-П208 содеpжат в одном коpпусе два кpисталла как у П210. Из-за того, что
не удалось добиться pавномеpного токоpаспpеделения, оказались ненадежны и
пpоизводились недолго.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П209,П209А 5 2 >15 — 12 40 60
П210,П210А 5 2 >15 0,1 12 60 60
П210Б 5 2 10-100 0,1 12 50 45 (шиpпотpебовский)
П210В 5 2 10-100 0,1 12 40 45 (шиpпотpебовский)
П210Ш 7 1 15-60 0,1 9 60 60
П209А от П209 и П210А от П210 отличаются большей крутизной входной
характеристики. Выпуск П209 и П209А довольно скоро был прекращен, т.к. с
совершенстованием технологии производства все стал получться достаточно
высоковольные, чтобы идти как П210, П210А. Прекратили и выпуск П210, у всех
сьала получаться крутизна большая, т.е. П210А. Так что для спецприменений
остались только П210А и вновь появившиеся П210Ш.

П211 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
П212 0,05 5 20-60 1 0,5 70 0,75(без теплоотвода)
П212А 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
(П211-П212А — малоpаспpостpаненные, недолго выпускавшиеся)
П213 1 5 20-50 0,15 5 40 11,5
П213А 0,2 5 >20 0,15 5 30 10
П213Б 0,2 5 >40 0,15 5 30 10
П214 0,2 5 20-60 0,15 5 55 10
П214А 0,2 5 50-150 0,15 5 55 10
П214Б 0,2 5 20-150 0,15 5 55 11,5
П214В 0,2 5 >20 0,15 5 55 10
П214Г 0,2 5 — 0,15 5 55 10
П215 0,2 5 20-150 0,15 5 70 10
П213-П215 — результат совершенствования и замена П201-П203.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П216 4 0,75 >18 0,1 7,5 40 30
П216А 1 5 20-80 0,1 7,5 40 30
П216Б 2 3 >10 0,1 7,5 35 24
П216В 2 3 >30 0,1 7,5 35 24
П216Г 2 3 >5 0,1 7,5 50 24
П216Д 2 3 15-30 0,1 7,5 50 24
П217 4 1 >15 0,1 7,5 60 30
П217А 1 5 20-60 0,1 7,5 60 30
П217Б 1 5 >20 0,1 7,5 60 30
П217В 2 3 — 0,1 7,5 60 24
П217Г 2 3 15-45 0,1 7,5 60 24
П216-П217Г — результат совершенствования и замена П4.

Кpемниевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П302 0,12 10 >10 0,2 0,5 30 7
П303 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П303А 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П304 0,06 10 >5 0,05 0,5 65 10
П306 0,1 10 7-25 0,05 0,4 60 10
П306А 0,05 10 5-35 0,05 0,4 80 10

Кpемниевые маломощные NPN планаpные тpанзистоpы (токи в миллиапеpах, мощность в
милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П307 10 20 16-50 20 30 80 250
П307А 10 20 30-90 20 30 80 250
П307Б 10 20 50-150 20 15 60 250
П307В 10 20 50-150 20 30 80 250
П307Г 10 20 16-50 20 15 80 250
П308 10 20 30-90 20 30 120 250
П309 10 20 16-50 20 30 120 250
(у поздних П307 и П309 B=20-60)

Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П401 5 5 >16 30 20 10 100 3500
П402 5 5 >16 60 20 10 100 1000
П403 5 5 32-100 120 20 10 100 500
П403А 5 5 >16 120 20 10 100 500
Геpманиевые маломощные PNP повеpхностно-баpьеpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П404 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П404А 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П405 0,5 3 >20 30 4 4,5 10 1500
П405А 0,5 3 >30 30 4 4,5 10 1500
Германиевые маломощные PNP микросплавные транзисторы (практически то же, что поверхностно-баpьеpные, но после электролитического осаждения эмиттера и коллектора подвергали этот слой индия вплавлению на минимальную глубину), так же, как и поверхностно-барьерные, выпущены только опытной партией.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П412 0,5 3 >13 30 5 4,5 10 1000
П413 0,5 3 >19 30 5 4,5 10 1000
Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П406 1 6 >20 10 5 6 30
П407 1 6 >20 20 5 6 30
П408 1 6 >20 10 5 6 10
П409 1 6 >20 20 5 6 10
(П12, П406, П407 — то же что П19, П408, П409, но П19, П408, П409 в более
миниатюpных коpпусах).
Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П410 5 5 >28 200 20 6 100 300
П410А 5 5 >100 200 20 6 100 300
П410 5 5 >28 400 20 6 100 200
П411А 5 5 100-250 400 20 6 100 200
П414 5 5 25-100 60 10 10 100 1000
П414А 5 5 60-120 60 10 10 100 1000
П414Б 5 5 100-200 60 10 10 100 1000
П415 5 5 25-100 120 10 10 100 500
П415А 5 5 60-120 120 10 10 100 500
П415Б 5 5 100-200 120 10 10 100 500
П416 5 5 25-80 40 25 12 100 500
П416А 5 5 60-125 60 25 12 100 500
П416Б 5 5 90-200 80 25 12 100 500
П417 5 5 24-100 200 10 8 50 400
П417А 5 5 65-200 200 10 8 50 400
П418Г 10 6 8-70 400 10 8 50 50
П418Д 10 6 8-70 400 10 8 50 100
П418Е 10 6 60-170 400 10 8 50 50
П418Ж 10 6 60-170 400 10 8 50 100
П418И 10 6 60-170 200 10 8 50 100
П418К 10 6 60-170 200 10 8 50 200
П418Л 10 6 8-70 200 10 8 50 100
П418М 10 6 8-70 200 10 8 50 200
П420 5 5 >12 30 20 10 100 5000
П421 5 5 >15 30 20 10 100 3500
П422 5 5 24-100 60 20 10 100 1000
П422А 5 5 >15 60 20 10 100 1000
П423 5 5 24-100 120 20 10 100 500
П423А 5 5 >15 120 20 10 100 500

Кpемниевые маломощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
(токи в миллиампеpах, мощности в милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П501 3 10 >9 10 10 20 150
П501А 3 10 >19 10 10 20 150
П502 3 10 >9 30 10 20 150
П502А 3 10 >19 30 10 20 150
П502Б 3 10 >9 30 10 30 150
П502В 3 10 >19 30 10 30 150
П503 3 10 >9 60 10 20 150
П503А 3 10 >19 60 10 20 150
П504 5 10 10-35 50 10 20 150
П504А 5 10 25-80 50 10 20 150
П505 5 10 40-150 94 10 20 150 1500
П505А 5 10 20-60 94 10 20 150 1500

Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(токи в ампеpах, мощности в ваттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П601 0,5 3 >20 20 1,5(имп) 25 3
П601А 0,5 3 40-100 20 1,5(имп) 30 3
П601Б 0,5 3 80-200 20 1,5(имп) 30 3
П602 0,5 3 40-100 30 1,5(имп) 30 3
П602А 0,5 3 80-200 30 1,5(имп) 25 3
(В конце обозначения может быть добавлена буква И — П601И-П602АИ)
П604 — — >10 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604А — — 20-50 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604Б — — 40-100 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
(П604 — выпускались недолго, pаспpостpанения не получили)
П605 0,5 3 20-60 — 1,5(имп) 45 3
П605А 0,5 3 50-120 — 1,5(имп) 45 3
П606 0,5 3 20-60 30 1,5(имп) 35 3
П606А 0,5 3 50-120 30 1,5(имп) 35 3
Тpанзистоpы П601-П602, П605-П606 пpедназначены для pаботы в импульсном pежиме,
в основном для фоpмиpования импульсов для феppитовой памяти, в связи с чем у
них указан лишь импульсный максимальный ток. Использовались также в УHЧ.

Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(основное назначение — усиление ВЧ мощности в pадиопеpедатчиках)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П607 0,25 3 20-80 60 0,3 25 1,5
П607А 0,25 3 60-200 60 0,3 25 1,5
П608 0,25 3 40-120 90 0,3 25 1,5
П608А 0,25 3 80-240 90 0,3 25 1,5
П608Б 0,25 3 40-120 90 0,3 40 1,5
П609 0,25 3 40-120 120 0,3 25 1,5
П609А 0,25 3 80-240 120 0,3 25 1,5
П609Б 0,25 3 80-240 120 0,3 40 1,5

Кpемниевые мощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П701 0,5 10 10-40 12,5 0,5 40 10
П701А 0,2 10 15-45 12,5 0,5 60 10
П701Б 0,5 10 30-100 12,5 0,5 60 10

Кpемниевые мощные NPN меза-планаpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П702 1,1 10 >25 4 2 60 40
П702А 1,1 10 >10 4 2 60 40
Под названием П702 в pазное вpемя выпускались pазные тpанзистоpы, по pазной
технологии и с pазными фактическими паpаметpами, хотя и удовлетвоpяющими
вышеуказанным тpебованиям. Чем новее — тем лучше.

Тpанзистоpы стаpых типов имели две системы обозначений.
Пеpвая — введена в начале 50 годов, в конце 50-х заменена на втоpую.
Состоит из буквы (С для точечных, П для плоскостных), цифpы, обозначающей
поpядковый номеp pазpаботки. В конце — буква, обозначающая pазновидность внутpи
одного типа. Hапpимеp, П4А. Тpанзистоpы П4, маpкиpованные по этой системе,
выпускались длительное вpемя, пеpежив и пеpвую, и втоpую системы обозначений.
Втоpая система заменила пеpвую в конце 50-х годов, заменена тpетьей (привычной
нам, в кторой обозначение начинается с ГТ, КТ, 1Т или 2Т) в 1964
году. В этой системе по обозначению можно опpеделить класс тpанзистоpа.
Пеpвый элемент — буква П.
Втоpой элемент — цифpы, обозначающие класс тpанзистоpа и поpядковый номеp
pазpаботки.
От 1 до 99 — маломощный низкочастотный (HЧ) геpманиевый.
От 101 до 199 — маломощный HЧ кpемниевый.
От 201 до 299 — мощный HЧ геpманиевый.
От 301 до 399 — мощный HЧ кpемниевый.
От 401 до 499 — маломощный высокочастотный (ВЧ) геpманиевый.
От 501 до 599 — маломощный ВЧ кpемниевый.
От 601 до 699 — мощный ВЧ геpманиевый.
От 701 до 799 — мощный ВЧ кpемниевый.
Кpоме того, в начале или в конце обозначения могла указываться буква,
указывающая на констpуктивные или технологические особенности.
Hапpимеp, П201АЭ (доп. буква в конце), МП42Б (доп. буква в начале).

Пеpечислю наиболее pаспpостpаненные типы тpанзистоpов, выпускавшиеся многие
годы и составившие подавляющее большинство выпущенных, наиболее шиpоко
пpименявшиеся в самой pазной аппаpатуpе.

Геpманиевые HЧ маломощные усилительные.
PNP П13-П15А (МП13-МП15А, МП39-МП41А).
NPN П8-П11А (МП9А-МП11А, МП35-МП38А).
Высоковольтные PNP МП25-МП26Б.

Геpманиевые ВЧ маломощные усилительные.
PNP П401-П403А (П422, П423).

Геpманиевые HЧ мощные.
PNP П4А-Д, П201-П203, П210-П210А, П213-П215, П216-П217Г. Они использовались в
усилителях HЧ, стабилизатоpах и импульсных пpеобpазователях напpяжения, как
ключи в схемах автоматики.

Геpманиевые пеpеключательные.
HЧ PNP П16-П16Б (МП16-МП16Б, МП42-МП42Б).
ВЧ PNP П416-П416Б.
Hа повышенные токи PNP П605-П605А.

В спецаппаpатуpе, где тpебуется pасшиpенный темпеpатуpный диапазон, шиpоко
пpименялись:
Кpемниевые HЧ маломощные
NPN П101-П103А (МП101-МП103А, МП111-МП113А)
PNP П104-П106 (МП104-МП106, МП114-МП116)
Кpемниевые HЧ мощные
PNP П302-П306А
Кpемниевые ВЧ мощные
NPN П701-П702А.

Еще отмечу, что длительно выпускавшиеся тpанзистоpы в pазное вpемя выпускались
по pазным ТУ, поэтому pазбивка по буквам и паpаметpы могли несколько меняться.

pogorily.livejournal.com

Справочник мощных импортных полевых транзисторов.

Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов.


Справочник предназначен для подбора полевых транзисторов по электрическим параметрам,

для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками. За основу спраочника взяты отечественные транзисторы, расположенные

в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные MOSFET транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные

и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами.

MOSFET транзисторы обладают следующими достоинствами: малая энергия, которую нужно затратить
для открывания транзистора. Этот параметр хоть и растет с увеличением частоты, но все равно остается гораздо меньшей,
чем у биполярных транзисторов. У MOSFET транзисторов не времени обратного восстановления , как у биполярных и «хвоста»,
как у IGBT транзисторов, в связи с чем могут работать в силовых схемах на более высоких частотах. Кроме того, у MOSFET нет вторичного
пробоя, и поэтому они более стойки к выбросам самоиндукции.








Отечеств. Корпус PDF Тип Imax, A Импортн. Корпус

Ограничения по длительному току, накладываемые корпусом:

ТО220 не более 75А, ТО247 не более 195А. В реальных
условиях отвода тепла эти цифры в несколько раз меньше.

Полевые транзисторы на напряжение до 40В:

КП364 ТО-92 n 0.02

 

 

кп364 — полевой транзистор 40В 0.1А, характеристики
КП302 ТО-92 n 0.04

 

 

 транзистор кп302 на 40В 0.1А
2П914А ТО-39 n 0.1(0.2)

BSS138

2SK583

sot23
TO-92

полевой транзистор 2п924 на 40В 0.1А
КП601 ТО-39 n 0.4

 

полевой транзистор кп601 на 40В 0.15А
КП507 ТО-92 p 0.6
1.1

TP2104

 

TO-92, sot23
sot23
полевой транзистор кп507на 40В 0.3А
      n 1.6

BSP295

sot223

импортный полевой smd транзистор BSP295
      n 2

RTR020N05

sot23

полевой транзистор для поверхностного монтажа на 40В 2А с защитным стабилитроном в затворе
      n 4

NTR4170

sot23

      n 5

PMV60EN

sot23
      n 6

BSP100

sot223
КП921А TO-220 n 10

 

  мощный полевой транзистор КП921 на 40В 10А для применения в

быстродействующих переключающих устройствах

КП954Г TO-220 n 20(18) FDD8424 TO-252 мощный полевой транзистор КП954 на 40В 20А для источников питания
      n 34

BUZ11

TO-220 импортный MOSFET транзистор BUZ11 на 40В 34А
2П7160А TO-258 n 46(42) IRFR4104 TO-252 характеристики мощного MOSFET IRF4104
n 100

IRF1104

TO-220 MOSFET транзистор IRF1104 на 40В 100А
n 162

IRF1404

TO-220 MOSFET транзистор IRF1404 на 40В 162А. Подробные характеристики см. в datasheet
n 210

IRF2204

TO-220 импортный полевой транзистор IRF2204 на 40В 210А
n 280

IRF2804

TO-220 импортный полевой транзистор IRF2804 на 40В 280А
n 350

IRFP4004

TO-247 мощный полевой транзистор с изолированным затвором IRFP4004 с током до

195А

MOSFET транзисторы на напряжение

до 60-75В:

      n 0.2
0.5

2N7000

BS170

TO-92, sot23 smd маломощный полевой транзистор BS170 на 60В 0.2А для поверхностного

монтажа

КП804А ТО-39 n 1

 

 

КП505 А-Г
 
ТО-92 n 1.4
2.7
IRFL014

sot223

импортный полевой транзистор irfl014 на 60В 0.1А для поверхностного монтажа
КП961Г ТО-126 n 5     транзистор КП961Г на 60В 0.5А
КП965Г ТО-126 n 5

 

  транзистор КП965Г на 60В 0.5А
КП801 (А,Б) ТО-3 n 5

 

   
КП739 (А-В) ТО-220 n 10

IRF520

ТО-220 импортный полевой транзистор IRF520, характеристики
КП740 (А-В) ТО-220 n 17 STP16NF06 TO-220 на 60В 15А
КП7174А ТО-220 n 18      
КП784А ТО-220 p 18    
КП954 В,Д ТО-220 n 20 STP20NF06 TO-220 мощный полевой транзистор КП954 на 60В 20А
2П912А ТО-3 n 25

 

  полевой транзистор 2П912А на 60В и ток 25А
КП727(А,Б) ТО-220
 

 

n
p
30
31
STP36NF06

IRF5305

ТО-220 мощный полевой транзистор КП727А на 60В 30А
КП741 (А,Б) ТО-220 n 50

IRFZ44

TO-220 мощный полевой транзистор irfz44 на 60В и ток 50А. Подробные характеристики см. в datasheet.
КП723(А-В) ТО-220 n 50 STP55NF06 TO-220 отечественный мощный полевой транзистор КП723 на 60В и ток до 50А
КП812(А1-В1) ТО-220 n 50

 

  отечественный MOSFET транзистор КП812 на 60В и ток до 50А
2П7102Д ТО-220 n 50     MOSFET транзистор 2П7102 на 60В и ток до 50А
КП775(А-В) ТО-220 n 50(60) STP60NF06 TO-220 полевой транзистор КП775 на напряжение до 60В и ток до 50А
КП742(А,Б) ТО-218 n
n
n
p
80
80
82
74

SPB80N08

IRF1010

IRF2807

IRF4905

TO-220, D2PAK
ТО-220
ТО-220
ТО-220
полевой транзисторы irf1010, irf2807, irf4905 на 60В и ток до 80А
n 140
169

IRF3808

IRF1405

ТО-220
ТО-220
MOSFET транзистор irf3808 на 60В и ток до 140А
      n 210

IRFB3077

ТО-220 полевой транзистор irfb3077 на 75В и ток 210А
      n 350

IRFP4368

ТО-247 мощный полевой транзистор irfp4368 на напряжение 75В  ток до 195А

MOSFET на напряжение

до 100-150В:

КП961В ТО-126 n 5

 

   
КП965В ТО-126 p 5(6.8)

IRF9520

ТО-220 p-канальный импортный полевой транзистор IRF9520 на напряжение до 100В, ток

до7А

КП743 (А1-В1) ТО-126 n 5.6  
КП743 (А-В) ТО-220 n 5.6

IRF510

ТО-220 mosfet транзистор IRF510 на напряжение до 100В, ток до 6А.
КП801В ТО-3 n 8 IRFR120 DPAK  
КП744 (А-Г) ТО-220 n 9.2

IRF520

TO-220 импортный полевой транзистор IRF520 на напряжение до 100В и ток до 9А
КП922 (А,Б) ТО-3 n 10

BUZ72

TO-220 mosfet транзистор BUZ72 с током до 10А
КП745 (А-В) ТО-220 n 14

IRF530

ТО-220 транзистор IRF530 на напряжение до 100В и ток до 14А
КП785А ТО-220 p 19

IRF9540

ТО-220 импортный p-канальный полевой транзистор IRF9540 на ток до 19А
2П7144А ТО-220 p 19

 

  мощный p-канальный полевой транзистор 2П7144 на 100В и ток до 19А
КП954Б ТО-220 n 20 IRFB4212

TO-220 параметры мощного MOSFET транзистора IRFB4212
2П912А ТО-3 n 20     мощный n-канальный полевой транзистор 2П912 на напряжение 100В и ток до 20А
КП746(А-Г) ТО-220 n 28

IRF3315

ТО-220 импортный полевой транзистор IRF3315 на ток до 28А
2П797Г ТО-220 n 28

IRF540

ТО-220 импортный полевой транзистор IRF540 на ток до 28А
КП769(А-Г) ТО-220 n 28

 

 

мощный полевой транзистор КП769 на напряжение до 100В и ток до 28А

КП150

ТО-218

n 33
34
38

IRF540NS

BUZ22

 

TO-220, D2PAK
TO-220
 
мощный полевой транзистор irf540 на 100В и ток 34А
КП7128А,Б ТО-220 p 40

IRF5210

ТО-220 mosfet транзистор irf5210 на 100В и ток до 40А
КП771(А-Г)

 

ТО-220

 

 

n 40
42
47

IRF1310

PHB45NQ10

ТО-220
TO-247, D2PAK
отечественный полевой транзистор КП771 на 100В 40А и его импортный аналог irf1310
      n 57

STB40NF10

IRF3710

smd
ТО-220
мощный полевой транзистор irf3710 на 100В 57А
      n 72

IRFP4710

ТО-247 mosfet транзистор irf4710 на 100В и ток до 72А
      n 171

IRFP4568

ТО-247 полевой тразистор irf4568 на 150В 171А
      n 290

IRFP4468

ТО-247 мощный полевой транзистор irf4468 на 100В 195А

Полевые транзисторы на напряжение

до 200В:

КП402А ТО-92 p 0.15

BSS92

TO-92

 
КП508А ТО-92 p 0.15      
КП501А ТО-92 n 0.18

BS107

TO-92  
КП960В ТО-126 p 0.2      
КП959В ТО-126 n 0.2

 

   
КП504В ТО-92 n 0.2

BS108

ТО-92  
КП403А ТО-92 n 0.3      
КП932А ТО-220 n 0.3      
КП748 (А-В) ТО-220 n 3.3

IRF610

ТО-220 mosfet транзистор IRF610 с напряжением до 200В и на ток до 3А
КП796В ТО-220 p 4.1

BUZ173

TO-220  
КП961А ТО-126 n 5 IRF620 TO-220 полевой транзистор IRF620 на 200В 5А
КП965А ТО-126 p 5      
КП749 (А-Г) ТО-220 n 5.2      
КП737 (А-В) ТО-220 n 9

IRF630

ТО-220 mosfet транзистор irf630 на ток до 9А и напряжение до 200В
КП704 (А,Б) ТО-220 n 10 mosfet на 200В 10А
КП750 (А-В) ТО-220 n 18

IRF640

IRFB17N20

TO-220 mosfet транзистор IRF640 (200В 18А)
КП767 (А-В) ТО-220 n 18      
КП813А1,Б1 ТО-220 n 22

BUZ30A

IRFP264

TO-220
TO-247
мощный полевой транзистор irf264 на 200В 20А
КП250 ТО-218 n 30(25) IRFB4620 TO-220  
2П7145А,Б КТ-9 n 30 IRFB31N20 TO-220 мощный полевой транзистор 2П7145 (200В 30А)
КП7177 А,Б ТО-218 n 50(62) IRFS4227

D2PAK характеристики MOSFET транзистора на 200В 50А
      n 130

IRFP4668

TO-247 мощный импортный полевой транзистор irfp4668 на 200В 130А

Полевые транзисторы на напряжение

до 300В:

КП960А ТО-126 p 0.2

 

 
КП959А ТО-126 n 0.2  
КП796Б ТО-220 p 3.7  
2П917А ТО-3 n 5    
КП768 ТО-220 n 10    
КП934Б ТО-3 n 10    
КП7178А ТО-218
ТО-3
n 40

 

 

Полевые транзисторы до 400В:

КП502А ТО-92 n 0.12

 

 
КП511А,Б ТО-92 n 0.14

 

   
КП733А ТО-220 n 1.5

 

   
КП731 (А-В) ТО-220 n 2

IRF710

ТО-220 mosfet транзистор IRF710
КП751 (А-В) ТО-220 n 3.3

BUZ76

IRF720

ТО-220
TO-220
mosfet транзистор IRF720, характеристики
КП931 В ТО-220 n 5

IRF734

ТО-220 mosfet транзистор IRF734
КП768 ТО-220 n 5.5

IRF730

ТО-220 mosfet транзистор IRF730
КП707А1 ТО-220 n 6

 

   
КП809Б ТО-218
ТО-3
n 9.6

 

   
КП934А ТО-3 n 10

IRF740

ТО-220 mosfet транзистор IRF740
КП350 ТО-218 n 14

BUZ61

TO-220 mosfet транзистор BUZ61
2П926 А,Б ТО-3 n 16.5

 

   
n 18.4

STW18NB40

TO-247 импортный полевой транзистор на 400В 18А
КП707А ТО-3 n 25 IRFP360 TO-247 mosfet на 400В 25А

Полевые транзисторы на напряжение

до 500В:

КП780 (А-В) ТО-220 n 2.5

IRF820

ТО-220 mosfet транзистор IRF820
КП770 ТО-220 n 8

IRF840

TO-220 mosfet транзистор IRF840
КП809Б,Б1 ТО-218
ТО-3
n 9.6

2SK1162

ТО-3Р mosfet транзистор 2SK1162
КП450 ТО-218 n 12

IRFP450

TO-247 мощный полевой транзистор 500В 14А
КП7182А ТО-218 n 20

IRFP460

ТО-247  
КП460 ТО-218 n 20(23)

IRFP22N50

TO-247 мощный полевой транзистор IRF22N50 на 500В 20А
КП7180А,Б ТО-218
ТО-3
n 26(31)

IRFP31N50

STW30NM50

TO-247
TO-247,TO-220
мощный полевой транзистор 500В 31А
n 32

SPW32N50

TO-247 мощный полевой транзистор на 500В 32А
n 46

STW45NM50

IRFPS40N50

TO-247
S-247
мощный полевой транзистор на 500В 46А

Полевые транзисторы на напряжение

до 600В:

Раздел: высоковольтные полевые транзисторы.
КП7129А ТО-220 n 1.2

SPP02N60

TO-220 высоковольтный полевой транзистор SPP02N60 на 600В
КП805 (А-В) ТО-220 n 4(3)

SPP03N60

TO-220 высоковольтный MOSFET транзистор SPP03N60, характеристики
КП709(А,Б) ТО-220 n 4

IRFBC30

ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор IRFBC30, характеристики
КП707Б1 ТО-220 n 4

SPP04N60

ТО-220 мощный высоковольтный полевой транзистор SPP04N60 на 600В
КП7173А ТО-220 n 4

 

   
КП726 (А,Б) smd
ТО-220
n 4.5

 

   
КП931Б
 
ТО-220
 

 

n 5(6.2)
7

IRFBC40

SPP07N60

TO-220
TO-220

MOSFET транзистор 600В 5А
КП809В ТО-218
ТО-3
n 9.6

IRFB9N65A

TO-220

мощный высоковольтный полевой транзистор IRFB9N65 на 600В
2П942В ТО-3 n 10

SPP11N60

ТО-220 MOSFET транзистор 600В 10А
КП953Г ТО-218 n 15      
КП707Б ТО-3 n 16.5

SPP20N60

SPW20N60

ТО-220
TO-247
MOSFET транзистор 600В 15А
n 30

STW26NM60

TO-247 полевой транзистор 600В 30А
КП973Б ТО-218 n 30

IRFP22N60

IRFP27N60

TO-247 MOSFET транзистор 600В 30А
n 40

IRFPS40N60

S-247 MOSFET транзистор 600В 40А
n 47

SPW47NM60

FCh57N60

TO-247 MOSFET транзистор 600В 47А
n 60

IPW60R045

TO-247 MOSFET транзистор 600В 47А

Полевые транзисторы на напряжение

до 700В:

КП707В1 ТО-220 n 3      
КП728 (Г1-С1) ТО-220 n 3.3      
КП810 (А-В) ТО-218 n 7      
КП809Е ТО-218
ТО-3
n 9.6     мощный высоковольтный полевой транзистор на 700В
2П942Б ТО-3 n 10     MOSFET транзистор 700В 10А
КП707В ТО-3 n 12.5     мощный полевой транзистор 700В 12А
КП953В ТО-218 n 15 MOSFET транзистор 700В 15А
КП973А
 
ТО-218
 

 

n 30
39
IPW60R075

TO-247 полевой транзистор (IRF) 650В 25А
  n 60

IPW60R045

TO-247 полевой транзистор (IRF) 650В 38А

Полевые транзисторы на напряжение

до 800В:

n 1.5

BUZ78

IRFBE20

ТО-220
TO-220
высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE20, характеристики
КП931А ТО-220 n 5

IRFBE30

ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE30, характеристики
КП705Б,В ТО-3 n 5.4

SPP06N80

ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор SPP06N80, характеристики
КП809Д ТО-218
ТО-3
n 9.6 STP10NK80

TO-220 мощный полевой транзистор 800В 10А
2П942А ТО-3 n 10 STP12NK80 TO-247 MOSFET транзистор 800В 10А
КП7184А ТО-218 n 15

SPP17N80

ТО-220 мощный полевой транзистор 800В 15А
КП953А,Б,Д ТО-218 n 15     MOSFET транзистор 800В 15А
КП971Б ТО-218 n 25(55) SPW55N80 TO-247 MOSFET транзистор 800В 25А

MOSFET транзисторы на напряжение

до 900-1000В:

2П803А,Б   n 4.5(3.1)

IRFBG30

TO-220 высоковольтный полевой транзистор IRFG30 на 900В
КП705А ТО-3 n 5.4(8)

IRFPG50

2SK1120

TO-247
TO-218
мощный высоковольтный полевой транзистор 2SK1120 на 1000В
КП971А ТО-218 n 25(36) IPW90R120 TO-247 высоковольтный mosfet 900В 30А

www.trzrus.ru

Справочник по MOSFET транзисторам















































20- 25 В

 

 

 

 

 

IRL3714ZSPBF

20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, D2-Pak

IRL3715ZSPBF

20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, D2-Pak

IRF3704ZSPBF

20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, D2-Pak

IRF3711ZSPBF

20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, D2-Pak

IRF1324SPBF

24V, 340A, 1.65 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRF1324S-7PPBF

24V, 429A, 1 mOhm, 180 nC Qg, D2-Pak 7-pin

30 В

 

 

 

 

IRF3707ZSPBF

30V, 59A, 9.5 mOhm, 9.7 nC Qg, D2-Pak

IRF3709ZSPBF

30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, D2-Pak

IRL8113SPBF

30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, D2-Pak

IRL7833SPBF

30V, 150A, 3.8 mOhm, 32 nC Qg, D2-Pak

IRF2903ZSPBF

30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

40 В

IRF4104SPBF

40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, D2-Pak

IRF1404ZSPBF

40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

IRF2804SPBF

40V, 270A, 2.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRFS3004PBF

40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRF2804S-7PPBF

40V, 320A, 1.6 mOhm, 170 nC Qg, D2-Pak 7-pin

IRFS3004-7PPBF

40V, 400A, 1.25 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

55 — 60 В

IRFS3806PBF

60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D2-Pak

IRFZ44ZSPBF

55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, D2-Pak

IRF1018ESPBF

60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

IRF3205ZSPBF

55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, D2-Pak

IRFS3306PBF

60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, D2-Pak

IRFS3206PBF

60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS3006PBF

60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak

IRFS3006-7PPBF

60V, 293A, 2.1 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak 7-pin

75 — 80 В

IRFS3607PBF

75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

IRFS3307ZPBF

75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, D2-Pak

IRFS3207ZPBF

75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS3107PBF

75V, 230A, 3.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRFS3107-7PPBF

75V, 260A, 2.6 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

100 В

IRF540ZSPBF

100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak

IRF3710ZSPBF

100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, D2-Pak

IRFS4610PBF

100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, D2-Pak

IRFS4410ZPBF

100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, D2-Pak

IRFS4310ZPBF

100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS4010PBF

100V, 180A, 4.7 mOhm, 143 nC Qg, D2-Pak

IRFS4010-7PPBF

100V, 190A, 4.0 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak  7-pin

150 В

IRFS4615PBF

150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D2-Pak

IRFS4321PBF

150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, D2-Pak

IRFS4115PBF

150V, 99A, 12.1 mOhm, 77 nC Qg, D2-Pak

IRFS4115-7PPBF

150V, 105A, 11.8 mOhm, 78 nC Qg, D2-Pak  7-pin

200 В

IRFS4020PBF

200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, D2-Pak

IRFS4620PBF

200V, 24A, 77.5 mOhm, 25 nC Qg, D2-Pak

IRFS4227PBF

200V, 62A, 26 mOhm, 70 nC Qg, D2-Pak

IRFS4127PBF

200V, 76A, 21 mOhm, 110 nC, D2-Pak

250 В

IRFS4229PBF

250V, 45A, 48 mOhm, 72 nC Qg, D2-Pak

micpic.ru

Маломощный транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Маломощный транзистор

Cтраница 1

Типовые маломощные транзисторы в лучшем случае позволяют получить сопротивление шума около 300 Ом.
 [1]

Некоторые маломощные транзисторы делают бескорпусными и герметизируют защитными слоями лака и эпоксидной смолы. У транзисторов повышенной мощности с корпусом, как правило, соединяется коллектор, а сам корпус привинчивается к шасси аппаратуры, что улучшает теплоотвод.
 [3]

Все маломощные транзисторы вставлены в отверстия, просверленные в плате. Транзисторы вставлены с обратной стороны платы и опираются на ободок, имеющийся на их корпусе. Если толщина платы превышает 1 — 1 5 мм, то отверстия, предназначенные для входных транзисторов приемного тракта 1Т9, П10, необходимо раззенковать с обратной стороны сверлом большего диаметра с таким расчетом, чтобы донышко транзистора находилось на одной высоте с фольгированной стороной платы. Транзисторы двух последних каскадов передающего тракта снабжены радиаторами, поэтому для них необходимо сделать отверстия по внешнему диаметру транзисторов. Лучше, если отверстая будут иметь шестигранную форму, так как это не даст транзистору вращаться при затягивании радиатора. В выходном каскаде применен транзистор типа КТ907А, у которого эмиттерный вывод соединен с корпусом. Для уменьшения индуктивности эмиттерного вывода между транзистором и радиатором необходимо вставить прокладку из медной фольги. Концы прокладки выводятся наверх и припаиваются к плате. Следует также обратить внимание на минимальную длину выводов конденсатооа 1С5, включенного между базой и эмиттером выходного транзистора.
 [4]

Для маломощных транзисторов, например, максимальное значение коэффициента усиления р обычно достигается при коллекторных токах / i — 7 — — 20 ма.
 [5]

Использование маломощных транзисторов на больших мощностях, близких к предельно допустимым, также снижает надежность работы из-за перегрева, снижения температурной устойчивости и снижения напряжения пробоя. Поэтому необходимо применять транзисторы минимально возможных для данных конкретных условий мощностей, но так, чтобы транзистор при этом не перегревался.
 [7]

Выводы маломощных транзисторов делают гибкими для удобства монтажа в аппаратуре. Жесткие выводы обычно делают у мощных полупроводниковых приборов. Для создания надежных электрических соединений приборов при монтаже в аппаратуре вывода облуживают.
 [8]

У маломощных транзисторов обычно проверяют обратный или так называемый неуправляемый ток коллектора / БО ПРИ отключенном эмиттерном выводе, а также / Ыэ в схеме с заземленным эмиттером. На рис. 74 приведена схема стенда для проверки маломощных транзисторов как с p — n — р, так и с n — p — п переходами. У микроамперметра ИП-1 должна быть шкала с нулем посередине.
 [10]

Для маломощных транзисторов со-противление составляет десят-ки ом, а для мощных — единицы ом.
 [11]

Для маломощных транзисторов регламентируется температура окружающей среды Гв.
 [12]

У маломощных транзисторов тепло от коллектора передается корпусу, имеющему контакт с окружающим воздухом и охлаждающемуся в основном конвекцией; у мощных транзисторов поверхность корпуса для этой цели недостаточна, и корпус охлаждают при помощи специального радиатора или отводят от него тепло на металлическое шасси устройства.
 [13]

У маломощных транзисторов тепло от коллектора передается корпусу, имеющему контакт с окружающим воздухом и охлаждающемуся в основном конвекцией; у мощных транзисторов поверхность корпуса для этой цели ( Недостаточна и кореус охлаждают с помощью специального радиатора или отводят от него тепло на металлическое шасси устройства.
 [14]

Использование маломощных транзисторов на больших мощностях, близких к предельно допустимым, снижает надежность их работы из-за перегрева и увеличения вероятности пробоя. Поэтому необходимо применять транзисторы минимально возможных для данных конкретных условий мощностей, но так, чтобы транзистор при этом не перегревался.
 [15]

Страницы:  

   1

   2

   3

   4

   5




www.ngpedia.ru

Маломощные комплементарные полевые транзисторы. — Начальные сведения — практические советы. — Начинающим — Каталог статей

На выходе УМЗЧ мощные транзисторы структуры МОП (MOSFET) уже не диковинка, там их преимущества очевидны и они активно «завоёвывают» это место. В классической немецкой литературе по схемотехнике (см. 1; 2) приводятся неоспоримые, подтверждённые расчётами и измерениями факты преимущества маломощных полевых транзисторов с p-n переходом (JFET) над биполярными и во входных каскадах .

Прежде всего, и это главное, они гораздо более линейны!

При слабом возбуждении (обычное явление во входных каскадах) напряжение на входе, соответствующее коэффициенту нелинейных искажений на выходе 1% составит для полевого, включенного с общим стоком 100 мВ, для биполярного всего 1 мВ. При том, что это будут чётные  гармоники, возрастающие с увеличением напряжения линейно, а у биполярного присутствуют и чётные и нечётные. Нечётные гармоники, биполярного, пропорциональны квадрату входного напряжения, т.е. возрастают резко. Дифкаскады соответственно дадут 1% Кг при 17 мВ на входе (биполярный) и 1500 мВ (полевые). 

Разница по уровню искажений в обеих вариантах включения просто огромна – целых два порядка! (см. 1).

Однако многие радиолюбители избегают повторять конструкции усилителей или разрабатывать новые с полевыми маломощными транзисторами во входных каскадах. Сразу предвижу ряд аргументов против:

— они с большим разбросом параметров!;

— нет доступных для подбора комплементарных пар, подбирать не из чего!

— их вообще трудно подбирать, и для этого их надо очень много!

— выберешь из нескольких десятков две пары, а остальные куда девать?

— маломощные полевые транзисторы боятся статического заряда, легко пробиваются.

На последний аргумент ответить просто – на входе применяются полевые транзисторы с p-n переходом, (JFET) они не боятся статики, так как не имеют изолированного затвора. Если вдруг на нём возникнет открывающее напряжение, то структура откроется как обычный диод. Сопротивление цепи затвор-канал резко уменьшится и пропустит статический заряд без всякого повреждения.

По второму аргументу: существуют, и вполне доступны, ряд транзисторов, как с n-каналом, так и  p-канальных. В таблице 1 приведены три типа первой структуры, и два вида второй, с близкими значениями начального тока, пригодные для входных каскадов. Здесь разберёмся подробнее. Напряжение в рабочей точке для тока стока 1 — 1,5 мА составляет у них от 0,5 до 1,5 В, что позволяет работать без захода в область открытого канала при обычных входных напряжениях УМЗЧ, в том числе усилителей без общей ООС.

Это ещё одна характерная особенность полевых транзисторов с p-n переходом, в отличие от биполярных, которую необходимо учитывать. При напряжении затвор- исток равном нулю и токе, равном начальному, они, как и некоторые ламповые триоды, пентоды, вполне работоспособны и используются. Но только до тех пор, пока амплитуда входного напряжения не превысит примерно 0,2 В, в отрицательную сторону для p -канальных и положительную для n – канальных транзисторов, при котором переход приоткрывается в прямом направлении и резко снижается сопротивление затвора, что вызывает ограничение входного сигнала. Т.е. штатный режим работы полевых транзисторов с p-n переходом, как и у ламп – с запирающими напряжениями на затворе. Вот только у ламп нет комплементарных пар разной проводимости.

Из отечественных, p -канальных имеются в продаже КП103Л, парные КП103ЛР, микросборки из двух практически идентичных транзисторов К504НТ (в пластмассе —  КР504НТ), и всё. Из импортные доступны 2SJ103. Из множества отечественных, n – канальних, КП303Д выбраны не случайно. У них более близкие параметры крутизны и тока стока к указанным выше p –канальным. В комплементарные к указанным p -канальны не подходят КП307 (слишком большая крутизна) и КП302 (слишком большой начальный ток и крутизна). Большой ассортимент импортных n – канальних для подбора комплементарних пар ограничен теми, у которых более низкие значения крутизны.

Это ещё одна особенность полевых транзисторов с p-n переходом. Их необходимо подбирать в комплементарные пары  не только по одинаковому напряжению затвор-исток при определённом рабочем токе стока, но и по крутизне вблизи рабочей точки. Ещё лучше, если крутизна будет равна во всём диапазоне токов, и начальные токи стока также будут одинаковы. Это в идеале. В реалиях наши коллеги-разработчики обычно  советуют подбирать их только по начальному току стока с разбросом не хуже  +-20%  и всё, уповая на всесильную способность общей ООС уменьшать искажения. Этого мало, особенно для схем без ОООС. Вполне возможен более точный подбор. Что очень положительно скажется на работе любых вариантов УМЗЧ, как с общей ОООС, так и без неё. 

Будем считать, что подбор по одинаковой крутизне S и напряжению затвор исток в рабочей точке Uзи хороший, если он лучше 20% и отличный, если разница не превышает 10%.

Сравнение разных полевых транзисторов, выбранных с близкими изначально, по паспортным характеристикам параметрам, приведено в таблице 1. Здесь, и далее: Io – начальный ток стока при соединённых выводах затвора и истока, мА; Ic — ток стока, мА; Uзи – модуль напряжения смещения затвор-исток, V; S крутизна характеристики, mA/V. В p –канальных полевых транзисторах напряжение смещения Uзи на истоке относительно затвора отрицательное, у n – канальних положительное. Для удобства в таблицах Uзи указано по модулю, без указания знака. 

Даже беглый взгляд на таблицу 1 ясно показывает, что при близком значении у всех начального тока стока, крутизна не сильно, но существенно различается. Она, в общем и целом выше, как и «положено», у n – канальних. Интересно, что  у 2SJ103GR №14 она неожиданно выше, чем у его «коллеги» с противоположной проводимостью 2SK246GR №1, причём разница не превышает всего 8,5%. Но на краю диапазона токов, при 0,5 мА разница в Uзи  у них уже достигает 22,4 %, что многовато. Ещё удивительнее, что ещё лучше «паруются»… импортные с отечественными!! Например, КП103ЛР №22 с 2SK246GR №1; 2SJ103GR №14 с КП303Д №60.

 

На рисунке 1 приведены примеры неудачных пар, подобранных только по начальному току стока или крутизне (график слева на рисунке), или по одинаковому напряжению и одинаковому току стока в рабочей точке (график справа).

В таблицах 5-11 приведены результаты измерения всех транзисторов, из которых подбирались пары. Их не так много понадобилось. Анализ этих данных показывает, что многие из оставшихся некомплементарных транзисторов образуют отличные дифференциальные пары. Которые также возможно использовать во входных каскадах УМЗЧ вместо биполярных транзисторов, и получить выигрыш по искажениям и шумам. 

Оставшиеся непарными пригодятся для построения генераторов тока (ГСТ). Здесь также у полевых преимущество — ГСТ получается проще и в виде двухполюсника. 

Рис 1.

 

В таблицах №2, 3, 4  приведены примеры подобранных отличных комплементарных пар, в том числе и «чисто импортных» — BF245А с 2SJ103GR. На сопровождающих их рисунках №2;3;4 близость параметров показана более наглядно.

Рис 2. 

 

Рис 3. 

 

 

 

Ниже приведена схема стенда для измерения полевых маломощных транзисторов с pn-перехордом. Подстроечные резисторы в истоке задают ток  транзистора, отражаемый в показаниях амперметра (Io и Ic). Вольтметр показывает напряжение смещения Uзи. Приборы должны быть достаточно точными. 

 Список литературы:

1. П. Шкритек, «Справочное руководство по звуковой схемотехнике», М, изд. «Мир», 1991 г, стр. 74-82, приложение А10.

2. У. Титце, К. Шенк, «Полупроводниковая схемотехника»,   М, изд. «Мир», 1983 г, стр. 56-65.

Все вопросы по данной теме будем обсуждать на форуме: http://devicemusic.ucoz.ru/forum/16-106-1

 

devicemusic.ucoz.ru

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о