Транзистор 2N7002-7-F полевой N-канальный 60В 0.115A корпус SOT-23
Описание товара Транзистор 2N7002-7-F полевой N-канальный 60В 0.115A корпус SOT-23- Тип транзистора: N-канальный;
- Максимальный ток “сток”-“исток”: 0.115A;
- Максимальный напряжение “сток”-“исток”: 60В;
- Тип корпуса: SOT-23.
Транзистор 2N7002-7-F полевой N-канальный 60В 0.115A корпус SOT-23 выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.
Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода (“сток” и “исток”), а управляющий электрод – затвор.
Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное – током через транзистор.
Поскольку транзистор называется “полевым”, управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе.
Транзистор 2N7002-7-F полевой N-канальный 60В 0.115A корпус SOT-23 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.
Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.
Основные параметры транзистора 2N7002-7-F полевогоПри расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.
Максимальный ток для полевого транзистора 2N7002-7-F составляет 0.115A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.
Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током “исток”-“сток”.
Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами “сток” и “исток”. При превышении этого параметра, транзистор может “пробиться”. Для рассматриваемой модели напряжение составляет 60В.
Также транзистор 2N7002-7-F характеризуется напряжением отсечки на участке “затвор”-“исток”. Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.
От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.
Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.
При проектировании схем с применением полевого транзистора 2N7002-7-F следует учитывать:
- чувствительность к перегреву;
- высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.
В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.
Предпочтительный вариант – пайка при помощи паяльника с заземлением и регулировкой температуры.
Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.
Купить транзистор 2N7002-7-F полевой N-канальный 60В 0.115A корпус SOT-23 в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.
Автор на +google
транзистор 2N7002
Цена:
от: до:
Название:
Артикул:
Текст:
Выберите категорию:
Все Диоды Динамики Инструмент Источники питания Кабельная продукция и аксессуары Коммутационные изделия Конденсаторы КОПИ-центр Микросхемы Пайка. Клей. Химия. Платы макетные Приборы Разъемы Расходные материалы Резисторы Реле Светильники. Фонари Светодиоды Светодиодная лента. Аксессуары Телефония Транзисторы Установочные изделия Устройство защиты Хозяйственные товары Чип конденсаторы Чип резисторы Электролампы Электротехнические изделия Прочее Заказ 1-2.sale
Производитель:
Все1-2.
saleA&OABBACPAgelentALFAAMDAMTECHAnarenANENGAnhui Safe Electronics Co., LtdAnsmannAPECapeuronASDATMEGAATMELAttacheAUKAVEAVIORAAVS ELECTRONICSAVXAWSWBAOKEZHEN ELECTRONICBaronsBerlingoBOOMBosi toolsBOURNSBRIDGELUXBrunoViscontiBRUSHTIMECamelionCANNONCapXonCardinallChangCHEMI.CONCHIPSEACNDIYLFCNEIECComchipComtechConnectorConnflyCREECROWNCZTDaewooDC ComponentsDegsonDeltaDigitexDingfengDIOTEC SEMICONDUCTORDPTDPT Diptronics ManufacturingDragon SityDuracellEASTEastpowerEATONEcmaxEcolaEddingEEMBEKFEKF ElectrotechnicaElcoELEMENTElzetEnergizerEnergy Tehnology CoEnlincaEPCOSEPISTARERGOLUXErichKrauseESKAFairchildFANUCFeronFinderFITFOCUSrayFORYARDFSCFujiGalaxyGarinGaussGEGeneralGERMANYGL (New Land Group Co., LtdGolden PowerGPGTFGuanzhou HohgLi Opto-ElectronicHebeiHelvarHi-WattHITACHAICHITACHIHITANOHoneywellHXSHyelesiontekHyundaiiEKImationInfineonINFINIONIRFJAKEMYJamiconjaZZwayJBJETTJIAJiaweicheng Elctronic CoJieJietong SwitchJl WorldJoyin Co., LTDJWCOKAINAKBPMKBTKECKellerKEMET Electronics CorporationKFKIAKiccKingbrightKlaukeKlebebanderKLSKodakKOH-I-NOORKOMEKomironKomtexKOOCUKRAFTOOLLast oneLDLGLITEONLittle DoktorMactronicMAKELMAKR PLASTMatsushita PanasonicMaxellMCCMCHPMean WellMECHANICMicrochip Tehhology IncMinamotoMirexMoellerMOLYKOTEMONO ElectrikMULTICOMPMurataNavigatorNEOMAXnetkoNEXNonameNSNSCNXPOmronONSOsramOT-LEDPanasonicParkPhilipsPHOENIX LIGHTPHOENIX LIGHTPilaPOWER CUBEPOWERMANPREMIERPROconnectProffProsKitProsKit,PulsarPWRQINGYINGR6RaymaxRenataRenesasREXANTRobitonRubiconRubyconRUiCHiS-LineSafeLineSAFFITSAFTSAIFUSamsungSamwhaSanyoSchneider ElectricSenonAudioSEPSHARPSHESIBASiemensSilan MicroelectronicsSIMCOMSINOTOP TRADING Co.
Новинка:
Всенетда
Спецпредложение:
Всенетда
Результатов на странице:
Качество mosfet транзисторов 2n7002 для электронных проектов
Alibaba.com предлагает большой выбор. mosfet транзисторов 2n7002 на выбор в соответствии с вашими потребностями. mosfet транзисторов 2n7002 являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. mosfet транзисторов 2n7002, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает.Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего.
mosfet транзисторов 2n7002 состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. mosfet транзисторов 2n7002 охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. mosfet транзисторов 2n7002 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.
Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. mosfet транзисторов 2n7002 для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. mosfet транзисторов 2n7002 на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В.
Откройте для себя удивительно доступный. mosfet транзисторов 2n7002 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.
Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 
Основные параметры для. mosfet транзисторов 2n7002 для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника. N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,2Вт; SOT23 производства MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002-TP
Главная Каталог Полупроводники Транзисторы Транзисторы униполярные Транзисторы с каналом типа N Транзисторы с каналом N SMD| Количество | Цена ₽/шт |
|---|---|
| +20 | |
| +100 | 4.5 |
| +330 | 2. 1 |
| +1540 | 2 |
04500″>
5.8Вы можете запросить у нас любое количество 2N7002-TP, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.
Работаем с частными и юридическими лицами.
2N7002-TP описание и характеристики
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,2Вт; SOT23
Производитель
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Рассеиваемая мощность
0,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина, лента
Ток стока
0,115А
Вид канала
обогащенный
Напряжение сток-исток
60В
Тип транзистора
N-MOSFET
Сопротивление в открытом состоянии
7,5Ом
Напряжение затвор-исток
±20В
Бесплатная доставка
заказов от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
Смежные товары
| 7002 | SOT-23 | 2N7002 | WEJ | N-канальный MOSFET | |
| 7005 | SOP-8 | FAN7005M | Fairchild | Аудио усилитель | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002 | National | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002 | Zetex (Now Diodes) | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002 | Taitron | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002 | Central | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002 | MegaPower | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002 | Fairchild | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-363 | 2N7002DW | Panjit | N-канальные MOSFETы | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002MTF | Fairchild | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | L2N7002LT1G | LRC | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | MTN138ZN3 | CYStech | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | MTN7002N3 | CYStech | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | MTN7002ZHN3 | CYStech | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | MTNK1N3 | CYStech | N-канальный MOSFET | |
| 702⚫ | SOT-23 | MTNK2N3 | CYStech | N-канальный MOSFET | |
| 702* | SOT-23 | 2N7002 | Supertex | N-канальный MOSFET | |
| 702* | SOT-23 | 2N7002-G | Supertex | N-канальный MOSFET | |
| 702* | SOT-23 | 2N7002L | ON | N-канальный MOSFET | |
| 702* | SOT-23 | 2V7002L | ON | N-канальный MOSFET | |
| 703 * | SOT-23 | 2N7002E | ON | N-канальный MOSFET | |
| 7030L | SOT-669 | PH7030L | NXP | N-канальный MOSFET | |
| 704 | SOT-23 | 2N7002K | ON | N-канальный MOSFET | |
| 704 | SOT-23 | 2V7002K | ON | N-канальный MOSFET | |
| 705 | SOT-89 | FCX705 | Zetex (Now Diodes) | Составной PNP транзистор | |
| 709 | TDFN-8 2×2 | G709RCUf | GMT | Датчик температуры | |
| 709** | SOT-25 | G709T1Uf | GMT | Датчик температуры | |
| 70N10L | TO-263-3 | SPB70N10L | Infineon | N-канальный MOSFET | |
| 70N10L | TO-263-3 | SPI70N10L | Infineon | N-канальный MOSFET | |
| 70N10L | TO-220-3-1 | SPP70N10L | Infineon | N-канальный MOSFET | |
| 70T | SOT-23 | TK71570AS | Toko | Стабилизатор напряжения |
Даташиты 2N7002, 2N7002-G, 2N7002DW, 2N7002E, 2N7002K, 2N7002L, 2N7002MTF, 2V7002K, 2V7002L, FAN7005M, FCX705, G709RCUf, G709T1Uf, L2N7002LT1G, MTN138ZN3, MTN7002N3, MTN7002ZHN3, MTNK1N3, MTNK2N3, PH7030L, SPB70N10L, SPI70N10L, SPP70N10L, TK71570AS.2N7002 Распиновка полевого МОП-транзистора, техническое описание, аналоги и характеристики
2N7002 N-канальный полевой МОП-транзистор логического уровня
2N7002 МОП-транзистор
2N7002 МОП-транзистор
2N7002 Распиновка
нажмите на картинку для увеличения
2N7002 – это низковольтный малоточный МОП-транзистор с N-канальным уровнем логики .
Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии и низкой входной емкости он используется в приложениях управления питанием. МОП-транзистор может легко управляться системным напряжением 3,3 В или 5 В, поскольку он имеет низкое пороговое напряжение.
Конфигурация контактов
Номер контакта | Имя контакта | Описание |
1 | Источник | Ток течет через Источник |
2 | Ворота | Управляет смещением полевого МОП-транзистора |
3 | Слив | Ток протекает через сток |
- N-канальный полевой МОП-транзистор с низким сопротивлением в открытом состоянии
- Непрерывный ток утечки (ID) составляет 200 мА
- Напряжение истока стока (VDS) составляет 60 В
- Сопротивление в открытом состоянии <5 Ом
- Минимальное пороговое напряжение затвора (VGS-th) составляет 1В
- Максимальное пороговое напряжение затвора (VGS-ое) 3В
- Время включения и выключения составляет 15 нс и 8 нс каждое
- Выпускается в упаковке К-92 и СОТ23-3Л
Примечание.
Полную техническую информацию можно найти в таблице данных 2N7002 , приведенной в конце этой страницы.
2N7002 Альтернативы
NTR4003, FDC666, FDC558
2N7002 Эквивалентный P-каналBSS84, FDN358P
Другие N-канальные полевые МОП-транзисторыBS170N, IRF3205, 2N7000, IRF1010E, IRF540N
2N7002 Краткое описание 2N7002 – это полевой МОП-транзистор логического уровня с низким сопротивлением в открытом состоянии.МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение между затвором и истоком, равное 2,1 В, что обычно делает МОП-транзистор пригодным даже для схем с напряжением 3,3 В. Поскольку МОП-транзистор имеет низкое сопротивление в состоянии, он имеет высокую эффективность при включенном МОП-транзисторе. Благодаря этому свойству он может поддерживать высокую коммутационную способность и, следовательно, широко используется в приложениях управления питанием.
МОП-транзистор также поставляется в корпусе SMD, поэтому его можно использовать для компактных приложений. Одним из существенных недостатков МОП-транзистора является низкий ток стока; он может обеспечивать непрерывный ток 200 мА и пиковые токи до 1 А при максимальном пороговом напряжении.Что-либо большее, чем это, повредит МОП-транзистор.
2N7002 Приложения- Коммутационные устройства низкого тока и низкого напряжения
- Преобразователи постоянного тока в постоянный
- Приложения eMobility
- Применение, где требуется низкое сопротивление в открытом состоянии.
- Приложения для управления питанием
MOSFET доступен в корпусах SOT23 и TO-92, размеры корпуса SOT 23 показаны ниже.Для получения информации о других размерах см. Таблицу ниже.
|
5 Ом, N-канал, режим расширения, вертикальный полевой транзистор DMOS
Эта комбинация создает устройство с возможностями управления мощностью биполярных транзисторов, а также высоким входным импедансом и положительным температурным коэффициентом, присущими устройствам MOS. Это устройство, характерное для всех МОП-структур, не имеет теплового разгона и вторичного пробоя, вызванного термическим воздействием. Вертикальные полевые транзисторы DMOS идеально подходят для широкого диапазона коммутационных и усилительных приложений, где требуется очень низкое пороговое напряжение, высокое напряжение пробоя, высокое входное сопротивление, низкая входная емкость и высокая скорость переключения.
2N7002 datasheet – N-channel MOSFET
2N3439CSM4R : Доступны варианты экранирования = ;; Полярность = NPN ;; Пакет = LCC3R ;; Vceo = 300V ;; IC (продолжение) = 1A ;; HFE (мин) = 40 ;; HFE (макс.) = 160 ;; @ Vce / ic = 10 В / 20 мА ;; FT = 15 МГц ;; PD = 0,35 Вт.
BF824 / T1 : Транзистор Р.ф. Сот-23. Низкий ток (макс. 25 мА) Низкое напряжение (макс. 30 В). ПРИМЕНЕНИЕ Радиочастотные каскады в интерфейсных модулях FM в общей базовой конфигурации. Среднечастотный транзистор PNP в пластиковом корпусе SOT23.МАРКИРОВКА ТИПОВЫЙ НОМЕР BF824 Примечание p: Сделано в Гонконге. т: Сделано в Малайзии. КОД МАРКИРОВКИ (1) F8 ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ В соответствии с Системой абсолютных максимумов (IEC 134).
BFQ18A : BFQ18A; NPN 4 ГГц широкополосный транзистор ;; Пакет: SOT89 (MPT3, UPAK). Файл продукта в разделе Discrete Semiconductors, SC14 Сентябрь 1995 г. NPN-транзистор в пластиковом корпусе SOT89, предназначенный для применения в толстых и тонкопленочных схемах.
Он в первую очередь предназначен для целей MATV. ПИН 2 3 Код: FF эмиттер коллектор база СИМВОЛ БЫСТРЫХ СПРАВОЧНЫХ ДАННЫХ VCBO VCEO IC Ptot fT Cre dim ПАРАМЕТР коллектор-база, напряжение коллектор-эмиттер.
CM30TF-24H : Модули Igbt коммутации средней мощности с изоляцией. : Модули Mitsubishi IGBT предназначены для использования в коммутационных приложениях. Каждый модуль состоит из шести IGBT в трехфазной мостовой конфигурации, причем каждый транзистор имеет обратно подключенный сверхбыстрый восстанавливающийся диод с нулевым ходом. Все компоненты и межкомпонентные соединения изолированы от опорной плиты с теплоотводом, что упрощает сборку системы и упрощает охлаждение.
DTA114G : слабый сигнал.Цифровой транзистор (встроенные резисторы). ! 1) Встроенные резисторы смещения состоят из тонкопленочных резисторов с полной изоляцией для обеспечения положительного смещения входа, а паразитные эффекты практически полностью устранены. 2) Для работы необходимо установить только условия включения / выключения, что упрощает проектирование устройства.
3) Может быть достигнута более высокая плотность монтажа. ! Внешние размеры (Единицы: мм) Параметр.
IRFD9024 : -60 В, одиночный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранной головкой в корпусе Hexdip.
IRHF57230SE : 200V 100kRad Hi-rel Одноканальный N-канал См. Упрочненный полевой МОП-транзистор в корпусе TO-205AF.
IXGh38N30B : Hiperfast Igbt. Символ VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBSOA) PC TJ TJM Tstg Условия испытаний до 150 ° C; RGE 1 МВт Непрерывный переходный процесс 1 мс VGE 15 В, TVJ 10 Вт Фиксированная индуктивная нагрузка, = 25 ° C Пакеты международного стандарта JEDEC TO-268 для поверхностей и JEDEC TO-247 AD Возможность работы с большими токами Процесс HDMOSTM новейшего поколения Включение MOS-затвора – простота привода .
KSA1242 : Эпитаксиальный кремниевый транзистор PNP. Усилитель средней мощности Применение вспышки камеры hFE = 100 ~ 320 (VCE = -0,5 В) hFE = 70 (мин.
) (VCE = -4 A) Низкое напряжение насыщения: VCE (насыщ.) = -1 В (макс.) Абсолютные максимальные номинальные значения TC = 25 ° C, если не указано иное Символ VCBO VCEO VEBO IC ICP PC TJ TSTG Параметр Коллектор-база Напряжение Коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Напряжение Коллектор Ток (DC) Коллектор.
03028-BX392AJMB : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, BX, 0.0039 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0603. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 0,0039 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Тип установки:.
ESM4045AV : 42 А, 450 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN.
RCWP02010000ZSEA99 : ПЕРЕМЫЧКА, МЕТАЛЛИЧЕСКОЕ СТЕКЛО / ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА, 0,05 Вт, 0 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0201.s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 0201, ЧИП, БЕЗ СВИНЦА; Диапазон сопротивления: 0,0 Ом; Номинальная мощность: 0,0500 Вт (6,70E-5 л.
с.); Рабочая температура: от -55 до 150 ° C (-67,
16R8LFM1630HAN411B : КРЫШКА, AL2O3, 6,8 мкФ, 50 В постоянного тока, 20% -ДОЛ, 20% + ДОЛ. iw X pil g nx Wiw pil kl i \ dnxi \ dq cf q dxi \ dnxi cw g ndfS dpdug q dnui \ dnxi S dpdug q dnui Wcf il dnui Qil cl w dnui S jdl duq y_ S o_a `a U yaz ya}` yaZ Vh q ildppf g udq g cn chl cf q dxi h cly wg nkq cw g ndfS dpdug q dnui \ dq cf q dxi ~ ya `az chq df ki dq ~ ya` aaay `az cilcpil q iw pil klh il dnxi] q ildppf g udq S `y dne lg ppf i ukl l inqdq ~.
226CKS250M : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 250 В, 22 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 22 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 250 вольт; Ток утечки: 205 мкА; СОЭ: 15071 миллиом; Тип установки: сквозное отверстие; Операционная.
3165W102P : RES, TAPPED, CERMET, 1K OHMS, 50WVDC, 25% +/- TOL, -250,250PPM TC, 1609 КОРПУС.
s: Тип потенциометра: Триммер.
8454-1 : 1 ЭЛЕМЕНТ, 1 мкГн, НИКЕЛЬ-ЦИНКОВЫЙ СЕРДЕЧНИК, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Основной материал: никель-цинк; Стиль отведения: Нет; Применение: общего назначения, ФИЛЬТР ДРОССЕЛЬ; Диапазон индуктивности: 1 мкГн; Номинальный постоянный ток: 500 миллиампер; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).
2N7002LTI 2N7002 115mA 60V N-Channel MosFET транзистор Siliconix
Стоимость доставки почтой первого класса:
| Минимальная сумма заказа | Сумма заказа Максимум | Стоимость доставки первого класса в США |
| 00 руб.01 | 25,00 $ | $ 5,85 |
25,01 долл. США | 35,00 | $ 6,85 |
| 35,01 долл. США | 45,00 | $ 8,85 |
| 45,01 долл. США | $ 55,00 | $ 9,85 |
| $ 55,01 | 75,01 $ | $ 11,85 |
| 75 долларов США.01 | 100,00 | $ 12,85 |
| $ 100,01 | 200,00 $ | $ 14,85 |
200,01 долл. США | 300,00 $ | $ 15,85 |
| 300,01 долл. США | 500,00 $ | $ 17,85 |
| 500,01 долл. США | + | 18 долларов.85 |
Стоимость доставки Priority Mail:
| Минимальная сумма заказа | Сумма заказа Максимум | Тарифы на доставку приоритетной почтой США |
| $ 00.01 | 25,00 $ | $ 10,50 |
25,01 долл. США | 35,00 | $ 11,50 |
| 35,01 долл. США | 45 долларов.00 | $ 12,50 |
| 45,01 долл. США | $ 55,00 | $ 13,50 |
| $ 55,01 | 75,01 $ | $ 14,50 |
| 75,01 долл. США | 100,00 | $ 16,50 |
| $ 100,01 | 200,00 $ | 18,50 $ |
200 долларов США. 01 | 300,00 $ | 21,50 долл. США |
| 300,01 долл. США | 500,00 $ | 24,50 долл. США |
| 500,01 долл. США | + | $ 25,50 |
Canada First Class International (исключения см. На странице доставки)
| Минимальная сумма заказа | Сумма заказа Максимум | Канада Первый класс Международный |
| 00 руб.01 | 45,00 | $ 15. 95 |
| 45,01 долл. США | 90,00 | $ 29.95 |
| $ 90,01 | 150,00 | $ 49.95 |
| 150,01 долл. США | 300,00 $ | $ 59.95 |
| 300,01 долл. США | 700,00 | 79 долларов.95 |
| 700,01 долл. США | 2000,00 $ | $ 99.95 |
Приоритетная почта Канады (исключения см. На странице «Доставка»)
| Минимальная сумма заказа | Сумма заказа Максимум | Приоритетная почта Канады |
$ 00. 01 | 45,00 | $ 29.95 |
| 45 долларов.01 | 90,00 | $ 39.95 |
| $ 90,01 | 150,00 | $ 59.95 |
| 150,01 долл. США | 300,00 $ | $ 79.95 |
| 300,01 долл. США | 700,00 | $ 99.95 |
| 700,01 долл. США | 2000,00 $ | 109 долларов.95 |
Международный – За пределами США / Калифорнии (исключения см.
На странице доставки)
| Минимальная сумма заказа | Сумма заказа Максимум | Международный – за пределами США / Калифорнии |
| $ 100,00 | 150,00 | $ 79.95 |
| 150,01 долл. США | 300,00 $ | 99 долларов.95 |
| 300,01 долл. США | 500,00 $ | $ 139.95 |
| 500,01 долл. США | 1000,00 $ | $ 169. 95 |
2N7002 МОП-транзистор, канал N, 115 мА, 60 В, 1,2 Ом, 10 В, 2,1 В, МОП-транзистор – Empire Electronics, Мумбаи
Полевой МОП-транзистор 2N7002, канал N, 115 мА, 60 В, 1,2 Ом, 10 В, 2,1 V, MOSFET – Empire Electronics, Мумбаи | ID: 20201245962Спецификация продукта
| Марка | Fairchild |
| Ток | 120 мА |
| Код товара | 2N7002 |
| Тип упаковки | SOT 23 3 |
| Канал | 1 канал |
| Состояние | Новое |
| Минимальное количество заказа | 100 |
Описание продукта
МОП-транзистор N-CHANNEL 60 В 115 мА.
2N7002 – это полевой транзистор с N-канальным режимом расширения, изготовленный с использованием высокой плотности ячеек и технологии DMOS. Он сводит к минимуму сопротивление в открытом состоянии, обеспечивая прочное, надежное и быстрое переключение. Он может использоваться в большинстве приложений, требующих постоянного тока до 400 мА, и может выдавать импульсные токи до 2 А. Подходит для низковольтных и слаботочных приложений, таких как управление небольшими серводвигателями и силовые полевые МОП-транзисторы. Дополнительная информация
| Код товара | 2N7002 |
| Срок поставки | ГОТОВЫЙ ЗАПАС |
| Упаковка Детали | БАРАБАН |
Заинтересовал этот товар? Получите актуальную цену у продавца
Связаться с продавцом
Изображение продукта
О компании
Год основания 1997
Юридический статус фирмы Партнерство Фирма
Характер бизнеса Оптовый торговец
Количество сотрудников До 10 человек
Участник IndiaMART с августа 2011 года
GST27AABFE3429J1ZH
, Тайвань, Чили, Экспорт, Тайвань, Чили Мы – известная компания, занимающаяся оптовой торговлей и розничной продажей качественного ассортимента проволочных резисторов, сверхбыстрых диодов, подстроечных резисторов, транзисторов NPN и т.
Д.Наши продукты известны своим безупречным качеством и длительным сроком службы.Видео компании
Вернуться к началу 1 Есть потребность?
Получите лучшую цену
Есть потребность?
Получите лучшую цену
Качественный транзистор 2n7002 для электронных проектов
Alibaba.2n7002 изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. Транзистор 2n7002 охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования.
Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзистор 2n7002 для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. Транзистор 2n7002 на Alibaba.com использует кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря своим превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. Транзистор 2n7002 для любого проекта включают в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.
Откройте для себя удивительно доступный. Транзистор 2n7002 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.
com предлагает большой выбор. Транзистор 2n7002 на выбор в соответствии с вашими конкретными потребностями. Транзистор 2n7002 являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный. транзистор 2n7002 , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет качественным и хорошо работать. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов.Транзистор 
В качестве усилителей. Транзистор 2n7002 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.
2N7002 МОП-транзистор 60 В, N-канал SMD SOT23
2N7002 МОП-транзистор, 60 В, N-канал, SMD SOT23 | Переключатель ЭлектроникаМагазин не будет работать корректно, если куки отключены.
Похоже, в вашем браузере отключен JavaScript. Для наилучшего взаимодействия с нашим сайтом обязательно включите Javascript в своем браузере.
Ссылочный код: 551627
На складе 478 шт. Закажите в течение0 часов 00 минут
для отправки сегодняОт 0 фунтов стерлингов.14
С НДСОт 0,12 £
Без НДС| Скидки на многократную покупку | |||
|---|---|---|---|
| 1+ | 0,14 £ С НДС | 0,12 £ Без НДС | |
| 50+ | 0,12 £ С НДС | 0 фунтов стерлингов. 10 Без НДС | Сохранить 17% |
| 100+ | £ 0,10 С НДС | 0,08 £ Без НДС | Сохранить 34% |
MOSFET-транзистор 2N7002 представляет собой транзистор для поверхностного монтажа с каналом N, поставляемый в корпусе SOT-23.MOSFET был разработан, чтобы минимизировать сопротивление в открытом состоянии и при этом поддерживать превосходные характеристики переключения, что делает его идеальным для приложений управления энергопотреблением с высоким КПД. Дополнительные технические характеристики см. В прилагаемом листе данных.
- Низкое сопротивление в открытом состоянии
- Низкое пороговое напряжение затвора
- Низкая входная емкость
- Высокая скорость переключения
- Малый корпус для поверхностного монтажа
- Подходит для приложений управления энергопотреблением с высокой эффективностью
- MOSFET 60V 115mA SOT23
| Производитель | Диоды Zetex |
|---|---|
| Тип | N-канал |
| Тип крепления | Поверхностный монтаж |
| Упаковка | СОТ23 |
| Максимальное напряжение затвора-истока | 2. 5 В |
| Максимальная рабочая температура | 150 ° С |
| Входная емкость | 50 пФ |
| Сброс источника при сопротивлении | 7,5 Ом |
