И не микросхема: Справочник “Цифровые Интегральные Микросхемы”

Содержание

Справочник “Цифровые Интегральные Микросхемы”

Справочник “Цифровые Интегральные Микросхемы” [ Содержание ]

2.4.2 Микросхемы типа ЛА, ЛИ

Чтобы рассмотреть схемотехнику, составим таблицу функций элементов И, И-НЕ для двух входов А и В (простейший вариант). Каждая переменная А и В моделируется электронным ключом, который можно замкнуть или разомкнуть. Если ключи соединены последовательно, то они работают согласно логике И: ток в цепи появится, если замкнуть оба ключа: и А и В. Если активными входными сигналами считать замыкание ключей А и В и назвать это событие логической 1, то, последовательно перебирая состояние этих ключей, составим таблицу входных и выходных данных для элементов И и И-НЕ.

Таблица состояний
Входные переменные		Выходная функция
А	B	И	НЕ-И
0	0	0	1
0	1	0	1
1	0	0	1
1	1	1	0

Рассмотрим способ реализации логической операции И-НЕ на элементах ТТЛ. На рис. 2.8, а приведена принципиальная схема двухвходового логического элемента И-НЕ.

Рис. 2.8.а. Принципиальная схема логического элемента.

Подавая от ключей S1 и S2 на входы А и В напряжение высокого В и низкого Н уровней, составим таблицу выходных уровней элемента.

Таблица состояний логического элемета
Вход		Выход Q(НЕ-И)	Вход		Выход Q(НЕ-И)
А	B	Выход Q(НЕ-И)	A	B	Выход Q(НЕ-И)
Н	Н	В	0	0	1
Н	В	В	0	1	1
В	Н	В	1	0	1
В	В	Н	1	1	0

Напряжение низкого уровня Н появляется на выходе Q, когда на обоих входах А и В присутствует высокое напряжение В. Условное графическое обозначение двухвходового логического элемента показано на рис 2.8, в

Рис 2.8.в. Условное обозначение элемента.

Среди простейших ИС ТТЛ преобладают элементы И, И-НЕ. Каждый из корпусов ИС типа ЛА и ЛИ содержит от двух до четырех логических элементов, а микросхемы ЛА2 и ЛА19 содержат по одному логическому элементу И-НЕ на восемь и двенадцать входов соответственно.

Цоколевки микросхем типа ЛА и ЛИ и их условные графические обозначения приведены на рис. 2.9, а основные параметры даны в табл. 2.3.

Рис 2.9. Условные обозначения и цоколевки микросхем ЛИ
Рис 2.9. Условные обозначения и цоколевки микросхем ЛА

Следует особо выделить группу микросхем, логические элементы которых имеют выходы с открытым коллектором (ЛА7…ЛА11, ЛА13. ЛА18), (ЛИ2, ЛИ4, ЛИ5). Схема двухвходового логического элемента И-НЕ с открытым коллектором показана на рис. 2.10, а.

Рис. 2.10а. Принципиальная схема логического элемента И-НЕ

Для формирования выходного перепада напряжения к выходу такого элемента необходимо подключить внешний нагрузочный резистор Rн. Такие микросхемы применяются для обслуживания сегментов индикаторов, зажигания ламп накаливания, светодиодов (рис. 2.10,б).

Рис. 2.10б. Схема подключения ламп накаливания и светодиодов

При необходимости в схемах можно использовать элемент ТТЛ с двухтактным выходом. Для некоторых микросхем с открытым коллекторным выходом (ЛА11) нагрузку можно подключать к более высоковольтному источнику питания (рис. 2.10,в).

Рис. 2.10в. Схема подключения нагрузки к высоковольтному источнику

Такое включение необходимо для зажигания газоразрядных и электролюминесцентных индикаторов. Выходы с открытого коллектора используют для подключения обмоток реле.

Выходы нескольких элементов с открытым коллектором можно присоединять к общей нагрузке Rн (рис. 2.10, г).

Рис. 2.10г. Схема подключения нескольких элементов к общей нагрузке

Такое подключение позволяет реализовать логическую функцию И, называемую «монтажное И». Схему (рис. 2.10. г) используют для расширения числа входов логического элемента.

Следует помнить, что двухтактные выходы ТТЛ нельзя соединять параллельно, это приводит к токовой перегрузке одного из элементов.

Многовходовые составные логические элементы с открытым коллектором и общим сопротивлением нагрузки Rн реализуются наиболее просто, однако они не позволяют получить предельное быстродействие. Более лучший способ увеличения числа входов осуществляется с помощью специальной микросхемы-расширителя, имеющей дополнительные выводы коллектора и эмиттера фазоразделительного каскада VT2 (рис. 2.11). Одноименные вспомогательные выводы нескольких таких элементов можно объединять.

Рис. 2.11а. Принципиальная схема 2И-НЕ с дополнительными выводами коллектора и эмиттера.

Рис. 2.11б. Условное обозначение расширителя и способ соединения нескольких микросхем.

Микросхема К531ЛА16 (магистральный усилитель) может передавать данные в линию с сопротивлением 50 Ом.

Микросхемы ЛА17, ЛА19 – это логические элементы И-НЕ с тремя состояниями на выходе, т.

е. они имеют дополнительный вход /ЕО (Enable output), дающий разрешение по выходу. На рис. 2.12 показана схема элемента, который имеет третье выходное состояние Z, когда выход размыкается.

Рис. 2.12. Принципиальная схема логического элемента с тремя состояниями на выходе.

Для этой цели в схему стандартного сложного инвертора ТТЛ вводится дополнительный инвертор DDI и диод VD2. Если на этот вход /ЕО подать от переключателя S1 напряжение высокого уровня – 1, то выходное напряжение инвертора DD1 станет низким, т. е. катод диода VD2 будет практически соединен с корпусом. Из-за этого коллектор транзистора VT2 будет иметь нулевой потенциал, т. е. транзистор VT2 будет закрыт. Транзисторы VT3 и VT4 будут находиться в режиме отсечки, т. е. оба закрыты. Следовательно, выходной вывод как бы «висит» в воздухе, микросхема переходит в состояние Z с очень большим выходным сопротивлением. Если на вход ЕО подается разрешающий низкий уровень – О, то логический элемент И-НЕ работает как в обычном режиме.

Таблица состояний логического элемента.
Вход		Выход
/EO	I	/Y
0	0 1	1 0
1	0 1	Z

Такие логические элементы разработаны специально для обслуживания проводника шины данных. Если к такому проводнику присоединить много выходов, находящихся в состоянии Z, то они не будут влиять друг на друга. Активным передающим сигналом должен быть лишь один логический элемент, только от его выхода в проводник шины данных будет поступать информация. Следовательно, соединенные вместе выходы не должны быть одновременно активными.

Чтобы сигналом разрешения (низкий уревень – О) , подаваемым на вход /EO, подключался к проводнику выход только одного логического элемента, необходимо предусмотреть дополнительный (защитный) временной интервал, т. е. переключать входы /ЕО различных элементов с паузой. Сигналы разрешения, даваемые выходам разных элементов, не должны перекрываться.

Микросхема К531ЛА19-это 12-входовый логический элемент И-НЕ с дополнительным инверсным входом /ЕО. Сигнал появится на его выходе, если на вход /ЕО подано напряжение низкого уровня – О. Выход логического элемента перейдет в разомкнутое состояние Z, если на вход /ЕО подается напряжение высокого уровня. В состоянии Z элемент потребляет ток Iпот.z=25 мА. Время задержки перехода выхода к разомкнутому состоянию tзд.1z= 16 нс, время задержки перехода выхода tзд.0z= 12 нс (от напряжения низкого выходного уровня), при условии, что Сн = 15 пФ [1].

Микросхема 7453

7453

Описание

Микросхема 7453 (74H53) содержит логический элемент 4ИЛИ-НЕ с расширяющими входами. Входы этого элемента соединены с выходами четырех двухвходовых элементов И (серия 7453) или трех двухвходовых и одного трехвходового элементов И (серия 74H53).

Работа схемы

На выходе Q (серия 7453) формируется напряжение низкого уровня лишь в том случае, когда на входы А и В, или С и D, или Е и F, или G и Н подается напряжение высокого уровня.

Расширяющие входы микросхемы 7453 (74H53) должны оставаться открытыми, если они не используются.

Интегральная микросхема серии 74H53 содержит один логический элемент И с тремя входами, а также три логических элемента И с двумя входами.

В технической литературе эти логические микросхемы 74H53 иногда обозначаются как схемы AOI (И-ИЛИ с инвертированием). Такое обозначение не очень удачно, поскольку логический элемент ИЛИ и инвертор вместе образуют логический элемент ИЛИ-НЕ. Так как в данной схеме выход логического элемента ИЛИ не выведен отдельно, его выходной сигнал всегда инвертируется, то есть в каждом случае реализуется функция ИЛИ-НЕ.

Применение

Реализация логических функций И-НЕ, ИЛИ-НЕ.

Производится следующая номенклатура микросхем: 7453, 74H53.

Технические данные
Тип микросхемы	7453
Время задержки прохождения сигнала, нс	10,5
Ток потребления, мА	5

Состояние микросхем 7453
Входы								Выход
A	B	C	D	E	F	G	H	Q
1	1	X	X	X	X	X	X	0
X	X	1	1	X	X	X	X	0
X	X	X	X	1	1	X	X	0
X	X	X	X	X	X	1	1	0
Все другие комбинации								1

Состояние микросхем 74H53
Входы									Выход
A	B	C	D	E	F	G	H	I	Q
1	1	X	X	X	X	X	X	X	0
X	X	1	1	X	X	X	X	X	0
X	X	X	X	1	1	1	X	X	0
X	X	X	X	X	X	X	1	1	0
Все другие комбинации									1

Логические элементы

В данной статье расскажем что такое логические элементы, рассмотрим самые простые логические элементы.

Любое цифровое устройство — персональный компьютер, или современная система автоматики состоит из цифровых интегральных микросхем (ИМС), которые выполняют определённые сложные функции. Но для выполнения одной сложной функции необходимо выполнить несколько простейших функций. Например, сложение двух двоичных чисел размером в один байт происходит внутри цифровой микросхемы называемой «процессор» и выполняется в несколько этапов большим количеством логических элементов находящихся внутри процессора. Двоичные числа сначала запоминаются в буферной памяти процессора, потом переписываются в специальные «главные» регистры процессора, после выполняется их сложение, запоминание результата в другом регистре, и лишь после результат сложения выводится через буферную память из процессора на другие устройства компьютера.

Процессор состоит из функциональных узлов: интерфейсов ввода-вывода, ячеек памяти – буферных регистров и «аккумуляторов», сумматоров, регистров сдвига и т.д. Эти функциональные узлы состоят из простейших логических элементов, которые, в свою очередь состоят из полупроводниковых транзисторов, диодов и резисторов. При конструировании простых триггерных и других электронных импульсных схем, сложные процессоры не применить, а использовать транзисторные каскады – «прошлый век». Тут и приходят на помощь – логические элементы.

Логические элементы, это простейшие «кубики», составные части цифровой микросхемы, выполняющие определённые логические функции. При этом, цифровая микросхема может содержать в себе от одного, до нескольких единиц, десятков, …и до нескольких сотен тысяч логических элементов в зависимости от степени интеграции. Для того, чтобы разобраться, что такое логические элементы, мы будем рассматривать самые простейшие из них. А потом, наращивая знания, разберёмся и с более сложными цифровыми элементами.

Начнём с того, что единица цифровой информации это «один бит». Он может принимать два логических состояния – логический ноль «0», когда напряжение равно нулю (низкий уровень), и состояние логической единицы «1», когда напряжение равно напряжению питания микросхемы (высокий уровень).

Поскольку простейший логический элемент это электронное устройство, то это означает, что у него есть входы (входные выводы) и выходы (выходные выводы). И входов и выходов может быть один, а может быть и больше.

Для того, чтобы понять принципы работы простейших логических элементов используется «таблица истинности». Кроме того, для понимания принципов работы логических элементов, входы, в зависимости от их количества обозначают: Х1, Х2, … ХN, а выходы: Y1, Y2, … YN.

Функции, выполняемые простейшими логическими элементами, имеют названия. Как правило, впереди функции ставится цифра, обозначающая количество входов. Простейшие логические элементы всегда имеют лишь один выход.

Рассмотрим простейшие логические элементы

— «НЕ» (NOT) – функция отрицания (инверсии сигнала). Потому его чаще называют — «инвертор». Графически, инверсия обозначается пустым кружочком вокруг вывода элемента (микросхемы). Обычно кружок инверсии ставится у выхода, но в более сложных логических элементах, он может стоять и на входе. Графическое обозначение элемента «НЕ» и его таблица истинности представлены на рисунке слева.

У элемента «НЕ» всегда один вход и один выход. По таблице истинности следует, что при наличии на входе элемента логического нуля, на выходе будет логическая единица. И наоборот, при наличии на входе логической единицы, на выходе будет логический ноль. Цифра «1» внутри прямоугольника обозначает функцию «ИЛИ», её принято рисовать и внутри прямоугольника элемента «НЕ», но это ровным счётом ничего абсолютно не значит.

Обозначение D1.1 означает, что D — цифровой логический элемент, 1 (первая) — номер микросхемы в общей схеме, 1 (вторая) — номер элемента в микросхеме. Точно также расшифровываются и другие логические элементы.

Часто, чтобы отличить цифровые микросхемы от аналоговых микросхем, применяют обозначения из двух букв: DD – цифровая микросхема, DA – аналоговая микросхема. В последующем, мы не будем заострять внимание на это обозначение, а вернёмся лишь тогда, когда это будет необходимым.

Самой распространённой микросхемой «транзисторно-транзисторной логики» (ТТЛ), выполняющей функцию «НЕ», является интегральная микросхема (ИМС) К155ЛН1, внутри которой имеется шесть элементов «НЕ». Нумерация выводов этой микросхемы показана справа.

— «И» (AND) – функция сложения (если на всех входах единица, то на выходе будет единица, в противном случае, если хотя бы на одном входе ноль, то и на выходе всегда будет ноль). В алгебре-логике элемент «И» называют «конъюнктор». Графическое обозначение элемента «2И» и его таблица истинности представлены слева.

Название элемента «2И» обозначает, что у него два входа, и он выполняет функцию «И». На схеме внутри прямоугольника микросхемы рисуется значок «&», что на английском языке означает «AND» (в переводе на русский — И).

По таблице истинности следует, что на выходе элемента «И» будет логическая единица только в одном случае — когда на обоих входах будет логическая единица. Если хотя бы на одном входе ноль, то и на выходе будет ноль.

Самой распространённой микросхемой «транзисторно-транзисторной логики» (ТТЛ), выполняющей функцию «2И», является интегральная микросхема (ИМС) К155ЛИ1, внутри которой имеется четыре элемента «2И». Нумерация выводов этой микросхемы показана справа.

Для того, чтобы вам было понятнее что такое «2И», «3И», «4И», и т.д., приведу графическое обозначение и таблицу истинности элемента «3И».

По таблице истинности следует, что на выходе элемента «3И» будет логическая единица только в том случае — когда на всех трёх входах будет логическая единица. Если хотя бы на одном входе будет логический ноль, то и на выходе элемента также будет логический ноль. Самой распространённой микросхемой ТТЛ, выполняющей функцию «3И», является микросхема К555ЛИ3, внутри которой имеется три элемента «3И».

— «И-НЕ» (NAND) – функция сложения с отрицанием (если на всех входах единица, то на выходе будет ноль, в противном случае на выходе всегда будет единица). Графическое обозначение элемента «2И-НЕ» и его таблица истинности приведены слева.

По таблице истинности следует, что на выходе элемента «2И-НЕ» будет логический ноль только в том случае, если на обоих входах будет логическая единица. Если хотя бы на одном входе ноль, то на выходе будет единица.

Самой распространённой микросхемой ТТЛ, выполняющей функцию «2И-НЕ», является ИМС К155ЛА3, а микросхемами КМОП (комплементарный металлооксидный полупроводник) – ИМС К561ЛА7 и К176ЛА7, внутри которых имеется четыре элемента «2И-НЕ». Нумерация выводов этих микросхем показана справа.

Сравнив таблицы истинности элемента «2И-НЕ» и элемента «2И» можно догадаться об эквивалентности схем:

Добавив к элементу «2И» элемент «НЕ» мы получили элемент «2И-НЕ». Так можно собрать схему, если нам необходим элемент «2И-НЕ», а у нас в распоряжении имеются только элементы «2И» и «НЕ».

И наоборот:

Добавив к элементу «2И-НЕ» элемент «НЕ» мы получили элемент «2И». Так можно собрать схему, если нам необходим элемент «2И», а у нас в распоряжении имеются только элементы «2И-НЕ» и «НЕ».

Аналогичным образом, путём соединения входов элемента «2И-НЕ» мы можем получить элемент «НЕ»:

Обратите внимание, что было введено новое в обозначении элементов – дефис, разделяющий правую и левую часть в названии «2И-НЕ». Этот дефис непременный атрибут при инверсии на выходе (функции «НЕ»).

— «ИЛИ» (OR) – функция выбора (если хотя бы на одном из входов – единица, то на выходе – единица, в противном случае на выходе всегда будет ноль). В алгебре-логике, элемент «ИЛИ» называют «дизъюнктор». Графическое обозначение элемента «2ИЛИ» и его таблица истинности приведены слева.

Самой распространённой микросхемой ТТЛ, выполняющей функцию «2ИЛИ», является ИМС К155ЛЛ1, внутри которой имеется четыре элемента «2ИЛИ». Нумерация выводов этой микросхемы показана справа.

Предположим, что нам в схеме необходим элемент, выполняющий функцию «2ИЛИ», но у нас есть в распоряжении только элементы «НЕ» и «2И-НЕ», тогда можно собрать схему, которая будет выполнять функцию «2ИЛИ»:

— «ИЛИ-НЕ» (NOR) – функция выбора (если хотя бы на одном из входов – единица, то на выходе – ноль, в противном случае на выходе всегда будет единица). Как вы поняли, элемент «ИЛИ-НЕ» выполняет функцию «ИЛИ», а потом инвертирует его функцией «НЕ».

Графическое обозначение элемента «2ИЛИ-НЕ» и его таблица истинности приведена слева.

Самой распространённой микросхемой ТТЛ, выполняющей функцию «2ИЛИ-НЕ», является ИМС К155ЛЕ1, а микросхемами КМОП – К561ЛЕ5 и К176ЛЕ5, внутри которых имеется четыре элемента «2ИЛИ-НЕ». Нумерация выводов этих микросхем показана справа.

Предположим, что нам в схеме необходим элемент, выполняющий функцию «2ИЛИ-НЕ», но у нас есть в распоряжении только элементы «НЕ» и «2И-НЕ», тогда можно собрать следующую схему, которая будет выполнять функцию «2ИЛИ-НЕ»:

По аналогии с элементом «2И-НЕ», путём соединения входов элемента «2ИЛИ-НЕ» мы можем получить элемент «НЕ»:

— «Исключающее ИЛИ» (XOR) — функция неравенства двух входов (если на обоих входах элемента одинаковые сигналы, то на выходе – ноль, в противном случае на выходе всегда будет единица). Операция, которую он выполняет, часто называют «сложение по модулю 2».

Графическое обозначение элемента «Исключающее ИЛИ» и его таблица истинности приведены слева.

Самой распространённой микросхемой ТТЛ, выполняющей функцию «Исключающее ИЛИ», является ИМС К155ЛП5, а микросхемами КМОП – К561ЛП2 и К176ЛП2, внутри которых имеется четыре элемента «Исключающее ИЛИ». Нумерация выводов этих микросхем показана справа.

Предположим, что нам в схеме необходим элемент, выполняющий функцию «Исключающее ИЛИ», но у нас есть в распоряжении только элементы «2И-НЕ», тогда можно собрать следующую схему, которая будет выполнять функцию «Исключающее ИЛИ»:

В цифровой схемотехнике процессоров главная функция — «Суммирование двоичных чисел», поэтому сложный логический элемент – «Сумматор» является неотъемлемой частью арифметико-логического устройства любого, без исключения процессора. Составной частью сумматора является набор логических элементов, выполняющих функцию «Исключающее ИЛИ с переносом остатка». Что это такое? В соответствии с наукой «Информатика», результатом сложения двух двоичных чисел, две единицы одного разряда дают ноль, при этом формируется «единица переноса» в следующий старший разряд, который участвует в операции суммирования в старшем разряде. Для этого в схему добавляется ещё один вывод «переноса» — «Р».

Графическое обозначение элемента «Исключающее ИЛИ с переносом» и его таблица истинности представлена слева.

Такая функция сложения одноразрядных чисел в простых устройствах обычно не используется, и как правило, интегрирована в состав одной микросхемы – сумматора, с минимальным количеством разрядов – четыре, для сложения четырехбитных чисел. По причине слабого спроса, промышленность таких логических элементов не выпускает. Поэтому, в случае необходимости, функцию «Исключающее ИЛИ с переносом» можно собрать по следующей схеме из элементов «2И-НЕ» и «2ИЛИ-НЕ», которая активно применяется как внутри простых сумматоров, так и во всех сложных процессорах (в том числе Pentium, Intel-Core, AMD и других, которые появятся в будущем):

Вышеперечисленные логические элементы выполняют статические функции, а на основе них строятся более сложные статические и динамические элементы (устройства): триггеры, регистры, счётчики, шифраторы, дешифраторы, сумматоры, мультиплексоры.

Список микросхем 7400 семейства | Викитроника вики

Зарубежный	Отечественный	Описание	Другие аналоги
00	ЛА3	4×2И-НЕ
01	ЛА8	4×2И-НЕ с открытым выходом L-типа
02	ЛЕ1	4×2ИЛИ-НЕ
03	ЛА9	4×2И-НЕ с открытым выходом L-типа
04	ЛН1	6×НЕ
05	ЛН2	6×НЕ с открытым выходом L-типа
06	ЛН3	6×НЕ с высоковольтным открытым выходом L-типа
07	ЛП9 ~ЛН4	6 буферов с высоковольтным открытым выходом L-типа
08	ЛИ1	4×2И
09		4×2И с ОК
10	ЛА4	3×3И-НЕ
11	ЛИ3	3×3И
12	ЛА10	3×3И-НЕ с открытым выходом L-типа
13	ТЛ1	2×4И-НЕ с триггерами Шмитта
14	ТЛ2	6×НЕ с триггерами Шмитта
15	ЛИ4	3×3И с ОК
16	ЛН5	6×НЕ с высоковольтным открытым выходом L-типа
17	ЛП4	6 буферов с высоковольтным выходом L-типа
18		2×4И-НЕ с триггерами Шмитта
19		6×НЕ с триггерами Шмитта
20	ЛА1	2×4И-НЕ
21	ЛИ6	2×4И
22	ЛА7	2×4И-НЕ с открытым выходом L-типа
23	ЛЕ2	2 элемента 4ИЛИ-НЕ со стробированием и расширением по ИЛИ
24		4×2И-НЕ gate gates with schmitt-trigger line-receiver inputs.
25	ЛЕ3	2 элемента 4ИЛИ-НЕ со стробированием
26	ЛА11	4 элемента 2И-НЕ с высоковольтными открытыми выходами L-типа
27	ЛЕ4	3×3ИЛИ-НЕ
28	ЛЕ5	4 буферных элемента 2ИЛИ-НЕ
30	ЛА2	8И-НЕ
31		6×delay elements
32	ЛЛ1	4×2ИЛИ
33		4 буферных элемента 2ИЛИ-НЕ с открытыми выходом L-типа
34	ЛИ9
36		4×2ИЛИ-НЕ (иная цоколёвка, нежели у 02)
37	ЛА12	4×2И-НЕ с высокой нагрузочной способностью
38	ЛА13	4×2И-НЕ с открытым выходом L-типа и высокой нагрузочной способностью
39		4×2И-НЕ с высокой нагрузочной способностью
40	ЛА6	2×4И-НЕ с высокой нагрузочной способностью
41		BCD to decimal decoder/Nixie tube driver
42	ИД6	BCD to decimal decoder
43		excess-3 to decimal decoder
44		excess-3-Gray code to decimal decoder
45	ИД24	Высоковольтный двоично-десятичный дешифратор
46		дешифратор-драйвер 7-сегм. индикатора с 30-вольтными открытыми выходами L-типа
47		дешифратор-драйвер 7-сегм. индикатора с 15-вольтными открытыми выходами L-типа
48		дешифратор-драйвер 7-сегм. индикатора с внутренними подтяжками
49		дешифратор-драйвер 7-сегм. индикатора с открытыми выходами L-типа
50	ЛР1	2 элемента 2+2И-2ИЛИ-НЕ, один расширяем по ИЛИ
51	ЛР11	2 элемента 2+2И-2ИЛИ-НЕ
52		expandable 4-wide 2-input AND-OR gate
53	ЛР3	Логический элемент 2+2+2+3И-4ИЛИ-НЕ, расширяемый по ИЛИ
54	ЛР13	4-wide 2-input AND-OR-invert gate
55		Логический элемент 4+4И-2ИЛИ-НЕ
(H)55	ЛР4	Логический элемент 4+4И-2ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ
56		50:1 frequency divider
57		60:1 frequency divider
58		2+3И-ИЛИ
59		2+3И-ИЛИ-НЕ
60	ЛД1	2 4-входовых расширителя по ИЛИ
61		3×3-input expander
62		3-2-2-3AND-OR expander
63		6 current sensing interface gates
64	ЛР9	4-2-3-2AND-OR-invert gate
65	ЛР10	4-2-3-2 input AND-OR-invert gate with open collector output
68		2×4 bit decade counters
69		2×4 bit binary counters
70		AND-gated positive edge triggered J-K flip-flop with preset and clear
(H)71		AND-or-gated J-K master-slave flip-flop with preset
(L)71		AND-gated R-S master-slave flip-flop with preset and clear
72	ТВ1	JKMS-триггер с логикой 3И на входе, а также асинхронными сбросом и установкой
73		2×J-K flip-flop with clear
74	ТМ2	2 DCMS-триггера с записью по фронту со сбросом и установкой
75	ТМ7	4 D-триггера с прямым и инверсным выходом
76	ТК3	2 JK-триггера со сбросом и установкой
77	ТМ5	4 D-триггера
(H)78		2×positive pulse triggered J-K flip-flop with preset, common clock, and common clear (different pinout than 74L78 / 74LS78)
(L)78		2×positive pulse triggered J-K flip-flop with preset, common clock, and common clear
(LS)78		2×negative edge triggered J-K flip-flop with preset, common clock, and common clear
79		2×D flip-flop
80	ИМ1	Одноразрядный полный сумматор
81	РУ1	Статическое ОЗУ со схемами управления 16×1
82	ИМ2	2-разрядный полный сумматор
83	ИМ3	4-разрядный полный сумматор
84	РУ3	Статическое ОЗУ 4×4
85	СП1	4-разрядныя схема сравнения 2-х чисел
86	ЛП5	4 2-входовых элемента исключающее ИЛИ
87		4-bit true/complement/zero/one element
88		256-bit read-only memory
89	РУ2	Статическое ОЗУ 16×4
90	ИЕ2	Двоично-десятичный счётчик из двух секций (2×5)
91		8-bit shift register, serial In, serial out, gated input
92	ИЕ4	Счётчик-делитель на 12 из двух секций (2×6)
93	ИЕ5	Двоичный счётчик 4 бита из двух секций (2×8)
94		4-bit shift register, 2×asynchronous presets
95	ИР1	4-разрядный сдвиговый регистр с параллельной загрузкой, параллельным выходом и последовательным входом
96		5-bit parallel-In/parallel-out shift register, asynchronous preset
97	ИЕ8	Делитель частоты с переменным коэффициентом деления
98		4-bit data selector/storage register
99		4-bit bidirectional universal shift register
100	ТК7	2 триггера
101		AND-or-gated J-K negative-edge-triggered flip-flop with preset
102		AND-gated J-K negative-edge-triggered flip-flop with preset and clear
103		2×J-K negative-edge-triggered flip-flop with clear
104		JKMS-триггер
105		JKMS-триггер
106		2×J-K negative-edge-triggered flip-flop with preset and clear
107	ТВ6	2×J-K flip-flop with clear
107A		2×J-K negative-edge-triggered flip-flop with clear
108		2×J-K negative-edge-triggered flip-flop with preset, common clear, and common clock
109	ТВ15	2 JKMS-триггера с записью по фронту, инверсным входом K и асинхронным сбросом и установкой
110		AND-gated J-K master-slave flip-flop with data lockout
111		2×J-K master-slave flip-flop with data lockout
112	ТВ9	2×J-K negative-edge-triggered flip-flop with clear and preset
113	ТВ10	2×J-K negative-edge-triggered flip-flop with preset
114	ТВ11	2×J-K negative-edge-triggered flip-flop with preset, common clock and clear
116		2×4-bit latch with clear
118		6×set/reset latch
119		6×set/reset latch
120		2×pulse synchronizer/drivers
121	АГ1	Одновибратор с логическим элементом на входе
122		retriggerable monostable multivibrator with clear
123	АГ3	2 одновибратора с повторным запуском
124	ГГ1	2 генератора управляемые напряжением
125	ЛП8	4 буфера с тремя состояниями на выходе и инверсным разрешением
126		4 буфера с прямым разрешением выхода
128	ЛЕ6	4×2ИЛИ-НЕ с магистральными усилителями
130		4×2И gate buffer with 30 v open collector outputs
131		4×2И gate buffer with 15 v open collector outputs
132	ТЛ3	4×2И-НЕ с триггерам Шмитта
133		13И-НЕ gate
134	ЛА19	12И-НЕ gate with three-state output
135		4×exclusive-or/NOR gate
136	ЛЛ3	4×2искл. ИЛИ с открытым коллектором (стоком)
137		3 to 8-line decoder/demultiplexer with address latch
138	ИД7	3 to 8-line decoder/demultiplexer
139	ИД14	2 дешифратора / демультиплексора 2 в 4
140	ЛА6	2×4И-НЕ line driver
141	ИД1	Двоично-десятичный дешифратор с высоковольтными выходами для газоразрядных индикаторов
142		decade counter/latch/decoder/driver for Nixie tubes
143		decade counter/latch/decoder/7-segment driver, 15 ma constant current
144		decade counter/latch/decoder/7-segment driver, 15 v open collector outputs
145	ИД10	Двоично-десятичный дешифратор
147		10-line to 4-line priority encoder
148	ИВ1	Приоритетный шифратор 8 в 3
150	КП1	Мультиплексор на 16 каналов со стробированием
151	КП7	Мультиплексор на 8 каналов со стробированием
152	КП5	Мультиплексор на 8 каналов
153	КП2	Сдвоенный мультиплексор на 4 канала
154	ИД3	Дешифратор-демультиплексор 4 в 16
155	ИД4	Сдвоенный дешифратор-демультиплексор 2 в 4
156		2×2-line to 4-line decoder/demultiplexer with open collector outputs
157		4×2-line to 1-line data selector/multiplexer, noninverting
158		4×2-line to 1-line data selector/multiplexer, inverting
159		4-line to 16-line decoder/demultiplexer with open collector outputs
160	ИЕ9	Синхронный декадный счётчик с асинхронным сбросом
161	ИЕ10	Синхронный 4-разрядный двоичный счётчик с асинхронным сбросом
162		synchronous 4-bit decade counter with synchronous clear
163		synchronous 4-bit binary counter with synchronous clear
164	ИР8	8-bit parallel-out serial shift register with asynchronous clear
165	ИР9	8-bit serial shift register, parallel Load, complementary outputs
166		parallel-Load 8-bit shift register
167		synchronous decade rate multiplier
168	ИЕ16	synchronous 4-bit up/down decade counter
169	ИЕ17	synchronous 4-bit up/down binary counter
170	ИР32 РП1	Регистровый файл 4×4 с открытыми выходами L-типа
172	РП3	Многопортовая регистровая память с тремя состояниями на выходе 8×2
173	ИР15	4-разрядный регистр с тремя состояниями
174	ТМ9	6×d flip-flop with common clear
175	ТМ8	4×d edge-triggered flip-flop with complementary outputs and asynchronous clear
176		presettable decade (bi-quinary) counter/latch
177		presettable binary counter/latch
178		4-bit parallel-access shift register
179		4-bit parallel-access shift register with asynchronous clear and complementary Qd outputs
180	ИП2	8(9)-разрядная схема контроля чётности / нечётности
181	ИП3	4-разрядное арифметико-логическое устройство
182	ИП4	4-разрядный схема ускоренного переноса
183		2×carry-save full adder
184	ПР6	Преобразователь двоично-десятичного кода в двоичный
185	ПР7	Преобразователь двоичного кода в двоично-десятичный
186		512-bit (64×8) read-only memory with open collector outputs
187	РЕ21—24	1кбит ПЗУ (256×4) с открытыми выходами L-типа
188		256-bit (32×8) programmable read-only memory with open collector outputs
189		64-bit (16×4) ram with inverting three-state outputs
190		synchronous up/down decade counter
191		synchronous up/down binary counter
192	ИЕ6	Синхронный реверсивный декадный счётчик с параллельной загрузкой
193	ИЕ7	Синхронный реверсивный 4-разрядный двоичный счётчик с параллельной загрузкой
194	ИР11	4-bit bidirectional universal shift register
195	ИР12	4-bit parallel-access shift register
196	ИЕ14	Асинхронный двоично-десятичный счётчик с установкой
197	ИЕ15	Асинхронный 4-разрядный двоичный счётчик с установкой
198	ИР13	8-разрядный двунаправденный сдвиговый регистр
199		8-bit bidirectional universal shift register with J-Not-K serial inputs
200		256-bit ram with three-state outputs
201		256-bit (256×1) ram with three-state outputs
206		256-bit ram with open collector outputs
209		1024-bit (1024×1) ram with three-state output
210		8×buffer
219		64-bit (16×4) ram with noninverting three-state outputs
221		2×monostable multivibrator with schmitt trigger input
222		16 by 4 synchronous FIFO memory with three-state outputs
224		16 by 4 synchronous FIFO memory with three-state outputs
225		asynchronous 16×5 FIFO memory
226		4-bit parallel latched bus transceiver with three-state outputs
230		8×buffer/driver with three-state outputs
232		4×NOR Schmitt trigger
237		1-of-8 decoder/demultiplexer with address latch, active high outputs
238		1-of-8 decoder/demultiplexer, active high outputs
239		2×2-of-4 decoder/demultiplexer, active high outputs
240	АП3	8×buffer with Inverted three-state outputs
241	АП4	8×buffer with noninverted three-state outputs
242	ИП6	4×bus transceiver with Inverted three-state outputs
243	ИП7	4×bus transceiver with noninverted three-state outputs
244		8×buffer with noninverted three-state outputs
245	АП6	8×bus transceiver with noninverted three-state outputs
246		BCD to 7-segment decoder/driver with 30 v open collector outputs
247		BCD to 7-segment decoder/driver with 15 v open collector outputs
248		BCD to 7-segment decoder/driver with Internal Pull-up outputs
249		BCD to 7-segment decoder/driver with open collector outputs
251	КП15	8-line to 1-line data selector/multiplexer with complementary three-state outputs
253	КП12	2×4-line to 1-line data selector/multiplexer with three-state outputs
255		2×4-bit addressable latch
256		2×4-bit addressable latch
257	КП11	Счетверёный мультиплексор на 2 канала с тремя состояниями на выходе
258	КП14	4×2-line to 1-line data selector/mulitplexer with Inverted three-state outputs
259		8-bit addressable latch
260	ЛЕ7	2×5ИЛИ-НЕ gate
261	ИП8	2-bit by 4-bit parallel binary multiplier
265		4×complementary output elements
266		4×2-input XNOR gate with open collectoroutputs
270		2048-bit (512×4) read only memory with open collector outputs
271		2048-bit (256×8) read only memory with open collector outputs
273		8-bit register with reset
274		4-bit by 4-bit binary multiplier
275		7-bit slice Wallace tree
276		4×J-Not-K edge-triggered Flip-Flops with separate clocks, common preset and clear
278		4-bit cascadeable priority registers with latched data inputs
279	ТР2	4×set-reset latch
280		9-bit odd/even Parity bit Generator/checker
281		4-bit parallel binary accumulatOR
283	ИМ6	4-bit binary Full adder
284		4-bit by 4-bit parallel binary multiplier (low order 4 bits of product)
285		4-bit by 4-bit parallel binary multiplier (high order 4 bits of product)
287		1024-bit (256×4) programmable read-only memory with three-state outputs
288		256-bit (32×8) programmable read-only memory with three-state outputs
289		64-bit (16×4) RAM with open collector outputs
290		decade counter (separate divide-by-2 and divide-by-5 sections)
291		4-bit universal shift register, binary up/down counter, synchronous
292		programmable frequency divider/digital timer
293		4-bit binary counter (separate divide-by-2 and divide-by-8 sections)
294		programmable frequency divider/digital timer
295	ИР16	4-bit bidirectional register with three-state outputs
297		digital phase-locked-loop filter
298	КП13	4×2-input multiplexer with storage
299	ИР24	8-bit bidirectional universal shift/storage register with three-state outputs
301	РУ6	Статическое ОЗУ (256×1) с открытыми выходами L-типа
309		1024-bit (1024×1) random access memory with open collector output
310		8×buffer with Schmitt trigger inputs
314		1024-bit random access memory
320		crystal controlled oscillator
322	ИР28	8-bit shift register with sign extend, three-state outputs
323		8-bit bidirectional universal shift/storage register with three-state outputs
324		voltage controlled oscillator (OR crystal controlled)
340		8×buffer with Schmitt trigger inputs and three-state inverted outputs
341		8×buffer with Schmitt trigger inputs and three-state noninverted outputs
344		8×buffer with Schmitt trigger inputs and three-state noninverted outputs
348		8 to 3-line priority encoder with three-state outputs
350		4-bit shifter with three-state outputs
351		2×8-line to 1-line data selectors/multiplexers with three-state outputs and 4 common data inputs
352		2×4-line to 1-line data selectors/multiplexers with inverting outputs
353		2×4-line to 1-line data selectors/multiplexers with inverting three-state outputs
354		8 to 1-line data selector/multiplexer with transparent latch, three-state outputs
356		8 to 1-line data selector/multiplexer with edge-triggered register, three-state outputs
358	ИМ7
361		bubble memory function timing generator
362		four-phase clock generator/driver
365	ЛП10	6 буферов с тремя состояниями на выходе и логикой ИЛИ-НЕ на входе разрешения
366	ЛН6	6 инвертирующих буферов тремя состояниями на выходе и логикой ИЛИ-НЕ на входе разрешения
367	ЛП11	6 буферов с тремя состояниями на выходе и двумя входами рарешения (4+2)
368		6 инвертирующих буферов тремя состояниями на выходе и двумя входами рарешения (4+2)
370		2048-bit (512×4) read-only memory with three-state outputs
371		2048-bit (256×8) read-only memory with three-state outputs
373	ИР22	8-разрядная защёлка с разрешением выхода
374	ИР23	8-разрядный регистр с разрешением выхода
375		4×bistable latch
376		4×J-Not-K flip-flop with common clock and common clear
377	ИР27	8-разрядный буферный регистр с разрешением записи
378		6-bit register with clock enable
379		4-bit register with clock enable and complementary outputs
380		8-bit multifunction register
381	ИК2	4-bit arithmetic logic unit/function generator with generate and propagate outputs
382		4-bit arithmetic logic unit/function generator with ripple carry and overflow outputs
384	ИП9
385	ИМ7	4×4-bit adder/subtractor
386		4×2искл. ИЛИ
387		1024-bit (256×4) programmable read-only memory with open collector outputs
388		4-bit register with standard and three-state outputs
390		2×4-bit decade counter
393		2×4-bit binary counter
395	ИР25	4-bit universal shift register with three-state outputs
398		4×2-input mulitplexers with storage and complementary outputs
399		4×2-input mulitplexer with storage
408		8-bit parity tree
412		multi-mode buffered 8-bit latches with three-state outputs and clear
423		2×retriggerable monostable multivibrator
424		two-phase clock generator/driver
425		4×gates with three-state outputs and active low enables
426		4×gates with three-state outputs and active high enables
428		system controller for 8080a
438		system controller for 8080a
440		4×tridirectional bus transceiver with noninverted open collector outputs
441		4×tridirectional bus transceiver with Inverted open collector outputs
442		4×tridirectional bus transceiver with noninverted three-state outputs
443		4×tridirectional bus transceiver with Inverted three-state outputs
444		4×tridirectional bus transceiver with Inverted and noninverted three-state outputs
448		4×tridirectional bus transceiver with Inverted and noninverted open collector outputs
450		16-to-1 multiplexer with complementary outputs
451		2×8-to-1 multiplexer
452		2×decade counter, synchronous
453		2×binary counter, synchronous
453		4×4-to-1 multiplexer
454		2×decade up/down counter, synchronous, preset input
455		2×binary up/down counter, synchronous, preset input
456		NBCD (Natural binary coded decimal) adder
460		bus transfer switch
461		8-bit presettable binary counter with three-state outputs
462		fiber-optic link transmitter
463		fiber-optic link receiver
465		8×buffer with three-state outputs
468		2×mos-to-ttL level converter
470		2048-bit (256×8) programmable read-only memory with open collector outputs
471		2048-bit (256×8) programmable read-only memory with three-state outputs
472		programmable read-only memory with open collector outputs
473		programmable read-only memory with three-state outputs
474		programmable read-only memory with open collector outputs
475		programmable read-only memory with three-state outputs
481		4-bit slice processor elements
482	ВГ1	4-bit slice expandable control elements
484		BCD-to-binary converter
485		binary-to-BCD converter
490		2×decade counter
491		10-bit binary up/down counter with limited preset and three-state outputs
498		8-bit bidirectional shift register with parallel inputs and three-state outputs
508		8-bit multiplier/divider
520		8-bit comparator
521		8-bit comparator
526		fuse programmable identity comparator, 16 bit
527		fuse programmable identity comparator, 8 bit + 4 bit conventional Identity comparator
528		fuse programmable Identity comparator, 12 bit
531		8×transparent latch with 32 ma three-state outputs
532		8×register with 32 ma three-state outputs
533		8×transparent latch with inverting three-state Logic outputs
534		8×register with inverting three-state outputs
535		8×transparent latch with inverting three-state outputs
536		8×register with inverting 32 ma three-state outputs
537		BCD to decimal decoder with three-state outputs
538		1 of 8 decoder with three-state outputs
539		2×1 of 4 decoder with three-state outputs
540		inverting 8×buffer with three-state outputs
541		non-inverting 8×buffer with three-state outputs
558		8-bit by 8-bit multiplier with three-state outputs
560		4-bit decade counter with three-state outputs
561		4-bit binary counter with three-state outputs
563		8-bit d-type transparent latch with inverting three-state outputs
564		8-bit d-type edge-triggered register with inverting three-state outputs
568		decade up/down counter with three-state outputs
569		binary up/down counter with three-state outputs
573		8-разрядная защёлка с разрешением выхода (иная цоколёвка, нежели 373)
574		8-разрядный регистр с разрешением выхода (иная цоколёвка, нежели 374)
575		8×D-type flip-flop with synchronous clear, three-state outputs
576		8×D-type flip-flop with inverting three-state outputs
577		8×D-type flip-flop with synchronous clear, inverting three-state outputs
580		8×transceiver/latch with inverting three-state outputs
589		8-bit shift register with input latch, three-state outputs
590		8-bit binary counter with output registers and three-state outputs
592		8-bit binary counter with input registers
593		8-bit binary counter with input registers and three-state outputs
594		serial-in shift register with output registers
595		serial-in shift register with output latches
596		serial-in shift register with output registers and open collector outputs
597		serial-out shift register with input latches
598		shift register with input latches
600		dynamic memory refresh controller, transparent and burst modes, for 4K or 16K drams
601		dynamic memory refresh controller, transparent and burst modes, for 64K drams
602		dynamic memory refresh controller, cycle steal and burst modes, for 4K or 16K drams
603		dynamic memory refresh controller, cycle steal and burst modes, for 64K drams
604		8×2-input multiplexer with latch, high-speed, with three-state outputs
605		8×2-input mulitplexer with latch, high-speed, with open collector outputs
606		8×2-input mulitplexer with latch, glitch-free, with three-state outputs
607		8×2-input mulitplexer with latch, glitch-free, with open collector outputs
608		memory cycle controller
610		memory mapper, latched, three-state outputs
611		memory mapper, latched, open collector outputs
612		memory mapper, three-state outputs
613		memory mapper, open collector outputs
620		8×bus transceiver, inverting, three-state outputs
621		8×bus transceiver, noninverting, open collector outputs
622		8×bus transceiver, inverting, open collector outputs
623		8×bus transceiver, noninverting, three-state outputs
624		voltage-controlled oscillator with enable control, range control, two-phase outputs
625		2×voltage-controlled oscillator with two-phase outputs
626		2×voltage-controlled oscillator with enable control, two-phase outputs
627		2 ГУН
628		voltage-controlled oscillator with enable control, range control, external temperature compensation, and two-phase outputs
629		2×voltage-controlled oscillator with enable control, range control
630	ВЖ1	16-bit error detection and correction (EDAC) with three-state outputs
631		16-bit error detection and correction with open collector outputs
632		32-bit error detection and correction
638		8×bus transceiver with inverting three-state outputs
639		8×bus transceiver with noninverting three-state outputs
640		8×bus transceiver with inverting three-state outputs
641		8×bus transceiver with noninverting open collector outputs
642		8×bus transceiver with inverting open collector outputs
643		8×bus transceiver with mix of inverting and noninverting three-state outputs
644		8×bus transceiver with mix of inverting and noninverting open collector outputs
645		8×bus transceiver
646		8×bus transceiver/latch/multiplexer with noninverting three-state outputs
647		8×bus transceiver/latch/multiplexer with noninverting open collector outputs
648		8×bus transceiver/latch/multiplexer with inverting three-state outputs
649		8×bus transceiver/latch/multiplexer with inverting open collector outputs
651		8×bus transceiver/register with inverting three-state outputs
652		8×bus transceiver/register with noninverting three-state outputs
653		8×bus transceiver/register with inverting three-state and open collector outputs
654		8×bus transceiver/register with noninverting three-state and open collector outputs
658		8×bus transceiver with Parity, inverting
659		8×bus transceiver with Parity, noninverting
664		8×bus transceiver with Parity, inverting
665		8×bus transceiver with Parity, noninverting
668		synchronous 4-bit decade Up/down counter
669		synchronous 4-bit binary Up/down counter
670	ИР26	Регистровый файл 4×4 с тремя состояниями на выходе
671		4-bit bidirectional shift register/latch /multiplexer with three-state outputs
672		4-bit bidirectional shift register/latch/multiplexer with three-state outputs
673		16-bit serial-in serial-out shift register with output storage registers, three-state outputs
674		16-bit parallel-in serial-out shift register with three-state outputs
677		16-bit address comparator with enable
678		16-bit address comparatOR with latch
679		12-bit address comparatOR with latch
680		12-bit address comparatOR with enable
681		4-bit parallel binary accumulatOR
682		8-bit magnitude comparator
683		8-bit magnitude comparatOR with open collector outputs
684		8-bit magnitude comparatOR
685		8-bit magnitude comparatOR with open collector outputs
686		8-bit magnitude comparatOR with enable
687		8-bit magnitude comparatOR with enable
688		8-bit equality comparatOR
689		8-bit magnitude comparatOR with open collector outputs
690		three state outputs
691		4-bit binary counter/latch/multiplexer with asynchronous reset, three-state outputs
692		4-bit decimal counter/latch/multiplexer with synchronous reset, three-state outputs
693		4-bit binary counter/latch/multiplexer with synchronous reset, three-state outputs
694		4-bit decimal counter/latch/multiplexer with synchronous and asynchronous resets, three-state outputs
695		4-bit binary counter/latch/multiplexer with synchronous and asynchronous resets, three-state outputs
696		4-bit decimal counter/register/multiplexer with asynchronous reset, three-state outputs
697		4-bit binary counter/register/multiplexer with asynchronous reset, three-state outputs
698		4-bit decimal counter/register/multiplexer with synchronous reset, three-state outputs
699		4-bit binary counter/register/multiplexer with synchronous reset, three-state outputs
716		programmable decade counter
718		programmable binary counter
724		voltage controlled multivibratOR
740		8×buffer/Line driver, inverting, three-state outputs
741		8×buffer/Line driver, noninverting, three-state outputs, mixed enable polarity
744		8×buffer/Line driver, noninverting, three-state outputs
748		8-входовой приортиетный шифратор
779		8-bit bidirectional binary counter (3-state)
783		synchronous address mulitplexer
790		error detection and correction (EDAC)
794		8-bit register with readback
795		8×buffer with three-state outputs
796		8×buffer with three-state outputs
797		8×buffer with three-state outputs
798		8×buffer with three-state outputs
804		6×2И-НЕ drivers
805		6×2ИЛИ-НЕ drivers
808		6×2И drivers
832		6×2ИЛИ drivers
848		8 to 3-line priority encoder with three-state outputs
873		8×transparent latch
874		8×d-type flip-flop
876		8×d-type flip-flop with inverting outputs
878		2×4-bit d-type flip-flop with synchronous clear, noninverting three-state outputs
879		2×4-bit d-type flip-flop with synchronous clear, inverting three-state outputs
880		8×transparent latchwith inverting outputs
882		32-bit lookahead carry generator
888		8-bit slice processor
926		4-digit counter/display driver
935		3. 5-digit digital voltmeter (DVM) support chip for multiplexed 7-segment displays
936		3.75-digit digital voltmeter (DVM) support chip for multiplexed 7-segment displays
1005		6×inverting buffer with open-collector output
1035		6×noninverting buffers with open-collector outputs
2960		error detection and correction (EDAC)
2961		edac bus buffer, inverting
2962		edac bus buffer, noninverting
2968		dynamic memory controller
2969		memory timing controller for use with EDAC
2970		memory timing controller for use without EDAC
4002		2×4ИЛИ-НЕ
4015		2×4-bit shift registers
4017		5-stage ÷10 Johnson counter
4020		14-stage binary counter
4024		7 stage ripple carry binary counter
4028		BCD to decimal decoder
4040		12-stage binary ripple counter
4046		phase-locked loop and voltage-controlled oscillator
4049		6 НЕ с буфером
4050		6×buffer/converter (non-inverting)
4051		high-speed CMOS 8-channel analog mulitplexer/demultiplexer
4052		2×4-channel analog multiplexer/demultiplexers
4053		3×2-channel analog multiplexer/demultiplexers
4059		programmable divide-by-N counter
4060		14-stage binary ripple counter with oscillator
4066		4×bilateral switches
4067		16-channel analog multiplexer/demultiplexer
4075		3×3ИЛИ
4078		8ИЛИ/ИЛИ-НЕ
4094		8-bit three-state shift register/latch
4316		4 аналоговых ключа
4511		Дешифратор 7-сегментного индикатора
4520		2×4-разрядных двоичных счётчика
4538		2×retriggerable precision monostable multivibrator
7007		6 буферов
7266		4×2искл. ИЛИ-НЕ
29841		10-bit bus-interface D-type latch with 3-state outputs
40103		presettable 8-bit synchronous down counter
40105		4-bit by 16-word FIFO register
	АП1	Формирователь разрядной записи
	АП5	2 формирователя сигналов с тремя состояниями	SN75113
	ИД8	Дешифратор для управления неполной матрицей 7 х 5 точек
	ИД9	Дешифратор для управления дискретной матрицей на светодиодах
	ИД11	Позиционный дешифратор 3 в 8 для управления светодиодной шкалой (1 точка)
	ИД12	Позиционный дешифратор 3 в 8 для управления светодиодной шкалой (2 точки)
	ИД13	Гистограммный дешифратор 3 в 8 для управления светодиодной шкалой
	ИД15	Дешифратор для управления линейной светоизлучающей шкалой красного цвета
	ИЕ1	Декадный счетчик с фазоимпульсным представлением информации
	ИК1		Аm25S05
	ИР17	12-разрядный регистр последовательного приближения	Am2504
	ИР18		Аm25S07
	ИР19		Аm25S08
	ИР20		Аm25S09
	ИР21		Аm25S10
	ЛА18	2×2И-НЕ с мощным открытым выходом L-типа	SN75452
	ЛД3	8-входовой расширитель по ИЛИ
	ЛИ5	2×2И с мощным открытым выходом L-типа	SN75451
	ЛЛ2	Формирователь втекающего тока	SN75453
	ЛП7	Два логических элемента 2И-НЕ с общим входом и двумя мощными транзисторами	SN75450
	ПП5	Преобразователь двоичного кода в код семисегментного индикатора
	РЕ3	Программируемое ПЗУ емкостью 256 бит (32×8)	82S23
	РЕ4	ПЗУ (2К×8)	6275-1
	РУ5	Статическое ОЗУ со схемами разрядного и адресного управления (256×1)	93410
	РУ7	Статическое ОЗУ (1024×1) со схемами управления	93425А
	УД1	ОУ широкого применения (неясно, как он попал в серию 155)	SN72709
	ХЛ1	Многофункциональный элемент для ЭВМ

Серия 1554 | Интеграл

Обозначение	Прототип	Функциональное назначение	Категория качества	Тип корпуса
1554ТМ8ТБМ	54AC175	Четыре D-триггера с общими входами управления и сброса	ВП, ОСМ	402. 16-32
1554ТМ9ТБМ	54AC174	Шесть D-триггеров	ВП, ОСМ	402.16-32
1554ТР2ТБМ	54AC279	Четыре R-S триггера	ВП, ОСМ	402.16-32
1554КП12ТБМ	54AC253	Два селектора-мультиплексора 4-1 с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	402. 16-32
1554КП14ТБМ	54AC258	Четыре селектора-мультиплексора 2-1 с тремя состояниями и инверсией на выходе	ВП, ОСМ	402.16-32
1554КП15ТБМ	54AC251	Селектор-мультиплексор 8-1 с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	402.16-32
1554КП16ТБМ	54AC157	Четыре селектора-мультиплексора 2-1	ВП, ОСМ	402. 16-32
1554КП18ТБМ	54AC158	Четыре селектора-мультиплексора 2-1 с инверсией на выходе	ВП, ОСМ	402.16-32
1554ЛА1ТБМ	54AC20	Два логических элемента “4И-НЕ”	ВП, ОСМ	401.14-5
1554ЛА2ТБМ	54AC30	Логический элемент “8И-НЕ”	ВП, ОСМ	401. 14-5
1554ЛА3ТБМ	54AC00	Четыре логических элемента “2И-НЕ”	ВП, ОСМ	401.14-5
1554ЛА4ТБМ	54AC10	Три логических элемента”3И-НЕ”	ВП, ОСМ	401.14-5
1554ЛЕ1ТБМ	54AC02	Четыре логических элемента “2ИЛИ-НЕ”	ВП, ОСМ	401. 14-5
1554ЛИ1ТБМ	54AC08	Четыре логических элемента “2И”	ВП, ОСМ	401.14-5
1554ЛИ3ТБМ	54AC11	Три логических элемента “3И”	ВП, ОСМ	401.14-5
1554ЛИ6ТБМ	54AC21	Два логических элемента “4И”	ВП, ОСМ	401.14-5
1554ЛИ9ТБМ	54AC34	Шесть логических повторителей	ВП, ОСМ	401. 14-5
1554ЛЛ1ТБМ	54AC32	Четыре логических элемента “2ИЛИ”	ВП, ОСМ	401.14-5
1554ЛН1ТБМ	54AC04	Шесть логических элементов “НЕ”	ВП, ОСМ	401.14-5
1554ЛН2УБМ	TC7S04	Единичный инвертор	ВП	01.06.5221
1554ЛП5ТБМ	54AC86	Четыре двухвходовых логических элемента “Исключающее ИЛИ”	ВП, ОСМ	401. 14-5
1554ЛП8ТБМ	54AC125	Четыре буферных элемента с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	401.14-5
1554ЛР11ТБМ	54AC51	Логические элементы “2-2И-2ИЛИ-НЕ” и “3-3И-2ИЛИ-НЕ”	ВП, ОСМ	401.14-5
1554ЛР13ТБМ	54AC54	Логический элемент “3-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ”	ВП, ОСМ	401. 14-5
1554СП1ТБМ	54AC85	Схема сравнения двух четырехразрядных чисел	ВП, ОСМ	402.16-32
1554ТВ9ТБМ	54AC112	Два J-K триггера с управлением отрицательным фронтом по тактовому входу	ВП, ОСМ	402.16-32
1554ТВ15ТБМ	54AC109	Два J-K триггера с управлением положительным фронтом по тактовому входу	ВП, ОСМ	402. 16-32
1554ТЛ2ТБМ	54AC14	Шесть инверторов Шмитта	ВП, ОСМ	401.14-5
1554ТМ2ТБМ	54AC74	Два D-триггера с установкой и сбросом	ВП, ОСМ	401.14-5
1554АП3ТБМ	54AC240	Два четырехканальных формирователя с тремя состояниями и инверсией на выходе	ВП, ОСМ	4153. 20-6
1554АП4ТБМ	54AC241	Два четырехканальных формирователя с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	4153.20-6
1554АП5ТБМ	54AC244	Два четырехканальных формирователя с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	4153.20-6
1554АП6ТБМ	54AC245	Восьмиканальный двунаправленный приемо-передатчик с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	4153. 20-6
1554ИД4ТБМ	54AC155	Сдвоенный дешифратор-демультиплексор 2-4	ВП, ОСМ	402.16-32
1554ИД7ТБМ	54AC138	Дешифратор-демультиплексор 3-8 с инверсией на выходе	ВП, ОСМ	402.16-32
1554ИД14ТБМ	54AC139	Два дешифратора-демультиплексора 2-4 с инверсией на выходе	ВП, ОСМ	402. 16-32
1554ИЕ6ТБМ	54AC192	Четырехразрядный двоично-десятичный реверсивный счетчик	ВП, ОСМ	402.16-32
1554ИЕ7ТБМ	54AC193	Четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик	ВП, ОСМ	402.16-32
1554ИЕ10ТБМ	54AC161	Четырехразрядный двоичный счетчик с асинхронной установкой в состояние ‘Логический 0’	ВП, ОСМ	402. 16-32
1554ИЕ18ТБМ	54AC163	Четырехразрядный двоичный счетчик с синхронной установкой в состояние ‘Логический 0’	ВП, ОСМ	402.16-32
1554ИЕ19ТБМ	54AC393	Два четырехразрядных двоичных счетчика с индивидуальной синхронизацией и сбросом	ВП, ОСМ	401.14-5
1554ИН1УБМ	VHC16245	Два 8-канальных приемопередатчика с тремя состояниями на выходе	ВП	Н16. 48-1В
1554ИП5ТБМ	54AC280	Девятиразрядная схема контроля четности	ВП, ОСМ	401.14-5
1554ИР22ТБМ	54AC373	Восьмиразрядный регистр, управляемый по уровню, с параллельным вводом-выводом данных, с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	4153.20-6
1554ИР23ТБМ	54AC374	Восьмиразрядный регистр, управляемый по фронту, с параллельным вводом-выводом данных, с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	4153. 20-6
1554ИР24ТБМ	54AC299	Восьмиразрядный двунаправленный сдвиговый регистр с параллельным вводом-выводом, последовательным вводом информации, асинхронным сбросом и тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	4153.20-6
1554ИР35ТБМ	54AC273	Восьмиразрядный регистр, управляемый по фронту, с параллельным вводом-выводом данных, с входом установки	ВП, ОСМ	4153.20-6
1554ИР37ТБМ	54AC574	Восьмиразрядный регистр, управляемый по фронту, с параллельным вводом-выводом данных, с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	4153. 20-6
1554ИР40ТБМ	54AC533	Восьмиразрядный регистр, управляемый по уровню, с параллельным вводом-выводом данных, с тремя состояниями и инверсией на выходе	ВП, ОСМ	4153.20-6
1554ИР41ТБМ	54AC534	Восьмиразрядный регистр, управляемый по фронту, с параллельным вводом-выводом данных, с тремя состояниями и инверсией на выходе	ВП, ОСМ	4153.20-6
1554КП2ТБМ	54AC153	Два селектора-мультиплексора 4-1	ВП, ОСМ	402. 16-32
1554КП7ТБМ	54AC151	Селектор-мультиплексор 8-1 со стробированием	ВП, ОСМ	402.16-32
1554КП11ТБМ	54AC257	Четыре селектора-мультиплексора 2-1 с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	402.16-32
1554АП3Н4БМ	54AC240	Два 4-канальных формирователя с тремя состояниями и инверсией на выходе	ВП	Кристалл
154АП4Н4БМ	54AC241	Два 4-канальных формирователя с тремя состояниями на выход	ВП	Кристалл
1554АП5Н4БМ	54AC244	Два 4-канальных формирователя с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
1554АП6Н4БМ	54AC245	8-канальный двунаправленный приёмо-передатчик с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
1554ИД4Н4БМ	54AC155	Сдвоенный дешифратор-демультиплексор 2-4	ВП	Кристалл
1554ИД7Н4БМ	54AC138	Дешифратор-демультиплексор 3-8 с инверсией на выходе	ВП	Кристалл
1554ИД14Н4БМ	54AC139	Два дешифратора-демультиплексора 2-4 с инверсией на выходе	ВП	Кристалл
1554ИЕ6Н4БМ	54AC192	4-разрядный двоично-десятичный реверсивный счетчик	ВП	Кристалл
1554ИЕ7Н4БМ	54AC193	4-разрядный двоичный реверсивный счетчик	ВП	Кристалл
1554ИЕ10Н4БМ	54AC161	4-разрядный двоичный счетчик с асинхронной установкой в состояние “логический 0”	ВП	Кристалл
1554ИЕ18Н4БМ	54AC163	4-разрядный двоичный счетчик с синхронной установкой в состояние “логический 0”	ВП	Кристалл
1554ИЕ19Н4БМ	54AC393	Два 4-разрядных двоичных счетчика с индивидуальной синхронизацией и сбросом	ВП	Кристалл
1554ИН1Н4БМ	VHC16245	Два 8-канальных приемопередатчика с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
1554ИП5Н4БМ	54AC280	9-разрядная схема контроля четности	ВП	Кристалл
1554ИР22Н4БМ	54AC373	8-разрядный регистр, управляемый по уровню, с параллельным вводом-выводом данных, с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
1554ИР23Н4БМ	54AC374	8-разрядный регистр, управляемый по фронту, с параллельным вводом-выводом данных, с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
1554ИР24Н4БМ	54AC299	8-разрядный двунаправленный сдвиговый регистр с параллельным вводом-выводом, последовательным вводом информации, асинхронным сбросом и тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
1554ИР35Н4БМ	54AC273	8-разрядный регистр, управляемый по фронту, с параллельным вводом-выводом данных, с входом установки	ВП	Кристалл
1554ИР37Н4БМ	54AC574	8-разрядный регистр, управляемый по фронту, с параллельным вводом-выводом данных, с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
1554ИР40Н4БМ	54AC533	8-разрядный регистр, управляемый по уровню, с параллельным вводом-выводом данных, с тремя состояниями и инверсией на выходе	ВП	Кристалл
1554ИР41Н4БМ	54AC534	8-разрядный регистр, управляемый по фронту, с параллельным вводом-выводом данных, с тремя состояниями и инверсией на выходе	ВП	Кристалл
1554КП2Н4БМ	54AC153	Два селектора-мультиплексора 4-1	ВП	Кристалл
1554КП7Н4БМ	54AC151	Селектор-мультиплексор 8-1 со стробированием	ВП	Кристалл
1554КП11Н4БМ	54AC257	Четыре селектора-мультиплексора 2-1 с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
1554КП12Н4БМ	54AC253	Два селектора-мультиплексора 4-1 с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
1554КП14Н4БМ	54AC258	Четыре селектора-мультиплексора 2-1 с тремя состояниями и инверсией на выходе	ВП	Кристалл
1554КП15Н4БМ	54AC251	Селектор-мультиплексор 8-1 с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
1554КП16Н4БМ	54AC157	Четыре селектора-мультиплексора 2-1	ВП	Кристалл
1554КП18Н4БМ	54AC158	Четыре селектора-мультиплексора 2-1 с инверсией на выходе	ВП	Кристалл
1554ЛА1Н4БМ	54AC20	Два логических элемента “4И-НЕ”	ВП	Кристалл
1554ЛА2Н4БМ	54AC30	Логический элемент “8И-НЕ”	ВП	Кристалл
1554ЛА3Н4БМ	54AC00	Четыре логических элемента “2И-НЕ”	ВП	Кристалл
1554ЛА4Н4БМ	54AC10	Три логических элемента “3И-НЕ”	ВП	Кристалл
1554ЛЕ1Н4БМ	54AC02	Четыре логических элемента “2ИЛИ-НЕ”	ВП	Кристалл
1554ЛИ1Н4БМ	54AC08	Четыре логических элемента “2И”	ВП	Кристалл
1554ЛИ3Н4БМ	54AC11	Три логических элемента “3И”	ВП	Кристалл
1554ЛИ6Н4БМ	54AC21	Два логических элемента “4И”	ВП	Кристалл
1554ЛИ9Н4БМ	54AC34	Шесть логических повторителей	ВП	Кристалл
1554ЛЛ1Н4БМ	54AC32	Четыре логических элемента “2ИЛИ”	ВП	Кристалл
1554ЛН1Н4БМ	54AC04	Шесть логических элементов “НЕ”	ВП	Кристалл
1554ЛН2Н4БМ	TC7S04	Единичный инвертор	ВП	Кристалл
1554ЛП5Н4БМ	54AC86	Четыре двухвходовых логических элемента “Исключающее ИЛИ”	ВП	Кристалл
1554ЛП8Н4БМ	54AC125	Четыре буферных элемента с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
1554ЛР11Н4БМ	54AC51	Логические элементы “2-2И-2ИЛИ-НЕ” и “3-3И-2ИЛИ-НЕ”	ВП	Кристалл
1554ЛР13Н4БМ	54AC54	Логический элемент “3-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ”	ВП	Кристалл
1554СП1Н4БМ	54AC85	Схема сравнения двух четырехразрядных чисел	ВП	Кристалл
1554ТВ9Н4БМ	54AC112	Два J-K триггера с управлением отрицательным фронтом по тактовому входу	ВП	Кристалл
1554ТВ15Н4БМ	54AC109	Два J-K с управлением положительным фронтом по такто-вому входу	ВП	Кристалл
1554ТЛ2Н4БМ	54AC14	Шесть инверторов Шмитта	ВП	Кристалл
1554ТМ2Н4БМ	54AC74	Два D-триггера с установкой и сбросом	ВП	Кристалл
1554ТМ8Н4БМ	54AC175	Четыре D-триггера с общими входами управления и сброса	ВП	Кристалл
1554ТМ9Н4БМ	54AC174	Шесть D-триггеров	ВП	Кристалл
1554ТР2Н4БМ	54AC279	Четыре R-S триггера	ВП	Кристалл
1594ЛИ1Н4	54ACT08	Четыре логических элемента “2И”	ВП	Кристалл
Серия 1554У*		Комплект микросхем в мало-габаритных металлокерамических CLCC корпусах		CLCC корпуса 5119. 16-А 5121.20-А

Элементы транзисторных логик: схемы, ТТЛ, ТТЛШ, КМОП

Для конкретной серии микросхем характерно использование типового электронного узла — базового логического элемента. Этот элемент является основой построения самых разнообразных цифровых электронных устройств.

Ниже рассмотрим особенности базовых логических элементов различных логик.

Элементы транзисторно-транзисторной логики

Характерной особенностью ТТЛ является использование многоэмиттерных транзисторов. Эти транзисторы сконструированы таким образом, что отдельные эмиттеры не оказывают влияния друг на друга. Каждому эмиттеру соответствует свой p-n-переход. В первом приближении многоэмиттерный транзисторможет моделироваться схемой на диодах (см. пунктир на рис. 3.27).

Васильев Дмитрий Петрович

Профессор электротехники СПбГПУ

Задать вопрос

Упрощенная схема ТТЛ-элемента приведена на рис. 3.27. При мысленной замене многоэмиттерного транзистора диодами получаем элемент диодно-транзисторной логики «И-НЕ». Из анализа схемы можно сделать вывод, что если на один из входов или на оба входа подать низкий уровень напряжения, то ток базы транзистора Т2 будет равен нулю, и на коллекторе транзистора Т2 будет высокий уровень напряжения.

Если на оба входа подать высокий уровень напряжения, то через базу Т₂ транзистора будет протекать большой базовый ток и на коллекторе транзистора Т₂ будет низкий уровень напряжения, т. е. данный элемент реализует функцию И-НЕ:

u_вых= u₁· u₂. Базовый элемент ТТЛ содержит многоэмиттерный транзистор, выполняющий логическую операцию И, и сложный инвертор (рис. 3.28).
Если на один или оба входа одновременно подан низкий уровень напряжения, то многоэмиттерный транзистор находится в состоянии насыщения и транзистор Т₂ закрыт, а следовательно, закрыт и транзистор Т₄, т. е. на выходе будет высокий уровень напряжения.

Васильев Дмитрий Петрович

Профессор электротехники СПбГПУ

Задать вопрос

Если на обоих входах одновременно действует высокий уровень напряжения, то транзистор Т2 открывается и входит в режим насыщения, что приводит к открытию и насыщению транзистора Т4 и запиранию транзистора Т3, т. е. реализуется функция И-НЕ.

Для увеличения быстродействия элементов ТТЛ используются транзисторы с диодами Шоттки (транзисторы Шоттки).

Логические элементы ТТЛШ (на примере серии К555)

В качестве базового элемента серии микросхем К555 использован элемент И-НЕ. На рис. 3.29, а изображена схема этого элемента, а условное графическое обозначение транзистора Шоттки приведено на рис. 3.29, б.
Такой транзистор эквивалентен рассмотренной выше паре из обычного транзистора и диода Шоттки. ТранзисторVT₄ — обычный биполярный транзистор.

Если оба входных напряжения u_вх1и u_вх2имеют высокий уровень, то диодыVD₃ и VD₄ закрыты, транзисторы VT₁,VT₅ открыты и на выходе имеет место напряжение низкого уровня. Если хотя бы на одном входе имеется напряжение низкого уровня, то транзисторы VT₁ и VT₅ закрыты, а транзисторы VT₃ и VT₄ открыты, и на входе имеет место напряжение низкого уровня. Полезно отметить, что транзисторы VT₃ и VT₄ образуют так называемый составной транзистор (схему Дарлингтона).

Микросхемы ТТЛШ

Микросхемы ТТЛШ серии К555 характеризуются следующими параметрами:

напряжение питания +5 В;
выходное напряжение низкого уровня — не более 0,4 В;
выходное напряжение высокого уровня — не менее 2,5 В;
помехоустойчивость — не менее 0,3 В;
среднее время задержки распространения сигнала — 20 нс;
максимальная рабочая частота — 25 МГц.

Васильев Дмитрий Петрович

Профессор электротехники СПбГПУ

Задать вопрос

Микросхемы ТТЛШ обычно совместимы по логическим уровням, помехоустойчивости и напряжению питания с микросхемами ТТЛ. Время задержки распространения сигнала элементов ТТЛШ в среднем в два раза меньше по сравнению с аналогичными элементами ТТЛ.

Особенности других логик

Основой базового логического элемента ЭСЛ является токовый ключ. Схема токового ключа (рис. 3.30) подобна схеме дифференциального усилителя.
Необходимо обратить внимание на то, что микросхемы ЭСЛ питаются отрицательным напряжением (к примеру, −4,5 В для серии К1500). На базу транзистора VT₂ подано отрицательное постоянное опорное напряжение U_оп. Изменение входного напряжения u_вх1приводит к перераспределению постоянного тока i_э0, заданного сопротивлением R_э между транзисторами, что имеет следствием изменение напряжений на их коллекторах.

Транзисторы не входят в режим насыщения, и это является одной из причин высокого быстродействия элементов ЭСЛ.

Микросхемы серий 100, 500 имеют следующие параметры:

напряжение питания −5,2 В;
потребляемая мощность — 100 мВт;
коэффициент разветвления по выходу — 15;
задержка распространения сигнала — 2,9 нс.

В микросхемах n-МОП и p-МОП используются ключи соответственно на МОП-транзисторах с n-каналом и динамической нагрузкой (рассмотрены выше) и на МОП-транзисторах с p-каналом.

В качестве примера рассмотрим элемент логики n-МОП, реализующий функцию ИЛИ-НЕ (рис. 3.31).

Он состоит из нагрузочного транзистора Т₃ и двух управляющих транзисторов Т₁ и Т₂. Если оба транзистора Т₁ и Т₂ закрыты, то на выходе устанавливается высокий уровень напряжения. Если одно или оба напряжения u₁и u₂имеют высокий уровень, то открывается один или оба транзистора Т₁ и Т₂ и на выходе устанавливается низкий уровень напряжения, т. е. реализуется функция u_вых= u₁+ u_2.

Для исключения потребления мощности логическим элементом в статическом состоянии используются комплементарные МДП — логические элементы (КМДП или КМОП-логика). В микросхемах КМОП используются комплементарные ключи на МОП-транзисторах. Они отличаются высокой помехоустойчивостью. Логика КМОП является очень перспективной. Рассмотренный ранее комплементарный ключ фактически является элементом НЕ (инвертором).

КМОП — логический элемент

Рассмотрим КМОП — логический элемент, реализующий функцию ИЛИ-НЕ (рис. 3.32).

Абрамян Евгений Павлович

Доцент кафедры электротехники СПбГПУ

Задать вопрос

Если входные напряжения имеют низкие уровни (u1и u2меньше порогового напряжения n-МОП-транзистора Uзи.порог.n), то транзисторы Т1 и Т2 закрыты, транзисторы Т3 и Т4 открыты и выходное напряжение имеет высокий уровень.

Если одно или оба входных напряжения u₁и u₂имеют высокий уровень, превышающий U_{зи.порог.}_n, то открывается один или оба транзистора Т₁ и Т₂, а между истоком и затвором одного или обоих транзисторов Т₃ и Т₄ устанавливается низкое напряжение, что приводит к запиранию одного или обоих транзисторов Т₃ и Т₄, а следовательно, на выходе устанавливается низкое напряжение.

Таким образом, этот элемент реализует функцию u_вых= u₁+u₂и потребляет мощность от источника питания лишь в короткие промежутки времени, когда происходит его переключение.

Интегральная инжекционная логика (ИИЛ или И²Л) построена на использовании биполярных транзисторов и применении оригинальных схемотехнических и технологических решений. Для нее характерно очень экономичное использование площади кристалла полупроводника. Элементы И²Л могут быть реализованы только в интегральном исполнении и не имеют аналогов в дискретной схемотехнике. Структура такого элемента и его эквивалентная схема приведены на рис. 3.33, из которого видно, что транзистор T₁ (p-n-p) расположен горизонтально, а многоколлекторный транзистор Т₂ (n-p n) расположен вертикально. Транзистор T₁ выполняет роль инжектора, обеспечивающего поступление дырок из эмиттера транзистора T₁ (при подаче на него положительного напряжения через ограничивающий резистор) в базу транзистора Т₂.

Васильев Дмитрий Петрович

Профессор электротехники СПбГПУ

Задать вопрос

Если u1 соответствует логическому «0», то инжекционный ток не протекает по базе многоколлекторного транзистора Т2 и токи в цепях коллекторов транзистора Т2 не протекают, т. е. на выходах транзистора Т2 устанавливаются логические «1». При напряжении u1 соответствующем логической «1», инжекционный ток протекает по базе транзистора Т2 и на выходах транзистора Т2 — логические нули.

Рассмотрим реализацию элемента ИЛИ-НЕ на основе элемента, представленного на рис. 3.34 (для упрощения другие коллекторы многоколлекторных транзисторов Т₃ и Т₄ на рисунке не показаны). Когда на один или оба входа подается логический сигнал «1», то напряжение u_выхсоответствует логическому нулю. Если на обоих входах логические сигналы «0», то напряжение u_выхсоответствует логической единице.
Логика на основе полупроводника из арсенида галлия GaAs характеризуется наиболее высоким быстродействием, что является следствием высокой подвижности электронов (в 3…6 раз больше по сравнению с кремнием). Микросхемы на основе GaAs могут работать на частотах порядка 10 ГГц и более.

Неиспользуемые выводы логических элементов и особенности их эксплуатации

При построении схем на цифровых интегральных микросхемах часто используются не все входы логических элементов. Исходя из логики работы схем, на эти входы следует подать либо логический ноль, либо логическую единицу. Логический ноль как в ТТЛ, так и КМОП сериях интегральных микросхем подаётся путём подключения входов к общему проводу («шина земля»).

В большинстве серий ИЦМ неиспользуемые входы элементов, выполняющих логические функции «И» или «И-НЕ», не должны оставаться неподключенными. В ТТЛ и ТТЛШ сериях сигнал от неподключенного входа воспринимается как логическая единица, но оставлять его свободным не рекомендуется, так как возникающие при этом дополнительные заряды в базе входного транзистора замедляют переключение элемента по другим входам, кроме того, импульсы помехи, вызываемые переключением соседних элементов, размещённых в одном корпусе микросхемы, могут привести к ложным срабатываниям. Поэтому в сериях ТТЛ и ТТЛШ неиспользуемые «И» входы либо объединяют с другими, но так, чтобы не превысить допустимую нагрузку, либо подключают к источнику питания +5В через токоограничивающий резистор сопротивлением

1…3 кОм, для защиты от скачков напряжения, возникающих, например, при включении питания. К одному резистору рекомендуется подключать до 20 неиспользуемых входов. Логическую единицу можно подать также с выхода инвертора, вход которого подключён к общему проводу. У многовходовых элементов неиспользуемые входы можно подключать к используемым, однако в этом случае увеличивается нагрузка на выход микросхемы – источника сигнала.

В сериях КМОП не должно быть неподключенных входов, так как на них может оказаться наведенным любой потенциал, что приведет к ложному состоянию схемы. Входы КМОП элементов можно непосредственно подключить к источнику питания, без резистора.

Неиспользуемые входы элементов, выполняющих логические функции «ИЛИ» или «ИЛИ-НЕ» в любых сериях, должны быть подключены к логическому нулю.

Рекомендуется также неиспользуемые функциональные элементы ТТЛ серий включить таким образом, чтобы на их выходах была логическая единица. В этом случае уменьшается энергопотребление данного функционального элемента.

ЭСЛ логические элементы позволяют оставлять незадействованными входы (мы это подробно рассматривали выше), в этом случае они работают так, как будто на них поданы уровни логического нуля.

При построении схем на логических элементах требуется применение по цепям питания блокировочных конденсаторов ёмкостью

0,068…0,1 мкФ на каждые 3…4 корпуса микросхем для защиты от высокочастотных помех по цепям питания. На каждой плате – ТЭЗ (типовой элемент замены) должен быть установлен один оксидный (электролитический) конденсатор ёмкостью 10…15 мкФ для защиты от низкочастотных помех.

Для сопряжения ИЦМ требуется выбрать нагрузку ИЦМ передатчика таким образом, чтобы значения входных токов уровней логической единицы I01 и логического нуля I00, а также и выходных напряжений уровней логической единицы U01 и логического нуля U00 не выходили за пределы, установленные техническими условиями.

Для определения числа подключаемых единичных нагрузок в

пределах одной серии ИЦМ следует вычислить отношения

I00 max ;

IБАЗ0

I01max ,

IБАЗ1

где I00max, I01max максимально допустимые токи нагружаемой ИС,

IБАЗ0, IБАЗ1 входные токи базового элемента данной серии.

Меньшее из этих значений и является коэффициентом разветвления по выходу Краз, который показывает количество единичных нагрузок, подключенных к данному выходу.

Аналогичным образом можно рассчитать Краз при работе ИЦМ передатчика одной серии и приемника другой серии ИЦМ, относящихся к одному типу интегральной логики. Для серий ТТЛ и ТТЛШ рассчитанные значения Краз приведены в табл. 3.1.

Таблица 3.1

ИЦМ передатчик	Количество единичных нагрузок серий
155	531	555	1533
155	10	8	20	20
531	12	10	50	50
555	5	4	20	20
1533	2	2	10	20

В сериях ТТЛ и ТТЛШ имеются ИЦМ с повышенной нагрузочной способностью. Как правило, такие микросхемы выполняют логическую функцию, которую уже выполняет какая-либо микросхема в данной серии, но обозначение они имеют другое. В справочных пособиях про такие микросхемы написано либо «с повышенной нагрузочной способностью», либо «буферные логические элементы». Например, в серии 155 ИЦМ 155ЛА3 обозначается как «четыре логических элемента 2И-НЕ» (т.е. в одном корпусе ИЦМ содержится четыре двухвходовых логических элемента И-НЕ), а ИЦМ 155ЛА12 обозначается как «четыре буферных логических элемента 2И-НЕ». Нагрузочные способности некоторых таких элементов приведены в

табл.3.2.

Таблица 3.2

ИЦМ передатчик	Количество единичных нагрузок серий:
155	531	555	1533
155ЛА6	30	24	60	60
555ЛА6	15	12	60	60
155ЛА12	30	24	60	60
555ЛА12	15	12	60	60
531ЛА16	37	30	15	150

Коэффициент разветвления по выходу у КМОП-микросхем очень высок, поскольку полевые транзисторы имеют чрезвычайно

высокое входное сопротивление. Однако существенные емкости в выходных цепях, присущие КМОП-технологии, снижают их быстродействие. Дело в том, что МОП-транзисторы имеют существенное сопротивление в открытом состоянии, и это ограничивает ток, заряжающий или разряжающий емкости выходных цепей. Рассчитать значения Краз можно по приведённой выше методике.

Коэффициент разветвления по выходу у ЭСЛ микросхем очень высок благодаря очень большому входному импедансу. Кроме того, как уже отмечалось выше, ЭСЛ – логические элементы отличаются чрезвычайно высоким быстродействием. Одна из проблем ЭСЛ технологии связана с необходимостью соблюдать строгие требования при размещении схем на кристалле и расположении выводов. В противном случае из-за высоких скоростей переключения паразитные емкостные и индуктивные связи приведут к недопустимому уровню межсигнальных помех.

Какой вывод следует из всего вышесказанного? А вот какой. После структурного синтеза схемы логического автомата на этапе разработки принципиальной электрической схемы необходимо тщательно проверить подключения всех выходов логических элементов на нагрузочную способность и, в случае необходимости, либо использовать элементы с повышенной нагрузочной способностью, либо включить параллельно ИЦМ – источника сигнала ещё одну такую же ИЦМ и распределить между ними входы ИЦМ – приёмники сигналов. За этим необходимо очень внимательно следить, в противном случае сбои в работе логического автомата гарантированны.

Материал взят из книги Логические автоматы Типовые комбинационные схемы (Илюхин А.В.)

новых способов уменьшить размеры микросхем на JSTOR

Science, основанный Томасом А. Эдисоном в 1880 году и издаваемый AAAS, сегодня является крупнейшим в мире общенаучным журналом с тиражом. Издаваемый 51 раз в год журнал Science известен своими высоко цитируемыми, рецензируемыми научными работами, своей особой силой в дисциплинах наук о жизни и отмеченным наградами освещением последних научных новостей. Онлайн-издание включает не только полный текст текущих выпусков, но и научные архивы, относящиеся к первому изданию Эдисона в 1880 году.Сайт Science Careers, который можно найти в печати и в Интернете, предоставляет еженедельно публикуемые статьи о карьере, тысячи объявлений о вакансиях, обновляемых несколько раз в неделю, и другие услуги, связанные с карьерой. В интерактивном научном мультимедийном центре представлены научные подкасты, изображения и слайд-шоу, видео, семинары и другие интерактивные функции. Для получения дополнительной информации посетите www.sciencemag.org.

AAAS, основанная в 1848 году, превратилась в крупнейшее в мире междисциплинарное научное общество, насчитывающее почти 130 000 членов и подписчиков.Миссия “продвигать науку, технику и инновации во всем мире на благо всех людей” вывела организацию на передний край национальных и международных инициатив. Глобальные усилия включают программы и партнерства по всему миру, от Азии до Европы и Африки, а также обширную работу в области прав человека с использованием геопространственных технологий для подтверждения нарушений. Программы по науке и политике включают в себя крупный ежегодный форум по политике в области науки и технологий, стипендии в рамках политики в области науки и технологий в Конгрессе США и правительственных учреждениях, а также отслеживание финансирования США исследований в области НИОКР. Инициативы в области естественнонаучного образования заложили основу для обучения на основе стандартов и предоставляют учителям инструменты поддержки в Интернете. Мероприятия по привлечению общественности создают открытый диалог с учеными по таким социальным вопросам, как глобальное изменение климата. AAAS также действует как зонтичная организация для федерации, состоящей из более чем 270 аффилированных научных групп. Расширенная серия веб-сайтов включает исчерпывающие ресурсы по развитию карьеры. Для получения дополнительной информации посетите www.aaas.org.

Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридный микросхемный ПК для сбора Электрооборудование и принадлежности Интегральные схемы (ИС)

Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридная микросхема ПК для сбора Электрооборудование и расходные материалы Интегральные схемы (ИС)

Дом
Бизнес и промышленность
Электрооборудование и принадлежности
Электронные компоненты и полупроводники
Полупроводники и активные элементы
Интегральные схемы (ИС)
Другие интегральные схемы
Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридный ПК с микросхемой для коллекции

Редкий Винтаж Советский Militay Space MCM Гибридный Микросхема ПК для Коллекции

для коллекции Rare Vintage USSR Soviet Militay Space MCM Hybrid Microcircuit PC, Сделано в СССР, Лот – 1шт, Цена за 1 штуку, лот не покупать, На последнем фото микросхема обрыв. Гибридный компьютер с микросхемами Militay Space MCM для коллекций Редкий Винтаж СССР Советский, Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридный ПК с микросхемами для сбора, бизнеса и промышленности, Электрическое оборудование и материалы, Электронные компоненты и полупроводники, Полупроводники и активные элементы, Интегральные схемы (ИС), Другие интегральные схемы.

Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридный ПК на микросхеме для коллекции

Редкий Винтаж СССР Гибридный ПК на микросхеме Советского Военного Космоса MCM для Коллекции.На последнем фото разомкнутая микросхема. Сделано в СССР. Лот – 1шт. Цена за 1 шт. не покупать лот! Состояние: Запчасть или не работает: Элемент, который не функционирует должным образом и не полностью исправен. Сюда входят элементы, которые имеют дефекты, затрудняющие их использование, элементы, требующие обслуживания или ремонта, или элементы, в которых отсутствуют основные компоненты. См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий, Примечания продавца: «Для сбора! Непаянный! » .

Productsweek2020-09-30T18: 29: 23 + 00: 00

Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридный ПК на микросхеме для коллекции

Производительность промышленного уровня, которой можно доверять.От плеча до плеча ____ дюймов или ___ см (необязательно) 6. Три кабеля преобразователя SATA от 0 до IDE 2, наши рубашки напечатаны прямо здесь, в Соединенных Штатах, и доступны от размера 2T-5 / 6T и в различных цветах. 30 А, 250 В, штекер с поворотным замком, 3-проводная вилка Nema L6-30P L6-30R. Поставляется в подарочной коробке; Идеальный подарок на любой случай для вашего любимого человека. Tic Tac Tongue – это Tic Tac Tongue – настоящая версия для 4 игроков, а не те дешевые, которые имеют плохие отзывы. – национальный оптовый поставщик высококачественной продукции, расположенный в Южном Сан-Франциско.Блок питания 12 В постоянного тока, 2 А SRW-65-4002 Chassis mount / +/- 5 В постоянного тока. ►Наши лучшие в отрасли высокоточные узоры и ручная отделка с вниманием к деталям, женские леггинсы большого размера с принтом тай-дай. ***** ПРОЦЕСС: Я начинаю каждое создание Tie Dye с предварительного замачивания ткани в ванне с кальцинированной содой в течение 24+ часов. применяется с коммерческим тепловым прессом, НОВЫЙ генератор для 1999-2003 гг. 753 Погрузчик с бортовым поворотом BOBCAT Kubota V1903EB Diesel, • Стандартная доставка БЕСПЛАТНА и обычно занимает 5-9 рабочих дней (в зависимости от страны), Редкая винтажная куртка Nike 90-х годов, белая / черная съемная Рукава Куртка Размер бирки: L РАЗМЕР: Куртка ЯМКА ДО ЯМКИ: 24 ДЮЙМА ДЛИНА: 27 ДЮЙМ СОСТОЯНИЕ Хорошее винтажное состояние Есть кое-что.Большое основное отделение с внутренней сумкой на молнии и мягким рукавом с ремнем для ноутбука. Profi Kettenzug Flaschenzug Hebezug Seilzug Kran Handhebelzug 3t mit 3 m Kette. Свадебная лоза для волос Хрустальная лоза для волос Свадебная лоза для волос Серебряная лоза для волос Свадебная хрустальная корона Розовое золото Лоза для волос Греческая накладка для волос Аксессуары для волос Свадебная повязка на голову Свадебная тиара Украшения для волос Свадебные аксессуары Богемский головной убор, 6-миллиметровое кольцо из серебра 925 пробы, серебряное кольцо с кристаллами винтажного стиля, и все, что вам нужно Удалите старые накладные пластины и примените новые, CBD ДЛЯ УТЕЧЕНИЯ БОЛИ Рекламный флаг с виниловым баннером Многие размеры Многие размеры THC. Примечание. В комплект поставки этого продукта не входит ручка-скребок. О Vélotas. Мы стремимся разрабатывать продукты, которые немного облегчают получение и поддержание формы. Добавляет интересную функцию в вашу садовую стену. FILIERA 7/32 “BSW WHITWORTH filettatura Inglese в HSS. Сэкономьте более 88% на счетах за электроэнергию в освещении. Требуются 2 батарейки AA (не входят в комплект). Отличные цены на ваши любимые садовые бренды. INA138NA INA138 CURRENT MONITOR 0,5% SOT23-5 Оригинал и новые 10PCS / LOT, SES Candle Light Bulb для люстры, теплый белый цвет: дом и кухня.Высококачественные украшения, представленные в Vnox, предлагают отличные цены по доступной цене, что делает защитные пленки такими чертовски хорошими.

Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридный ПК на микросхеме для коллекции

ICM Controls ICM254 ICM254B Двойное реле таймера задержки включения / выключения вентилятора 18-30 В переменного тока, оригинальный универсальный инвертор SFM070WX1-INVT-R, продавец в США и бесплатная доставка. 25-футовый резиновый всасывающий 3-дюймовый шланг из ПВХ в сборе, зеленый с мужчинами и женщинами, NPSM. Кабель длиной 6 мм доступен на метр H07RN-F3 TITANEX 3G6, отрезанный до нужной длины.5PC 3/8 ” X 3 ” M42 Кобальтовая сталь квадратный инструмент бит токарный станок Fly Cutter Mill Blank. НОВЫЙ МОДУЛЬ 1 ЧАСТЬ SKKT92B / 16E SKKT92B16E SKKT92B-16E МОДУЛЬ SEMIKRON ОРИГИНАЛ, Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридная микросхема ПК для коллекции , 10 шт. MAX813LCPA DIP-8 MAX813L MAX813L MAX813 Supervisory Parts, Carpigian Gel Уплотнение вала битера. 1/4 “UNF x 1/2” Стальной винт со шлицевой головкой и наполнителем # 00 5×10 Полиэтиленовые воздушно-пузырьковые почтовые конверты Самоуплотняющиеся упаковочные конверты размером 5 x 10 дюймов.Все устройства новые в оригинальных коробках TDK-LAMBDA P / N FPS-1000-24 / S Power Supplies, Rare Vintage USSR Soviet Militay Space MCM Hybrid Microcircuit PC для коллекции . DC 6-12V Аналоговая панель VU Meter Измеритель уровня звука Синяя подсветка Нет необходимости в драйвере. MBRAUN MB BF-L-03 Hepa-Filter 900 4513 Доставка по предоплате. 50PCS SMD SMT 0805 Супер яркая зеленая светодиодная лампа, переменные цвета. 22SWG луженая медная проволока 500 г. （PCD） APKT1604 PCD для алюминия Поликристаллический алмазный инструмент PCD 2 шт. Редкий винтажный ПК с гибридной микросхемой советского военного космического пространства MCM для коллекции , новый шкив AK61-1 дюйм Диаметр 5,95 дюйма Чугунный шкив с одной канавкой.

Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридный ПК на микросхеме для коллекции

Редкий винтажный гибридный ПК с микросхемами СССР Советский Militay Space MCM для коллекционирования, бизнеса и промышленности, электрического оборудования и расходных материалов, электронных компонентов и полупроводников, полупроводников и активных элементов, интегральных схем (ИС), других интегральных схем Rare Vintage USSR Soviet Militay Space MCM Гибридный ПК на микросхеме для коллекции
Сделано в СССР, лот – 1шт, цена за 1 штуку, лот не покупать, На последнем фото микросхема обрыв.

электронные микросхемы – французский перевод – Linguee

Статья 1 (1) первоначального Регламента устанавливает, что продукт

[…]

с учетом

[…] компенсационная пошлина – cer ta i n электронные микросхемы k n ow n в виде DRAM […]

всех типов, происходящих из Республики Корея.

eur-lex.europa.eu

L’article 1er, paragraphe 1, du rglement initial dispose que les produits soumis au

[…]

droit компенсатор sont sures

[…] типы d e micro cir cui ts lectroniques dits D RAM , de t ous типы, […]

originaires de la Rpublique de Core.

eur-lex.europa.eu

Рассматриваемый продукт и аналогичный продукт являются одинаковыми

[…]

как покрытый

[…] оригинальное исследование, т.

е. cer ta i n электронные микросхемы k n ow n в качестве динамической памяти с произвольным доступом […]

(DRAM) всех типов,

[…]

плотностей и вариаций, независимо от того, собраны ли они в обработанной пластине или микросхемах (штампах), изготовленных с использованием различных технологических процессов на основе оксидов металлов и полупроводников (MOS), включая дополнительные типы MOS (CMOS), всех плотностей (включая будущие плотности), независимо от скорость доступа, конфигурация, упаковка или рама и т. д., происходящего из Республики Корея.

eur-lex.europa.eu

Les produits considrs et les produits similaires

[…]

sont les mmes que lors

[…] de l’e nq ute initiale, s av oir certai ns types de m micro circ ui ts lectroniques di ts DRA M (d yn amic [.

..]

памяти произвольного доступа

[…]

– динамические изображения в соответствии со всем), различные типы, плотности (в том числе les densits non encore existantes) и варианты, сборки или нет, sous form de disques ou de microplaquettes преобразовывает, fabriqus l’aide de variantes du procd mtal-oxyde- Полупроводник (MOS), включает определенные типы дополнений MOS (CMOS), параметры, обеспечивающие работу, конфигурацию, режим, поддерживаемый или поддерживаемый, и т. д.

eur-lex.europa.eu

Комиссия проинформирована

[…]

, что компенсационная пошлина на

[…] импорт cer ta i n электронных микросхем k n ow n как DRAM (динамические […]

памяти произвольного доступа)

[…]

, происходящее из Республики Корея, возможно, не облагается налогом на определенный импорт упомянутых DRAM.

eur-lex.europa.eu

Комиссия по предоставлению информации о возможности получения права компенсации

..]

применимый импорт вспомогательных устройств

[…] certa в s microc irc uit s lectroniques dits D RAM (dy na mic random […]

доступа к памяти –

млн. […]

динамических характеристик по всему миру) originaires de la Rpublique de Core puisse ne pas tre prlev sur определенных импортных товаров.

eur-lex.europa.eu

Он также содержит подробные сведения о невыясненных случаях в 1990 году, а именно: введение пошлин на проигрыватели компакт-дисков из Японии и Южной Кореи,

[…]

цена обязательства от японца

[…] производитель s o f электронные микросхемы ( D RA Ms), обязанности […]

наложены на вольфрамовые галогенные лампы

[…]

из Японии, на аудиокассетах и кассетах из Гонконга, Японии и Кореи, а также на аспартаме из США и Японии.

europa.eu

Il prsente en outre une analysis des cas les plus marquants de 1990, savoir: l’imposition de droits sur les lecteurs de compacts disques originaires du Japon et de Core du Sud, les Engagement de prix

[…]

souscrits par les producteurs japonais

[…] de micr os truct ure s lectroniques ( DRA M), l es droits […]

Imposs Sur les Tube halognes au

[…]

оригинальных вольфрамовых дисков Японии, на оригинальных аудиокассетах Гонконга, Японии и Кореи и на оригинальном аспартаме этих стран и Японии.

europa.eu

Антидемпинговые меры: импорт «DRAM» из Японии и Республики Корея Совет продлил на один год приостановление действия окончательного

[…]

антидемпинговые пошлины, импорт

[…] определенный тип s o f электронные микросхемы k n ow n в виде DRAM [.

..]

(динамическая память с произвольным доступом)

[…]

, происходящие из Японии и Республики Корея, налагаемые соответственно Правилами (ЕЭС) № 2112/90 и 611/93.

europa.eu

Антидемпинговые меры: импорт DRAM из Японии и Республики Корея в целях приостановления действия антидемпинговых правил на

[…]

импортных товаров

[…] типы mi croc ircu it s lectroniques, di ts “D RAM” ( динамический […]

памяти с произвольным доступом –

млн. […]

динамических данных в соответствии с alatoire), originaires du Japon et de la Rpublique de Core, Institus related par les rglements (CEE) nu 2112/90 et nu 611/93.

europa.eu

25 июля 2002 года Комиссия инициировала антисубсидийное расследование с

[…]

относительно импорта в

[…] Сообщество cer ta i n электронные микросхемы k n ow n в виде DRAM [.

..]

(динамическая память с произвольным доступом)

[…]

из Республики Корея.

eur-lex.europa.eu

Le 25 juillet 2002, la Commission a ouvert une enqute antisubventions Concernt les

[…]

импорта в Коммунау от

[…] определенный s microcirc uit s lectroniques d его DRA M (динамический […]

памяти с произвольным доступом –

млн. […]

динамических динамика в соответствии со всем) оригиналом Республики Корея.

eur-lex.europa.eu

Антидемпинговый Совет принял: – Постановление о внесении поправок в Постановление № 577/91 о введении окончательного

[…]

антидемпинговая пошлина на импорт

[…] определенный тип s o f электронные микросхемы k n ow n в виде СППЗУ […]

(стираемый, программируемый, только для чтения

..]

воспоминаний), происходящие из Японии.

europa.eu

Antidumping Le Conseil a arrt: – Закон о модификации закона № 577/91 instituant un droit antidumping dfinitif sur

[…]

импортных товаров

[…] типы m icroc irc uit s lectroniques d его “EP ROMs” ( мм […]

исправляет ошибки и перепрограммируемые файлы) в Японии.

europa.eu

, против которого голосовали делегации Франции и Нидерландов, Постановление о введении окончательной компенсационной пошлины и окончательном сборе

[…]

Предварительная пошлина взимается с

[…] импорт cer ta i n электронных микросхем k n ow n как DRAM (динамические […]

памяти произвольного доступа)

[…]

из Республики Корея (11806/03).

europa.eu

les dlgations franaise et nerlandaise votant contre, un rglement instituant un droit compulator dfinitif et portant perception dfinitive du droit provisoire

..]

instituur les importations de

[…] certai ns microc irc uit s lectroniques dits “D RAM ” (dy na mic random […]

доступа к памяти млн. Миллионов

[…]

динамических материала согласно alatoire) originaires de la Rpublique de Core (док. 11806/03).

europa.eu

Таким образом, преимущества режима Сообщества будут применяться на основе взаимности к товарам, происходящим из стран-бенефициаров, которые включают компоненты из Норвегии и Швейцарии / Лихтенштейна.o o o Письменная процедура Антидемпинговая процедура Постановлением, принятым 29 марта, Совет продлил на один год приостановление действия окончательного

[…]

Антидемпинговая пошлина на импорт

[…] определенный тип s o f электронные микросхемы k n ow n в виде EPROM […]

(стираемый, программируемый, только чтение

..]

воспоминаний), происходящие из Японии.

europa.eu

Ds lors les bnfices du traitement communautaire seraient octroys, dans un context de rciprocit, aux marchandises originaires des pays bnficiaires qui incorporent des composants originaires de Norvge или Suisse / Liechtenstein. Procdure crite Antidumping Le Conseil a prorog, par un regglement accept le 29 mars, la Suspen du droit Antidumping dfinitif institu sur

[…]

импортных товаров

[…] Типы м icroc irc uit s lectroniques, dits EPR OM ( er asable, […]

программируемых, только для чтения),

[…]

originaires du Japon, pour la priode d’un an.

europa.eu

Совет отменил Регламент (EEC) № 611/93, который вводил

[…]

Окончательная антидемпинговая пошлина на

[…] импорт cer ta i n электронных микросхем k n ow n как «DRAM» [.

..]

(«динамическая память с произвольным доступом»),

[…]

из Кореи, и закрыл процедуру в отношении такого импорта, поскольку промышленность Сообщества отказалась от поддержки сохранения антидемпинговых мер.

europa.eu

Le Conseil a abrog le rglment (CEE) n611 / 93 Instituant un droit antidumping

[…]

dfinitif sur les importings de

[…] определенное s microstr uct ure s lectroniques, dites “D RAM ” (“d yn amic random […]

доступа к памяти “), оригинал

[…]

de Core, et a cltur la procdure correant ces import, l’industrie communautaire ayant retir son soutien au maintien des mesures antidumping.

europa.eu

Регламентом (ЕС) № 1480/2003 (3) (окончательный Регламент) Совет наложил окончательный

[…]

компенсационная пошлина 34,8% по

[…] импорт cer ta i n электронных микросхем k n ow n как динамический […]

памяти с произвольным доступом (DRAM)

[…]

производится в Республике Корея и производится всеми компаниями, кроме Samsung Electronics Co.

eur-lex.europa.eu

Par le rglement (CE) no 1480/2003 (3) (ci-aprs dnomm rglement dfinitif), le Conseil a institu un droitpensateur dfinitif

[…]

от 34,8% от импорта

[…] certa в s microci rcu его lectroniques dit s DRAM ( динамический […]

памяти с произвольным доступом –

млн. […]

динамических характеристик в соответствии со всеми) оригиналами Rpublique de Core и fabriqus par toutes les autres que Samsung Electronics Co.

eur-lex.europa.eu

Комиссия получила жалобу в соответствии со статьей 10 Постановления Совета (ЕС) № 2026/97 (1) («Базовый

[…]

Регламента ‘), утверждая, что

[…] импорт cer ta i n электронных микросхем k n ow n как DRAM (динамический […]

памяти с произвольным доступом),

[…]

, происходящие из Республики Корея («заинтересованная страна»), субсидируются и тем самым наносят материальный ущерб промышленности Сообщества.

eur-lex.europa.eu

La Commission a t saisie d’une plainte, dpose Compliance l’article 10 du rglement (CE) no 2026/97 du Conseil (1) (ci-aprs dnomm rglement de base),

[…]

selon laquelle les importations de

[…] certa в s microc irc uit s lectroniques dits DR AM ( мм ir es Dynamiques […]

согласно alatoire) оригинал

[…]

de la Rpublique de Core (ci-aprs dnomme платит беспокойство), feraient l’objet de subventions et causeraient ainsi un prjudice important l’industrie communautaire.

eur-lex.europa.eu

Для импорта определенных электронных схем, указанных в главах 84 и 85 Объединенной номенклатуры, компенсационные пошлины были наложены Постановлением Совета (ЕС) № 1480/2003 от 11 августа 2003 года, устанавливающим окончательную компенсационную пошлину и собирающим окончательный сбор

[…]

Предварительная пошлина взимается с

[…] импорт cer ta i n электронных микросхем k n ow n как DRAM (динамические […]

памяти произвольного доступа)

[…]

из Республики Корея (3).

eur-lex.europa.eu

Право на компенсацию, учреждение по импорту определенных схем, лектроника, соответствующая главам 84 и 85 номенклатуры, объединяет парламент (CE), № 1480/2003 Совета от 11 до 2003 г., Instituant un droit компенсатор, определяющий и важное восприятие, окончательное droit provisoire

[…]

instituur les importations de

[…] certa в s microc irc uit s lectroniques dits D RAM (dy na mic random […]

доступа к памяти млн. Миллионов

[…]

динамических материала согласно alatoire) originaires de la Rpublique de Core (3).

eur-lex.europa.eu

Соединительное устройство для

[…] мультиплексор g o f электронные микросхемы , a и чтение-запись […]

голова и панель дисплея с использованием этого метода

v3.espacenet.com

Устройство подключения для

[…] мультиплексор микр oc ircu его lectroniques , et tt e de lecture-criture […]

et panneau d’affichage utilisant ce procd

v3.espacenet.com

об отмене компенсационной пошлины, наложенной на

[…] импорт cer ta i n электронных микросхем k n ow n в виде DRAM […]

(динамическая память с произвольным доступом)

[…]

, происходящее из Республики Корея и прекращающее производство

eur-lex.europa.eu

abrogeant le droitpensateur institu sur les import de

[…] определенные mi cr ocir cuit s lectroniques d его DRA M (динамический […]

памяти произвольного доступа

eur-lex.europa.eu

Антидемпинговые – Kor ea – Электронные микросхемы 1 5

europa.eu

Антидемпинговый – Core – Microcir cui ts lectroniques 1 7

europa.eu

, установив окончательную компенсационную пошлину и окончательно забрав

[…]

Предварительная пошлина взимается с

[…] импорт cer ta i n электронных микросхем k n ow n как DRAM (динамические […]

памяти произвольного доступа)

[…]

из Республики Корея

eur-lex.europa.eu

Instituant un droit компенсатор dfinitif et portant perception dinitive du droit provisoire

[…]

instituur les importations de

[…] certai ns microc irc uit s lectroniques d its DRA M (d yn amic random […]

доступа к памяти –

млн. […]

динамических характеристик в соответствии со всем) оригинальным изданием Core

eur-lex.europa.eu

Импорт cer ta i n электронных микросхем ( D RA Ms) происхождения […]

в Республике Корея

europa.eu

Ввоз

[…] certa в s microcir cuit s lectroniques ( DRAM ) или ig inaires […]

от Core

europa.eu

(1) Постановлением (ЕС) № 1480/20032 (

[…] […] “ Регламент окончательной пошлины ”), Совет ввел окончательную компенсационную пошлину в размере 34,8% на импорт Cer ta i n электронных микросхем k n ow n как динамические запоминающие устройства с произвольным доступом (DRAM), происходящие из Республики Корея и производимые всеми компаниями […] […]

, кроме Samsung Electronics Co.

eur-lex.europa.eu

(1) Парламент (CE) n 1480/20032 (c i-aprs d n omm le rglement dfinitif), le Conseil a institu un droit compulator dfinitif de 34,8% sur les import de sures микросхемы lectroniques dits DRAM (динамическая память произвольного доступа

eur-lex.europa.eu

электронный c o mp onents, active: electronic tu be s , electronic m o du les, дискретные полупроводники, filter er s , микросхемы , p ie зоэлектрические кристаллы и генераторы

tpsgc-pwgsc.gc.ca

compo sa nts lectroniques , ac ti fs : tube s lectroniques, modu le s lectroniques, se микропроводник дискретный, f iltre s, микроструктуры , c rista ux pizolectriques […]

и осцилляторы

tpsgc-pwgsc.gc.ca

Эта ситуация дополнительно осложняется необходимостью адаптации существующего законодательства к техническим требованиям

[…]

изменение в ряде областей, включая цифровую запись, компьютер

[…] программное обеспечение, данные ba se s , микросхемы a n d биотехнология.

europa.eu

Эта ситуация находится на бис, если требуется, чтобы адаптер действовал в соответствии с действующим законодательством о методах программирования и регистрации в определенном номере

[…]

domaines, dont l’enregistrement numrique, les logiciels, les

[…] banques de d onne s, les microcircuits et la biote ch nologie.

europa.eu

Как сказал г-н Маккормик, больше нельзя транспортировать шотландский виски в

. […] Континент или отправить o u r микросхем t o P aris, Frankfurt […]

или Милан.

europarl.europa.eu

Comme M. MacCormick l’a dit, il

[…]

n’est plus possible de transporter du виски верс ле континент

[…] ou d ‘ en voye r no s микросхемы Par is, Fr ancfort […]

или Милан.

europarl.europa.eu

и микроконтроллер ll e r микросхемы , m и изготовлены из […]

составной полупроводник, работающий на тактовой частоте более 40 МГц

eur-lex.europa.eu

et microc ir cuit s de microcommande, fab riqu s partir […]

из полупроводникового композитного материала и функции выше 40 МГц

eur-lex.europa.eu

Телекоммуникации: оборудование для передачи данных, телефонии и кабельного вещания,

[…]

Услуги связи, оптоволоконные или спутниковые

[…] связь на s , микросхемы , h yb rid схем, a n d электронный c o МП унц.

investquebec.com

tlcommunication: quipements de communication de donnes, de tlphonie et de cblodistribution, fournitures de services de

[…]

tlcommunications, связь по оптоволоконному кабелю или

[…] спутник, микросхемы, схемы hybrides et c ompo san tes lectroniques

investquebec.com

Microproce ss o r микросхемы “ , ” m icro-comp ut e r микросхемы “ a nd микроконтроллер ll e r микросхемы , h av ing любой из […]

следующие характеристики

eur-lex.europa.eu

Микросхемы микропроцессоры “, ” микросхемы микроконтроллеры “ и т. Д. ic rocircuits de microcommande, prsentant […]

L’une des caractristiques suivantes

eur-lex.europa.eu

Персонализированная смарт-карта ‘(5) означает смарт-карту

[…] содержат нг a микросхема w h ic h была […]

запрограммировано для конкретного приложения

[…]

и не может быть перепрограммирован пользователем для других приложений.

eur-lex.europa.eu

Персонализация микропроцессора карт

[…]

(5): карта микропроцессора (карта

[…] puce) contena nt un микросхема q ui a t программа […]

залить специальное приложение

[…]

et ne peut tre reprogramm par l’utilisateur for aucune autre application.

eur-lex.europa.eu

На данный момент исследовательская группа обнаружила, что взаимодействие между

[…]

отдельных контрольных ячейки и

[…] регулирует электрическую активность в t h e микросхеме . 8 0 процент клеток имеет возбуждающую […]

эффект, 20 процентов ингибирующий эффект.

эт-рат.ch

Le groupe de recherche a jusqu’alors

[…]

dcouvert que l’osmose entre

[…] les diffrentes cellules contrle et commande l’activit lectriqu e du micro-r se au. 80 […]

% клеток являются стимуляторами, а 20% – модераторами.

eth-rat.ch

(5) означает, что смарт-карта содержит нг микросхему w h ic h была запрограммирована для конкретного приложения и не может быть перепрограммирована для любого другого приложения с помощью пользователь.

eur-lex.europa.eu

(6): метод определения постоянных параметров и автоматических действий по вылету в экстраполюсное положение плюс вероятное действующее значение, en temps rel.

eur-lex.europa.eu

microcontro ll e r микросхемы , s – rage интегральные схемы, изготовленные из составного полупроводника, аналого-цифровые преобразователи, цифро-аналоговые преобразователи, электро -оптический или

eur-lex.europa.eu

микросхемы микроконтроллеры, схемы intgrs mmoires fabriqus partir d’un semi-conducteur compos, аналоговые преобразователи, аналоговые преобразователи, электронные схемы и т.д.

eur-lex.europa.eu

Продукт Исследуемые продукты относятся к определенному типу s o f микросхем k n ow n в виде динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) в собранном или обработанном виде […]

пластина или матрица всех технологий МОП

[…]

и любой плотности независимо от технических свойств.

europa.eu

Produit Les produits faisant l’objet de

[…]

l’enqute sont

[…] определенные типы s микроструктуры l ec troniques dites “DRAM” (динамическая память с произвольным доступом), qu’ils soient Assembls sous la forme de disques or microplaquettes […]

traits, et faisant

[…]

обращений к технологиям изготовления MOS и способам создания различных методов.

europa.eu

Высокопроизводительный анализ микросхем отдельного человеческого мозга с помощью мультинейронного патч-зажима нового поколения

Существенные изменения:
1) Одной из основных проблем является система очистки пипеток, адаптированная авторами. В соответствии с исходным протоколом CR Forest, необходим дополнительный этап для очистки остаточного детергента, приставшего к внешней поверхности наконечника пипетки с помощью CSF, перед перемещением пипеток в записывающую камеру для попытки пластыря, однако Пэн и его коллеги пропустили этот шаг.Авторы заявляют, что есть веская практическая причина для пропуска этого шага, но данных в поддержку этой практики предоставлено мало или они отсутствуют. Они утверждают, что не было различий в качестве записи или электрофизиологических свойствах между пипетками вначале и после очистки, но эти утверждения должны быть подтверждены данными. В частности, было бы важно сообщить, как мембранный потенциал, входное сопротивление, синаптические события и параметры потенциала действия (амплитуда, ширина и др.) Меняются со временем после исправления и повторного сопоставления.

Благодарим вас за понимание нашего обоснования отказа от дополнительной очистки. Мы согласны с тем, что эта практика и наше заявление о неизменной физиологии нейронов должны быть подтверждены дополнительными данными. Чтобы оценить возможное влияние нашего протокола очистки на качество записи и электрофизиологические свойства, мы провели дополнительные эксперименты на острых срезах головного мозга из моторной коры крыс. Мы зарегистрировали 81 нейрон в 12 срезах мозга от 2 животных (P21, P22) с помощью 28 пипеток с 2 последовательными циклами очистки и сравнили клеточную и синаптическую физиологию.Мы исключили 4 интернейрона, кроме того, были исключены 9 клеток с деполяризованным мембранным потенциалом, которые были зарегистрированы на свежих и очищенных пипетках с равной вероятностью (3/28 клеток со свежими пипетками, 2/28 клеток после первой очистки и 4/28 клеток после второй очистки. ), подробнее см. в разделе «Материалы и методы».

Мы построили график распределения клеточных и синаптических свойств свежих и очищенных пипеток на рисунке 3. Кроме того, мы рассчитали среднее относительное изменение и его доверительный интервал для всех запрошенных параметров.Мы обнаружили, что относительное изменение среднего значения этих параметров находится в пределах 10%. Мы также рассчитали доверительный интервал этих относительных средних изменений, который представляет собой границы статистически значимой эквивалентности. В целом, мы не нашли доказательств систематического воздействия нашего подхода к очистке на клеточную или синаптическую физиологию. Мы включили статистические результаты в качестве исходных данных на рис. 3 и соответствующим образом адаптировали раздел «Материалы и методы».

2) В статье слишком много внимания уделяется анализу связности и игнорируются его ограничения, например.г., ложные негативы. Вместо этого авторы могут пожелать подчеркнуть, что мультипатч-запись в настоящее время является единственным доступным методом для анализа прочности и кратковременной пластичности моносинаптической связи.

Мы благодарим рецензента за то, что он поднял этот вопрос, и согласны с тем, что существуют ограничения в отношении анализа связности с использованием мультипатч-записей. Мы включили параграф, посвященный потенциальным причинам ложноотрицательных результатов в Обсуждение.

Мы также согласны с тем, что синаптическая сила и краткосрочная пластичность являются важными параметрами этих связей.Несмотря на то, что парная конфигурация записи с фиксацией фиксации представляет собой оптимальный подход к анализу этих параметров, их также можно определить, комбинируя записи с фиксацией фиксации с двухфотонной фиксацией глутамата или оптогенетической стимуляцией. Однако надежность пресинаптической стимуляции может быть ниже, чем при использовании метода патч-кламп. Мы подчеркнули важность этих параметров и технические преимущества мультипатч-подхода в соответствующем разделе «Обсуждение».

3) Важные отсутствующие экспериментальные детали включают в себя указание на возможность исправления ячеек во время записи из других ячеек, время, необходимое для проверки возможности подключения, и анализ распределения расстояний между записанными ячейками (например,g., является ли распределение ячеек по расстояниям, полученным для расширения записей, таким же, как полученное изначально?).

Хотя проверка возможности подключения одновременно с установкой исправлений сэкономит время, мы воздержались от этого по нескольким практическим причинам, которые мы изложили в новом абзаце в разделе «Результаты». Мы также включили время, необходимое для проверки возможности подключения и измерения внутренних свойств ячеек (раздел «Результаты»).

Мы благодарим рецензента за то, что он поднял важный вопрос о том, что межсоматические расстояния могут влиять на вероятность соединения и что следует контролировать расположение повторно спаренных клеток, чтобы предотвратить возможное смещение.Как и предполагалось, мы проанализировали влияние очистки с расширением на межсоматическое расстояние в наших предыдущих экспериментах с предубикулумом крыс и обнаружили аналогичное распределение между кластерами, полученными с и без очистки с расширением. Мы построили распределение расстояний на Рисунке 5 – в приложении 1 к рисунку и обсудили их в разделе «Результаты».

4) Авторы подчеркивают некоторые преимущества полуавтоматического подхода, но не определяют другие аспекты экспериментов с несколькими патчами, которые могут выиграть от автоматизации – например, сбор данных и онлайн-контроль качества, а также обнаружение соединения в реальном времени.Учитывая потенциал для сбора такого большого количества данных, следует рассмотреть формат данных (например, нейроданные без границ), совместное использование данных, автоматизацию обнаружения и анализа соединений.

Мы согласны с тем, что существует множество аспектов экспериментов, которые можно автоматизировать в дальнейшем, и мы также убеждены, что увеличение объема данных требует стандартизации анализа и формата данных. Однако мы видим компромисс между экспериментальной гибкостью и автоматизацией сбора и анализа данных.Поскольку мы хотели максимизировать применимость для других групп и их конкретных вопросов в этом отчете, мы использовали коммерчески доступное программное обеспечение для сбора данных, в то время как автоматический анализ трассировки для обнаружения соединений, безусловно, важен и является постоянной задачей. Хотя программное обеспечение Signal также может выполнять онлайн-анализ, мы считаем, что это необходимо только для экспериментов с обратной связью. Мы включили новый абзац по этим вопросам в раздел «Обсуждение». Мы также поддерживаем усилия открытой науки и разработки стандартизированного формата данных для облегчения сотрудничества.Мы предоставили предложения по этой теме в разделе «Обсуждение».

5) Несмотря на то, что использование редких живых тканей человека и особенно для увеличения объема данных по каждому образцу является веским основанием для разработки систем с несколькими заплатками, возможно, еще не известно, будет ли этого достаточно для исследования разницы между лиц. Какие различия наблюдались при обсуждении различий между людьми? Типы ячеек, связи? Я бы посоветовал авторам смягчить это утверждение.

Мы понимаем озабоченность автора обзора относительно статистической силы наших размеров выборки для выявления значимых различий между людьми. Мы хотим подчеркнуть, что наша основная цель получения больших выборок от отдельных пациентов состоит не в том, чтобы определить эти различия между отдельными людьми, а, скорее, в том, чтобы получить способность оценивать индивидуальную вариабельность. Мы считаем, что это очень важно, поскольку ткань получена от очень разнородной группы пациентов.Анализ данных на индивидуальном уровне может помочь нам определить инвариантные параметры, которые могут указывать на общие принципы коры головного мозга человека. С другой стороны, параметры с высокой индивидуальной вариабельностью следует анализировать с осторожностью и подлежать дальнейшему исследованию. Поэтому мы считаем, что получение статистически значимых наборов данных у одиноких пациентов является важным шагом для мотивации и руководства будущими исследованиями. Мы перефразировали и детализировали наше заявление в рукописи, чтобы лучше отразить этот аспект (Аннотация; Введение; Обсуждение).

В нашем предварительном анализе мы не обнаружили существенных различий во взаимосвязи пирамидных клеток между пациентами, в то время как мы определили, что доверительный интервал различий в вероятности соединения находился в диапазоне от -5% до 9,5%. В целом, мы полагаем, что полный анализ и обсуждение потенциальных инвариантных и вариантных параметров выходят за рамки этого технического отчета и его лучше рассмотреть в отдельной исследовательской статье. Мы добавили статистический анализ в соответствующие разделы «Результаты» и «Материалы и методы».

[Примечание редакции: до принятия были запрошены дополнительные исправления, как описано ниже.]

Рукопись была значительно улучшена, но остается одна проблема, которую необходимо решить перед принятием, как указано ниже:
Относительно новых экспериментов по повторному связыванию после обработки Alconox без промывки Alconox (подраздел «Окончательная последовательность удаления не требует дополнительных лунок, содержащих aCSF»). Они убедительны и показывают, что в тканях мозга молодых крыс в целом наблюдается небольшой кумулятивный эффект процесса очистки на последующее здоровье нейронов.Здесь нужно прояснить два момента.
1) Ожидают ли авторы, что результаты со зрелой тканью мозга человека будут эквивалентны результатам с тканью мозга молодой крысы? Есть ли какие-либо ограничения, о которых нам следует знать в этом валидационном эксперименте.
2) Были ли когда-либо одни и те же нейроны репатриированы после очистки? Это позволит провести прямое сравнение свойств нейронов до и после очистки патч-пипетки.

Мы провели первые ревизионные эксперименты на крысах, потому что у нас редко есть человеческие ткани и мы не получали их во время ревизии.Мы также не пытались перепатчить одни и те же нейроны. Однако нам повезло, и мы дважды получали человеческую ткань за последние две недели, и теперь мы провели дополнительные эксперименты, чтобы оценить влияние очистки на электрофизиологические свойства нейронов человека.

Мы сравнили свойства нейронов, обработанных свежими (n = 24) или очищенными пипетками (n = 9, рисунок 3 – приложение к рисунку 1). Мы также перепрограммировали те же нейроны той же очищенной пипеткой (n = 9, рисунок 3 – приложение к рисунку 2) или другой свежей пипеткой (n = 5, рисунок 3 – приложение к рисунку 3).Мы могли показать, что внутренние электрофизиологические свойства человеческих нейронов были и оставались одинаковыми в разных условиях (статистические данные и тесты на рисунке 3 – исходные данные 1). Хотя мы действительно наблюдали значительное снижение входного сопротивления в клетках, повторно сопоставленных с помощью очищенной пипетки, несколько дополнительных факторов могли способствовать изменчивости в этих нейронах, например, эффект самовоспроизведения или прошедшее время. Эти не зависящие от очистки изменения отражаются в вариабельности, обнаруженной также в нейронах, повторно обработанных свежими пипетками (рис. 3 – приложение к рис. 3).

Поскольку мы показали, что сама пипетка не оказывает систематического воздействия на внутренние свойства, мы также рассмотрели возможность того, что внеклеточный раствор, в котором были промыты пипетки, мог иметь эффект (Рисунок 3 – рисунок Приложение 4). Поэтому мы исправили кластеры нейронов (n = 19) и сравнили их свойства и синаптические связи (n = 7) до и после очистки других пипеток, чтобы смоделировать изменения во внеклеточном растворе после промывания.Опять же, мы обнаружили, что потенциал мембраны покоя и кинетика потенциала действия оставались очень стабильными (средняя относительная разница в пределах 2%), в то время как входное сопротивление и сопротивление доступа увеличивались. Мы также не наблюдали определенной тенденции в постсинаптических амплитудах между этими двумя состояниями, которые показали как небольшое увеличение, так и уменьшение (n = 7, рисунок 3 – приложение к рисунку 5, рисунок 3 – исходные данные 2). Мы соответствующим образом скорректировали разделы «Результаты» и «Материалы и методы» в рукописи.

В целом, мы смогли показать, что результаты наших экспериментов по очистке нейронов человека аналогичны тем, которые мы продемонстрировали на нейронах крысы, даже когда та же самая клетка была репатриирована.Мы действительно увидели, что входное сопротивление уменьшилось в клетках, повторно обработанных очищенной пипеткой, и увеличилось в клетках, записанных в ACSF после промывки. Хотя повторная синхронизация, время записи и нейронная изменчивость могут повлиять на эти параметры, мы не можем исключить эффект очистки пипетки в этом случае. Поэтому мы подчеркиваем, что эти валидационные эксперименты ограничиваются нашими настройками и вопросами исследования и что любая реализация нашей процедуры очистки другими должна быть тщательно проверена на параметры и в интересующей модели организма.Тем более, что прилипший детергент на пипетке может зависеть от множества факторов, которые необходимо учитывать и точно настраивать для каждой экспериментальной установки (подраздел «Окончательная последовательность изгнания не обязательно требует дополнительных лунок, содержащих aCSF»).

Кроме того, поскольку каждый патч-электрод использовался более одного раза, возможно, релевантным статистическим сравнением здесь является дисперсионный анализ повторных измерений, а не статистика популяции групп, как, по-видимому, показано на рис. 3J, K и L.

Спасибо за полезный совет. Мы выполнили повторные измерения ANOVA для 14 пипеток, с помощью которых были получены три успешных записи пирамидных клеток (свежие, 1x очистка, 2x очистка). Он не показал значительной тенденции, и мы включили результаты в рисунок 3 – исходные данные 2. Мы также соответствующим образом адаптировали разделы «Результаты» и «Материалы и методы».

https://doi.org/10.7554/eLife.48178.sa2

может помочь сделать несколько вдохов.

Abstract

Дыхание у млекопитающих – это, казалось бы, простое поведение, контролируемое мозгом.Ядро ствола мозга, называемое комплексом пре-Бетцингера, находится в центре нервной цепи, генерирующей дыхательный ритм. Несмотря на открытие этой микросхемы почти 25 лет назад, механизмы управления дыханием остаются неуловимыми. Учитывая кажущуюся простоту и четко определенный характер регулирующего дыхательного поведения, идентификацию большей части схем и способность изучать дыхание как in vitro, так и in vivo, многие нейробиологи и физиологи удивлены тем, что генерация дыхательного ритма все еще плохо понял.Мы считаем, что обычные ритмогенные механизмы, включающие кардиостимуляторы, торможение или взрыв, являются проблематичными, и что упрощающие предположения, обычно сделанные для многих нейронных цепей позвоночных, игнорируют соответствующие детали. Мы предполагаем, что новые возникающие механизмы управляют генерацией дыхательного ритма. То, что такая основная функция млекопитающих, как генерация ритма, возникает в результате сложных и динамических молекулярных, синаптических и нейронных взаимодействий внутри разнообразной нейронной микросхемы, подчеркивает проблемы в понимании нейронного контроля поведения млекопитающих, многие (значительно) более сложные, чем дыхание.Мы предполагаем, что нейронный контур, контролирующий дыхание, неподражаем и может вдохновить на общие стратегии по выяснению других нейронных микросхем.

Многие научные публикации, созданные UC, находятся в свободном доступе на этом сайте из-за политики открытого доступа UC. Сообщите нам, насколько этот доступ важен для вас.

Основное содержание

Загрузить PDF для просмотраПросмотреть больше

Больше информации Меньше информации

близко

Введите пароль, чтобы открыть этот PDF-файл:

Отмена ОК

Подготовка документа к печати…

Отмена

Нацеленность на микросхемы мозга может помочь в лечении аутизма | Спектр

Карта мозга: в префронтальной коре головного мозга мыши нейроны, активирующие сигналы (зеленый), образуют цепи с теми, которые подавляют сигналы (красный).

Это невероятно захватывающее время для исследований аутизма. Сложные исследования поведения и познания продвинули наше клиническое понимание аутизма далеко за рамки критериев, изложенных в Диагностическом и статистическом руководстве по психическим расстройствам .

В то же время исследования структурной и функциональной визуализации выявили определенные области мозга, нетипичные для аутизма. Наконец, генетические и эпидемиологические исследования выявляют все больше и больше факторов, повышающих риск заболевания.Но как преобразовать эту информацию в лечение?

Здесь я утверждаю, что понимание функции нейронных цепей, в частности микросхем в префронтальной коре и других частях мозга, будет играть важную роль в преобразовании результатов исследований в новые методы лечения.

Термин «микросхема» относится к набору взаимосвязанных нейронов в области мозга ¹. Некоторые исследования сосредоточены на микросхемах в отдельных слоях коры, в то время как другие рассматривают микросхемы, состоящие из взаимосвязанных нейронов в разных слоях.

Обычно исследователи предполагают, что микросхема в определенной области состоит из определенных типов клеток. Также предполагается, что возможность подключения в каждой микросхеме следует стереотипному шаблону, в котором ячейки определенного типа получают входные данные от аналогичных источников и отправляют выходные данные аналогичным целям.

Почему понимание работы микросхем должно быть важным для воплощения открытий об аутизме в новые методы лечения?

Проще говоря, после того, как мы определим, какие гены, проводящие пути, области мозга и воздействия окружающей среды участвуют в аутизме, нам нужно точно понять, как эти факторы влияют на поведение.Цель понимания функции микросхемы – объяснить, как изменения свойств клеток или синапсов, соединений между нейронами, приводят к изменениям в паттернах нейрональной активности, которые порождают поведение.

Общий перекресток:

Рассмотрим следующие три проблемы, на которые следует обратить внимание при изучении микросхем: Во-первых, большинство случаев аутизма, вероятно, имеет несколько генетических, экологических или связанных с развитием причин. В результате лекарства, нацеленные на определенные пути, могут иметь ограниченную эффективность, когда каждый путь вносит лишь небольшой вклад в общий риск аутизма.Однако несколько путей, вероятно, сходятся на каком-то уровне, на котором их индивидуальные эффекты объединяются, чтобы вызвать аутизм.

Микросхемы представляют собой место, где встречаются несколько типов клеток и синапсов. Мы предполагаем, что они могут представлять собой место патологической конвергенции при аутизме, и поэтому методы лечения, восстанавливающие типичную функцию микросхем, будут нацелены на окончательный общий путь.

Во-вторых, даже в случаях аутизма, вызванного одним или небольшим количеством факторов, эти факторы могут играть роль на раннем этапе развития и вызывать устойчивые изменения в организации и функционировании микросхем.

Например, синдром Тимоти, редкое заболевание, вызывающее пороки сердца и аутизм, вызвано мутацией в гене, кодирующем субъединицу кальциевого ионного канала, который, помимо прочего, регулирует нейронную передачу сигналов. Исследование, опубликованное в прошлом году с использованием нейронов, полученных из клеток кожи людей с синдромом Тимоти, показало, что эта мутация может изменять развитие нейронов, изменяя относительное количество нейронов, принадлежащих к разным классам ².

Лечение, направленное на дисфункцию кальциевых каналов, может быть эффективным на ранних стадиях развития, но на более поздних этапах разработки может потребоваться также лечение возникающих изменений в структуре микросхемы.

В-третьих, с практической точки зрения было бы неэффективно разрабатывать отдельные методы лечения, нацеленные на каждый отдельный генетический, молекулярный путь или путь развития, который способствует аутизму. Возможность идентифицировать любые общие эффекты этих путей на функцию контура позволила бы разработать методы лечения случаев аутизма, возникающих по разным причинам.

Интегрирующий центр:

Итак, каковы перспективы обнаружения общих форм дисфункции микросхем, которые актуальны для множества случаев аутизма?

Одна из областей, которая привлекла интерес, – это медиальная префронтальная кора (mPFC).Префронтальная кора объединяет информацию из нескольких областей мозга, чтобы задействовать когнитивные функции высокого уровня, такие как планирование и принятие решений. Считается, что аномальная интеграция такой информации является основным признаком аутизма и коррелирует с социальным дефицитом ^3,4.

Давняя гипотеза состоит в том, что аутизм включает в себя избыток сигналов, активирующих нейронные цепи, по сравнению с теми, которые их подавляют. ⁵. Я участвовал в исследовании, опубликованном прошлым летом, в котором проверялось, может ли индукция такого возбуждающе-тормозного дисбаланса в mPFC у мышей воспроизводить аспекты аутизма.Как и предполагалось, стимуляция возбуждающих (но не тормозных) нейронов в mPFC с использованием лучей света нарушает социальное поведение у мышей ⁶.

В частности, эта оптогенетическая стимуляция связана с быстрыми мозговыми волнами в диапазоне гамма-частот (30–100 Гц), которые также можно измерить у людей с помощью электроэнцефалографии или магнитоэнцефалографии. Некоторые исследования обнаружили аналогичное увеличение гамма-ритмов у людей с аутизмом ⁷, хотя другие исследования сообщают о замедленных ритмах ^8,9.

Оптогенетическое исследование, безусловно, вызывает много вопросов. Например, оптогенетическая стимуляция временно инактивирует mPFC или меняет его выход? Тем не менее, исследование предполагает, что изменения в характере активности микросхем в mPFC, в частности, изменения возбуждающе-тормозного баланса или гамма-колебаний, представляют собой режимы дисфункции микросхем, которые могут способствовать аутизму.

Конечно, ничто из этого не означает, что терапевтические стратегии, нацеленные на конкретные генетические, молекулярные пути или пути развития, не будут эффективными методами лечения аутизма.Скорее, важно понимать, как такие манипуляции в конечном итоге изменяют функцию микросхемы, а также то, как они модулируют отдельные пути.

Измерение влияния возможных методов лечения на функцию микросхем может помочь нам определить наиболее эффективный из множества агентов, нацеленных на один и тот же молекулярный путь. И поиск способов манипулирования функцией микросхем может привести к новым терапевтическим стратегиям, которые не действуют напрямую на дисфункциональные молекулярные пути, а действуют вместо этого на параллельных путях – подобно тому, как объездные пути обеспечивают альтернативные маршруты для объезда пробок.

Преобразование генетических, анатомических, эволюционных и эпидемиологических данных в новые методы лечения аутизма является серьезной проблемой. Но я верю, что десятилетия исследований в области фундаментальной нейробиологии микросхем вместе с новыми инструментами, которые позволяют нам определить, как конкретные типы клеток способствуют функционированию микросхем ¹⁰, внесут полезный и важный вклад в это важное начинание.

Викаас Сохал – доцент кафедры психиатрии Калифорнийского университета в Сан-Франциско.

Ссылки :

1: Дуглас Р.Дж. и К.А. Мартин Анну. Rev. Neurosci . 27 , 419-451 (2004) PubMed

2: Pasca S.P. et al. Nat. Med. 17 , 1657-1662 (2011) PubMed

3: Assaf M. et al. Нейроизображение 53 , 247-256 (2010) PubMed

4: Dichter G.S. et al. Soc. Cogn. Аффект. Neurosci . 4 , 215-226 (2009) PubMed

5: Рубинштейн Дж.Л. и М. Merzenich Genes Brain Behav . 2 , 255-267 (2003) PubMed

6: Ижар О. и др. Природа 477 , 171-178 (2011) PubMed

7: Орехова Е.В. et al. Биол. Психиатрия 62 , 1022-1029 (2007) PubMed

8: Уилсон Т.В. et al. Биол. Психиатрия 62 , 192-197 (2007) PubMed

9: Gandal M.J. et al. Биол. Психиатрия 68 , 1100-1106 (2010) PubMed

10: Гонг С. et al. J. Neurosci. 27 , 9817-9823 (2007) PubMed

Безопасность | Стеклянная дверь

Мы получаем подозрительную активность от вас или от кого-то, кто использует вашу интернет-сеть. Подождите, пока мы убедимся, что вы настоящий человек. Ваш контент появится в ближайшее время. Если вы продолжаете видеть это сообщение, напишите нам чтобы сообщить нам, что у вас проблемы.

Nous aider à garder Glassdoor sécurisée

Nous avons reçu des activités suspectes venant de quelqu’un utilisant votre réseau internet.Подвеска Veuillez Patient que nous vérifions que vous êtes une vraie personne. Вотре содержание apparaîtra bientôt. Si vous continuez à voir ce message, veuillez envoyer un электронная почта à pour nous informer du désagrément.

Unterstützen Sie uns beim Schutz von Glassdoor

Wir haben einige verdächtige Aktivitäten von Ihnen oder von jemandem, der in ihrem Интернет-Netzwerk angemeldet ist, festgestellt. Bitte warten Sie, während wir überprüfen, ob Sie ein Mensch und kein Bot sind.Ihr Inhalt wird в Kürze angezeigt. Wenn Sie weiterhin diese Meldung erhalten, informieren Sie uns darüber bitte по электронной почте: .

We hebben verdachte activiteiten waargenomen op Glassdoor van iemand of iemand die uw internet netwerk deelt. Een momentje geduld totdat, мы исследовали, что u daadwerkelijk een persoon bent. Uw bijdrage zal spoedig te zien zijn. Als u deze melding blijft zien, электронная почта: om ons te laten weten dat uw проблема zich nog steeds voordoet.

Hemos estado detectando actividad sospechosa tuya o de alguien con quien compare tu red de Internet. Эспера mientras verificamos que eres una persona real. Tu contenido se mostrará en breve. Si Continúas recibiendo este mensaje, envía un correo electrónico a para informarnos de que tienes problemas.

Hemos estado percibiendo actividad sospechosa de ti o de alguien con quien compare tu red de Internet. Эспера mientras verificamos que eres una persona real.Tu contenido se mostrará en breve. Si Continúas recibiendo este mensaje, envía un correo electrónico a para hacernos saber que estás teniendo problemas.

Temos Recebido algumas atividades suspeitas de voiceê ou de alguém que esteja usando a mesma rede. Aguarde enquanto confirmamos que Você é Uma Pessoa de Verdade. Сеу контексто апаресера эм бреве. Caso продолжить Recebendo esta mensagem, envie um email para пункт нет informar sobre o проблема.

Abbiamo notato alcune attività sospette da parte tua o di una persona che condivide la tua rete Internet.Attendi mentre verifichiamo Che sei una persona reale. Il tuo contenuto verrà visualizzato a breve. Secontini Visualizzare questo messaggio, invia un’e-mail all’indirizzo per informarci del проблема.

Пожалуйста, включите куки и перезагрузите страницу.

Этот процесс автоматический. Ваш браузер в ближайшее время перенаправит вас на запрошенный контент.

Подождите до 5 секунд…

Заводское обозначение: CF-102 / 61df6191d82b00b4.

И не микросхема: Справочник “Цифровые Интегральные Микросхемы”

Справочник “Цифровые Интегральные Микросхемы”

2.4.2 Микросхемы типа ЛА, ЛИ

Микросхема 7453

7453

Описание

Работа схемы

Применение

Технические данные

Состояние микросхем 7453

Состояние микросхем 74H53

Логические элементы

Рассмотрим простейшие логические элементы

Список микросхем 7400 семейства | Викитроника вики

Серия 1554 | Интеграл

Элементы транзисторных логик: схемы, ТТЛ, ТТЛШ, КМОП

Элементы транзисторно-транзисторной логики

Логические элементы ТТЛШ (на примере серии К555)

Микросхемы ТТЛШ

Особенности других логик

КМОП — логический элемент

Неиспользуемые выводы логических элементов и особенности их эксплуатации

новых способов уменьшить размеры микросхем на JSTOR

Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридный микросхемный ПК для сбора Электрооборудование и принадлежности Интегральные схемы (ИС)

Редкий Винтаж Советский Militay Space MCM Гибридный Микросхема ПК для Коллекции

Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридный ПК на микросхеме для коллекции

Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридный ПК на микросхеме для коллекции

Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридный ПК на микросхеме для коллекции

Редкий Винтаж СССР Советский Militay Space MCM Гибридный ПК на микросхеме для коллекции

электронные микросхемы – французский перевод – Linguee

Высокопроизводительный анализ микросхем отдельного человеческого мозга с помощью мультинейронного патч-зажима нового поколения

может помочь сделать несколько вдохов.

Нацеленность на микросхемы мозга может помочь в лечении аутизма | Спектр

Безопасность | Стеклянная дверь

Nous aider à garder Glassdoor sécurisée

Unterstützen Sie uns beim Schutz von Glassdoor

Больше новостей

Добавить комментарий Отменить ответ