Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

КТ 315 Легендарные Схемы – Усилитель по схеме ОБ с общей базой | Дмитрий Компанец

КТ315 транзистор рекордсмен

КТ315 транзистор рекордсмен

Кт 315 уникальный транзистор. То что его применяли во множестве радиоэлектронных устройств, проклинали за ломающиеся выводы, хвалили за устойчивость к превышению эксплуатационных параметров, думаю известно давно.
То что на его основе были созданы не традиционные схемы описание которых разошлось по всему интернету, говорит об экспериментаторской любви именно к этому транзистору.

Но сегодня я хочу обратиться к классике – Схеме усилителя всего на одном транзисторе КТ315 выполненного по схеме с общей базой

Схема усилителя на КТ315 по схеме с общей базой

Схема усилителя на КТ315 по схеме с общей базой

Такой усилитель очень устойчив к помехам по той причине, что имеет очень низкое входное сопротивление. Именно поэтому он хорошо усиливает сигналы от источников с низкоомных выходом – катушки звуковых трансформаторов, магнитофоны, микрофоны, телевизоры и приемники.

На входе усилителя стоит очень емкий конденсатор в 20 микрофарад через который сигнал поступает на эмиттер транзистора.
Выходной усиленный сигнал снимается с коллектора на высокоомные головные телефоны.
База в этой схеме является общей и для входного и для выходного сигнала, именно по этому такое включение транзистора именуется “С общей базой” или ОБ.

Так как ток коллектора в этой схеме всегда меньше тока эмиттера, то по току такая схема усиления не производит, с помощью такой схемы обеспечивается усиление по напряжению.

В сборке такая схема очень проста и требует минимум деталей. В случае отсутствия высокоомных наушников, можно воспользоваться звуковым трансформатором с выходом на низкоомный динамик или использовать небольшой сетевой понижающий трансформатор.

Неплохо такая схема ведет себя и с пьезо-динамиком (пищалкой), в этом случае паралельно пьезо-излучателю нужно установить резистор номиналом 1-3 килоома. Он необходим для обеспечения тока питания всей схемы и именно на нем будет выделяться усиленный сигнал.

Принципиальные схемы – Вспышки на светодиоде

Вспышки на светодиоде

К оглавлению
Вспышки на светодиоде
Надеюсь, вы уже обзавелись всем необходимым:
канифолью, припоем, паяльником, тестером. Наверное,
раздобыли и пару деталей, для чего разобрали старый телевизор.
Вот теперь можно приступать к созданию своей первой
радиолюбительской конструкции. Начнем, пожалуй, с самой
простой. Она будет представлять собой своеобразный
интерес для начинающего радиолюбителя – это схема вспышек
на светодиоде (рис. 5.1). Данная схема может
использоваться для индикации тревоги. Самоделка подключается к
стабилизированному источнику питания с напряжением 12 В.
Таким источником может быть блок питания с
регулируемым напряжением на выходе, купленный на радиорынке.
Стабилизированным источник питания называется потому,
что содержит стабилизатор, который держит выходное
напряжение на определенном уровне.

Наша схема максимально проста, содержит всего лишь
4 детали: транзистор КТ315 структуры n-p-п, резистор на
1,5 кОм, электролитический конденсатор на 470 мкФ и
напряжением не менее 16 В (напряжение конденсатора
должно быть всегда на порядок больше, напряжения питания

самоделки) и светодиод (в нашем случае красного свечения).
Для правильного подключения деталей надо знать их цоко-
левку (распиновку). Распиновка транзистора и светодиода
данной конструкции представлена на рис. 5.2. Транзисторы
серии КТ315 по внешнему виду такие же, как и КТ361.
Отличие только в размещении буквы. У первых буква
размещается сбоку, у вторых – посередине.
Теперь с помощью паяльника и проводов попробуем
собрать наше устройство. На рис. 5.3 показано, как вы должны
соединить между собой детали. Синие линии – это провода,
жирные черные точки – места пайки. Такой монтаж

называется навесным, существует также монтаж на печатных платах,
но с ним мы познакомимся немного позже.
Проверьте правильность соединения деталей и
подключите устройство к блоку питания. Свершилось чуцо – светодиод
стал ярко вспыхивать. Ваша первая самоделка заработала!


Электронная канарейка

В продолжение нашей учебы предлагаю собрать устройство
на двух транзисторах структуры p-n-р, которое будет
имитировать пение канарейки (рис. 5.4). Если предыдущее
устройство было сделано на скорую руку, без лишних
комментариев, то данная самоделка будет подробно описана, чтобы у вас
появилось представление о работе устройств.
Имитатор трелей канарейки представляет собой генератор,
составленный по схеме, которую называют в технике
мультивибратором. Его отличительная особенность в том, что
каскады на транзисторах соединены симметрично (см. рис. 5.4) –

коллектор каждого транзистора подключен через конденсатор
к базе другого. Тем не менее емкость конденсаторов
неодинакова (сравните: 50 мкФ и 5100 пкФ), поэтому мультивибратор
называют несимметричным. Кроме того, между базами
транзисторов установлен круг связи из конденсатора С1 и резистора
R2. Элементы мультивибратора подобраны так, что он
генерирует сигналы, которые, поступая на громкоговоритель (другое
название динамическая головка) SPK1, превращаются им в
звуковые колебания, похожие на трели канарейки.
Какие детали потребуются, чтобы составить это
устройство? Прежде всего, конечно, транзисторы (рис. 5.5). Кроме
показанных на схеме подойдут транзисторы КТ361 с любой

буквой, но они должны быть с одинаковыми или по возможности близкими
коэффициентами передачи тока – не меньшими 60. Что это значит? Каждый

транзистор имеет свой коэффициент передачи тока, для некоторых устроиств
он должен быть большим, для более простых это не имеет значения.
Коэффициент передачи тока можно измерить цифровым
тестером, но если такого нет под рукой, то ставьте
транзисторы наугад.
Электролитические конденсаторы С1 и С2 должны быть
рассчитаны на напряжение не менее 10 В. Емкость
конденсатора СЗ может колебаться в пределах 4700-5600 пкФ.
Динамическая головка подойдет самая маленькая, которую вы
только сможете приобрести. Выключатель питания S1
любого типа, источник питания VI – батарея типа «Крона» или
другой стабилизированный источник питания на 9 В. Как
видите, деталей не так уж и много.
Соберите самоделку так же, как и предыдущую, навесным
монтажом. Впрочем, есть еще один простой способ –
использовать картон. Пробиваете шилом отверстия под детали, а
потом соединяете их проводами.
Настало время подвергнуть испытанию самоделку.
Прежде всего проверьте внимательно монтаж и убедитесь в
правильности всех соединений и надежности паек. Потом
подайте выключателем питание и послушайте звуки в
громкоговоритель. Они должны звучать через 1-2 секунды
после включения устройства. Сначала будет слышно
клацанье, которое имитирует трель канарейки, а потом настанет
пауза, после которой трели возобновятся. Так будет длиться
до тех пор, пока включено питание.
Возможно, вы пожелаете изменить звучание
«электронной канарейки». Для этого надо знать влияние параметров
тех или других деталей на трели, которые имитируются.
Например, тональность трели зависит от конденсатора СЗ:
с уменьшением его емкости звуки становятся более
резкими, увеличение же емкости конденсатора смягчает звуки.
Количество звуков трели (иначе говоря, частоту их появления)

определяет конденсатор С1. Если уменьшить его емкость,
частота звуков-клацаний (а значит и количество их)
возрастет. Влияет на это и резистор R2, но основное его
назначение – прекращать трель после определенного количества
звуков, причем от сопротивления этого резистора зависит
продолжительность последнего звука трели. Она
увеличивается с повышением сопротивления резистора. Однако
сильно изменять сопротивление резистора опасно, так как
это может привести к нарушению нормальной работы
устройства. Так, при чрезмерном увеличении сопротивления
последний звук трели начнет беспрерывно повторяться, и
услышать новую трель удастся только после

кратковременного выключения питания. Уменьшение же сопротивления
резистора вообще приведет к прекращению трелей. А
когда случайно выйдет из строя (например, при обрыве
проводов) резистор R2 или конденсатор С1, в громкоговорителе
будет слышен постоянный негромкий свист. Конденсатор
С2 определяет продолжительность каждой трели и паузы
между ними – с увеличением емкости конденсатора они
также увеличиваются.
Наше устройство может иметь самое разное применение.
Его можно использовать в качестве дверного звонка. Для
этого вам потребуется поменять выключать S1 на кнопку.

Индикатор занятой телефонной линии

С каждым новым устройством у нас появляется большее
количество транзисторов, и следующая самоделка не
исключение. Когда к одной телефонной линии подключено
несколько телефонов, которыми в свою очередь пользуются
несколько абонентов, всегда сложно угадать – занят телефон
или нет.

Можно, конечно, поднять трубку, но это приводит к
невольному нарушению конфиденциальности чужого
разговора. Устройство, схема которого приведена на рис. 5.6,
поможет вам этого избежать. Данная схема не требует
дополнительного питания, так как питается от самой телефонной
линии. При свободной телефонной линии светодиод HL1
светится, при занятой – гаснет. В данной самоделке мы
ознакомимся с новыми транзисторами.

В этой конструкции мы увидим новые детали: диодный
мост и стабилитрон. Диодный мост – это совокупность
четырех определенно включенных диодов. Диодный мост (на
рис. 5.6 – D1) позволяет преобразовать переменный ток в
постоянный, то есть превратить ток с неопределенной
полярностью в плюс и минус. Поэтому диодные мосты – это
обязательная часть любого блока питания. Еще одна важная деталь
нашей конструкции – стабилитрон (на рис. 5.6 – D2). Он
позволяет удерживать напряжение в точно заданной позиции.

Например, стабилитрон на 5 В, будет держать 5 В, на 10 – буцет
держать 10 В и т. д. Но это совсем не означает, что он не может
удерживать меньшее напряжение. А вот большее – нет.

Детали нашего индикатора могут быть любыми, важно,
чтобы стабилитрон был на 15 В. Если не найдете
подходящего, составьте его из двух последовательно включенных
стабилитронов, например Д814А и КС168А. Сумма
максимального стабилизированного напряжения двух
стабилитронов должна быть 15 В. К сожалению, их размеры
оставляют желать лучшего, как и размеры КС215Ж. Советую
приобрести импортный малогабаритный стабилитрон.
Импортный диодный мост DB107 можно заменить на
отечественный КЦ405. Внешний вид транзисторов (а также цоко-
левка), диодного моста показан на рис. 5.7.

При правильной сборке данная самоделка не нуждается в
налаживании и при подключении к телефонной линии сразу
начинает работать.

Можно ли использовать транзистор подключить эмиттер коллектор. Схемы включения транзистора. Схема включения с общим коллектором

Поскольку тема транзисторов весьма и весьма обширна, то посвященных им статей будет две: отдельно о биполярных и отдельно о полевых транзисторах.

Транзистор, как и диод, основан на явлении p-n перехода. Желающие могут освежить в памяти физику протекающих в нем процессов или .

Необходимые пояснения даны, переходим к сути.

Транзисторы. Определение и история

Транзистор – электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. (tranzistors.ru)

Первыми были изобретены полевые транзисторы (1928 год), а биполярные появилсь в 1947 году в лаборатории Bell Labs. И это была, без преувеличения, революция в электронике.

Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. И по сей день, насколько бы «навороченной» не была микросхема, она все равно содержит в себе множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и проч.). Только очень маленьких.

Кстати, изначально «транзисторами» называли резисторы, сопротивление которых можно было изменять с помощью величины подаваемого напряжения. Если отвлечься от физики процессов, то современный транзистор тоже можно представить как сопротивление, зависящее от подаваемого на него сигнала.

В чем же отличие между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и электроны, и дырки («бис» – дважды). А в полевом (он же униполярный) – или электроны, или дырки.

Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые – в цифровой.

И, напоследок: основная область применения любых транзисторов – усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.

Биполярный транзистор. Принцип работы. Основные характеристики


Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам.

Прежде, чем рассматривать физику работы транзистора, обрисуем общую задачу.


Она заключаются в следующем: между эмиттером и коллектором течет сильный ток (ток коллектора ), а между эмиттером и базой – слабый управляющий ток (ток базы ). Ток коллектора будет меняться в зависимости от изменения тока базы. Почему?
Рассмотрим p-n переходы транзистора. Их два: эмиттер-база (ЭБ) и база-коллектор (БК). В активном режиме работы транзистора первый из них подключается с прямым, а второй – с обратным смещениями. Что же при этом происходит на p-n переходах? Для большей определенности будем рассматривать n-p-n транзистор. Для p-n-p все аналогично, только слово «электроны» нужно заменить на «дырки».

Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но бо льшая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны – неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера. А теперь следите за руками. Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом, произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу . Еще раз: сильное изменение тока коллектора является пропорциональным отражением слабого изменения тока базы.

Помню, моей одногрупнице принцип работы биполярного транзистора объясняли на примере водопроводного крана. Вода в нем – ток коллектора, а управляющий ток базы – то, насколько мы поворачиваем ручку. Достаточно небольшого усилия (управляющего воздействия), чтобы поток воды из крана увеличился.

Помимо рассмотренных процессов, на p-n переходах транзистора может происходить еще ряд явлений. Например, при сильном увеличении напряжения на переходе база-коллектор может начаться лавинное размножение заряда из-за ударной ионизации. А вкупе с туннельным эффектом это даст сначала электрический, а затем (с возрастанием тока) и тепловой пробой. Однако, тепловой пробой в транзисторе может наступить и без электрического (т.е. без повышения коллекторного напряжения до пробивного). Для этого будет достаточно одного чрезмерного тока через коллектор.

Еще одно явления связано с тем, что при изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах меняется их толщина. И если база черезчур тонкая, то может возникнуть эффект смыкания (так называемый «прокол» базы) – соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает, и транзистор перестает нормально работать.

Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз. Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно h31 . Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст статический коэффициент усиления по току . Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается.

Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора . Согласно закону Ома, оно представляет собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления.

Третий параметр биполярного транзистора – коэффициент усиления по напряжению . Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер-коллектор) и входного (база-эмиттер) переменных напряжений. Поскольку первая величина обычно очень большая (единицы и десятки вольт), а вторая – очень маленькая (десятые доли вольт), то этот коэффициент может достигать десятков тысяч единиц. Стоит отметить, что каждый управляющий сигнал базы имеет свой коэффициент усиления по напряжению.

Также транзисторы имеют частотную характеристику , которая характеризует способность транзистора усиливать сигнал, частота которого приближается к граничной частоте усиления. Дело в том, что с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления снижается. Это происходит из-за того, что время протекания основных физических процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. Т.е. транзистор просто не успевает реагировать на изменения входного сигнала и в какой-то момент просто перестает его усиливать. Частота, на которой это происходит, и называется граничной .

Также параметрами биполярного транзистора являются:

  • обратный ток коллектор-эмиттер
  • время включения
  • обратный ток колектора
  • максимально допустимый ток

Условные обозначения n-p-n и p-n-p транзисторов отличаются только направлением стрелочки, обозначающей эмиттер. Она показывает то, как течет ток в данном транзисторе.

Режимы работы биполярного транзистора

Рассмотренный выше вариант представляет собой нормальный активный режим работы транзистора. Однако, есть еще несколько комбинаций открытости/закрытости p-n переходов, каждая из которых представляет отдельный режим работы транзистора.
  1. Инверсный активный режим . Здесь открыт переход БК, а ЭБ наоборот закрыт. Усилительные свойства в этом режиме, естественно, хуже некуда, поэтому транзисторы в этом режиме используются очень редко.
  2. Режим насыщения . Оба перехода открыты. Соответственно, основные носители заряда коллектора и эмиттера «бегут» в базу, где активно рекомбинируют с ее основными носителями. Из-за возникающей избыточности носителей заряда сопротивление базы и p-n переходов уменьшается. Поэтому цепь, содержащую транзистор в режиме насыщения можно считать короткозамкнутой, а сам этот радиоэлемент представлять в виде эквипотенциальной точки.
  3. Режим отсечки . Оба перехода транзистора закрыты, т.е. ток основных носителей заряда между эмиттером и коллектором прекращается. Потоки неосновных носителей заряда создают только малые и неуправляемые тепловые токи переходов. Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов, их сопротивление сильно возрастает. Поэтому часто считают, что транзистор, работающий в режиме отсечки, представляет собой разрыв цепи.
  4. Барьерный режим В этом режиме база напрямую или через малое сопротивление замкнута с коллектором. Также в коллекторную или эмиттерную цепь включают резистор, который задает ток через транзистор. Таким образом получается эквивалент схемы диода с последовательно включенным сопротивлением. Этот режим очень полезный, так как позволяет схеме работать практически на любой частоте, в большом диапазоне температур и нетребователен к параметрам транзисторов.

Схемы включения биполярных транзисторов

Поскольку контактов у транзистора три, то в общем случае питание на него нужно подавать от двух источников, у которых вместе получается четыре вывода. Поэтому на один из контактов транзистора приходится подавать напряжение одинакового знака от обоих источников. И в зависимости от того, что это за контакт, различают три схемы включения биполярных транзисторов: с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ). У каждой из них есть как достоинства, так и недостатки. Выбор между ними делается в зависимости от того, какие параметры для нас важны, а какими можно поступиться.

Схема включения с общим эмиттером

Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току (а отсюда и по мощности – до десятков тысяч единиц), в связи с чем является наиболее распространенной. Здесь переход эмиттер-база включается прямо, а переход база-коллектор – обратно. А поскольку и на базу, и на коллектор подается напряжение одного знака, то схему можно запитать от одного источника. В этой схеме фаза выходного переменного напряжения меняется относительно фазы входного переменного напряжения на 180 градусов.

Но ко всем плюшкам схема с ОЭ имеет и существенный недостаток. Он заключается в том, что рост частоты и температуры приводит к значительному ухудшению усилительных свойств транзистора. Таким образом, если транзистор должен работать на высоких частотах, то лучше использовать другую схему включения. Например, с общей базой.

Схема включения с общей базой

Эта схема не дает значительного усиления сигнала, зато хороша на высоких частотах, поскольку позволяет более полно использовать частотную характеристику транзистора. Если один и тот же транзистор включить сначала по схеме с общим эмиттером, а потом с общей базой, то во втором случае будет наблюдаться значительное увеличение его граничной частоты усиления. Поскольку при таком подключении входное сопротивление низкое, а выходное – не очень большое, то собранные по схеме с ОБ каскады транзисторов применяют в антенных усилителях, где волновое сопротивление кабелей обычно не превышает 100 Ом.

В схеме с общей базой не происходит инвертирование фазы сигнала, а уровень шумов на высоких частотах снижается. Но, как уже было сказано, коэффициент усиления по току у нее всегда немного меньше единицы. Правда, коэффициент усиления по напряжению здесь такой же, как и в схеме с общим эмиттером. К недостаткам схемы с общей базой можно также отнести необходимость использования двух источников питания.

Схема включения с общим коллектором

Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь.

Напомню, что отрицательной называют такую обратную связь, при которой выходной сигнал подается обратно на вход, чем снижает уровень входного сигнала. Таким образом происходит автоматическая корректировка при случайном изменении параметров входного сигнала

Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме с общим эмиттером. А вот коэффициент усиления по напряжению маленький (основной недостаток этой схемы). Он приближается к единице, но всегда меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по мощности получается равным всего нескольким десяткам единиц.

В схеме с общим коллектором фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным – потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.

Такое включение используют для согласования транзисторных каскадов или когда источник входного сигнала имеет высокое входное сопротивление (например, пьезоэлектрический звукосниматель или конденсаторный микрофон).

Два слова о каскадах

Бывает такое, что нужно увеличить выходную мощность (т.е. увеличить коллекторный ток). В этом случае используют параллельное включение необходимого числа транзисторов.

Естественно, они должны быть примерно одинаковыми по характеристикам. Но необходимо помнить, что максимальный суммарный коллекторный ток не должен превышать 1,6-1,7 от предельного тока коллектора любого из транзисторов каскада.
Тем не менее (спасибо за замечание), в случае с биполярными транзисторами так делать не рекомендуется. Потому что два транзистора даже одного типономинала хоть немного, но отличаются друг от друга. Соответственно, при параллельном включении через них будут течь токи разной величины. Для выравнивания этих токов в эмиттерные цепи транзисторов ставят балансные резисторы. Величину их сопротивления рассчитывают так, чтобы падение напряжения на них в интервале рабочих токов было не менее 0,7 В. Понятно, что это приводит к значительному ухудшению КПД схемы.

Может также возникнуть необходимость в транзисторе с хорошей чувствительностью и при этом с хорошим коэффициентом усиления. В таких случаях используют каскад из чувствительного, но маломощного транзистора (на рисунке – VT1), который управляет энергией питания более мощного собрата (на рисунке – VT2).

Другие области применения биполярных транзисторов

Транзисторы можно применять не только схемах усиления сигнала. Например, благодаря тому, что они могут работать в режимах насыщения и отсечки, их используют в качестве электронных ключей. Также возможно использование транзисторов в схемах генераторов сигнала. Если они работают в ключевом режиме, то будет генерироваться прямоугольный сигнал, а если в режиме усиления – то сигнал произвольной формы, зависящий от управляющего воздействия.

Маркировка

Поскольку статья уже разрослась до неприлично большого объема, то в этом пункте я просто дам две хорошие ссылки, по которым подробно расписаны основные системы маркировки полупроводниковых приборов (в том числе и транзисторов):

Транзисторы лежат в основе большинства электронных устройств. Он могут быть в виде отдельных радиодеталей, или в составе микросхем. Даже самый сложный микро­процессор состоит из великого множества малюсеньких транзисторов, плотно разме­щенных в его могучем кристалле.

Транзисторы бывают разные. Две основ­ные группы – это биполярные и полевые. Биполярный транзистор обозначается на схеме, так как показано на рисунке 1. Он бывает прямой (р-п-р) и обратной (п-р-п) проводимости. Структура транзистора, и физические процессы, происходящие в нем изучается в школе, так что здесь о ней гово­рить не будем, – так сказать, ближе к прак­тике. В сущности, разница в том, что р-п-р транзисторы подключают так, чтобы на их эмиттер поступал положительный потенциал напяжения, а на коллектор – отрицательный. Для транзисторов n-p -п – все наоборот, на эмиттер дают отрицательный потенциал, на коллектор – положительный.

Зачем нужен транзистор? В основном его используют для усиления тока, сигналов, напряжения. А усиление происходит за счет источника питания. Попробую объяснить принцип работы «на пальцах». В автомаши­не есть вакуумный усилитель тормоза. Когда водитель нажимает на педаль тормоза, его мембрана перемещается и открывается клапан через который двигатель машины всасывает эту мембрану, добавляя ей усилие. В результате слабое усилие нажима на педаль тормоза приводит к сильному усилию на тормозных колодках. А добавка силы происходит за счет мощности работаю­щего мотора машины.

Вот и с транзистором похоже. На базу подают слабенький ток (рис. 2). Под действием этого тока проводимость коллек­тор – эмиттер увеличивается и через коллек­тор уже протекает куда более сильный ток, поступающий от источника питания. Изменя­ется слабый ток базы, – соответственно изменяется и сильный ток коллектора. В идеале, график изменения тока коллектора выглядит как увеличенная копия графика изменения тока базы.

Это различие между слабым током базы и сильным током коллектора называется коэф­фициентом усиления транзистора по току, и обозначается И21э. Определяется так: h31э = Ik /I6 (ток коллектора делить на ток базы). Чем больше данный параметр, тем лучше усилительные свойства транзистора.

Но это все в идеале. На самом деле зависи­мость тока коллектора от напряжения на базе не так уж и линейна. Следует вспомнить BAX диода, где в самом низу характеристики тока очень мал, и начинает резко наростать когда напряжение достигает определенного значения. Поскольку в основе транзистора лежат те же физические процессы, то и здесь имеется аналогичный «дефект».

Если мы соберем схему усилителя, показан­ную на рисунке 3, и будем говорить в микро­фон, в динамике звука не будет. Потому что напряжение на микрофоне очень мало, оно ниже порога открывания транзистора. Здесь не только не будет усиления, а даже наоборот, будет ослабление сигнала.

Чтобы транзистор заработал как усилитель нужно увеличить напряжение на его базе. Это можно сделать каким-то образом увели­чив напряжение на выходе микрофона. Но тогда теряеТся смысл усилителя. Или нужно схитрить, и подать на базу транзистора некоторое постоянное напряжение (рис.4) через резистор, такое чтобы транзистор приоткрыть. И слабое переменное напряже­ние подать на базу этого транзистора через конденсатор. Вот теперь самое важное, – слабое переменное напря­жение сложится с постоян­ным напряжением на базе. Напряжение на базе будет изменяться в такт слабому переменному напряжению. Но так как постоянное напряжение сместило рабо­чую точку транзистора на крутой линейный участок характеристики, происходит усиление.

Проще говоря, у слабого напряже­ния небыло сил чтобы открыть транзистор, и мы добавили ему в помощь постоян­ное напряжение, которое при­открыло транзис­тор. Еще проще (опять с водой), допустим, есть туго завинченный винтель, и ребенок повернуть его не может. Но папа может приоткрыть этот винтель, повернув его в приоткрытое положение, в котором он вращается легко. Теперь ребенок может регулировать напор воды в некоторых пределах. Вот здесь ребенок – это слабое переменное напряжение, а папа – это постоянное напряжение, поданное на базу транзистора через резистор.

Постоянное напряжение, которое подают на базу транзистора чтобы сместить его режим работы в участок с более крутой и линейной характеристикой, называется напряжением смещения. Изменяя это напряжение мы можем даже регулировать коэффициент усиления усилительного каскада.

Но транзисторы далеко не всегда исполь­зуются с напряжением смещения. Например, в усилительных каскадах передатчиков напряжение смещения на базы транзисторов могут и не подаваться, так как амплитуды входного переменного напряжения там впол­не достаточно для «раскачки» транзистора.

И если транзистор используется не в качестве усилителя, а в качестве ключа, то напряжение смещения тоже на базу не дают. Просто, когда ключ должен быть закрыт, – напряжение на базе равно нулю, а когда он должен быть открыт, – подают напряжение на базу достаточное для открывания транзистора. Это используется обычно в цифровой электронике, где есть только нули (нет напряжения) и единицы (напряжение есть) и никаких промежуточных значений.

На рисунке 5 показана практическая схема как сделать из репродуктора радиоточки компьютерную колонку. Нужен простой одно- программный репродуктор только с одной вилкой для подключения в радиосеть (у многопрограммного есть вторая вилка для электросети). Никаких изменений в схему репродуктора вносить не нужно. К коллек­тору транзистора он подключается так же как к радиосети.

Внутри однопрограммного репродуктора есть динамик, переменный резистор для регулировки громкости и трансформатор. Все это нужно, и оно остается. Когда вскроете корпус репродуктора, подпаивайте коллектор транзистора и плюс источника питания к тем местам, к которым подпаян его провод с вилкой. Сам провод можно убрать.

Для подключения к компьютеру нужен экранированный провод с соответствующим штекером на конце. Или обычный двухпро­водной провод. Если провод экранирован­ный, – оплетку подключайте к эмиттеру транзистора, а центральную жилу к конден­сатору С1.

Сигнал от компьютерной звуковой карты подают через штекер на конденсатор С1. Напряжение питания подают от сетевого блока питания. Лучше всего подходит блок питания от игровой приставки к телевизору, типа «Денди», «Кенга». Вообще годится любой блок питания с напряжением на выходе от 7V до 12V . Для подключения к блоку питания потребуется соответствующее гнездо, его нужно установить на корпусе репродуктора, просверлив для него отверстие. Хотя, конечно, можно подпаять провода от блока питания и непосредственно к схеме. Подключая источник питания нужно соблюдать полярность. Диод VD 1 в принципе не нужен, но он защищает схему от выхода из строя, если вы перепутаете плюс с минусом у блока питания. Без него при неправильном подключении питания транзис­тор можно сжечь, а с диодом, если полюса блока питания перепутаете, просто схема не включится.

Транзистор КТ315 в прямоугольном корпусе, у которого с одной стороны есть скос (на рисунке показано). Вот если этим скосом повернуть его от себя, а выводами вверх, то слева будет база, справа эмиттер, а коллектор посредине. Подойдет транзистор КТ315 с любой буквой (КТ315А, КТ315Б…). Транзистор нужно запаять правильно, не перепутав его выводы. Если ошибетесь и включите питание он может сдохнуть. Поэтому, после того как все спаяете не поле­нитесь раза три проверить правильность монтажа, правильно ли подпаяны выводы транзистора, конденсаторов, диода. И только когда будете уверены на все 100%, – включайте.

Диод VD 1 типа КД209. На нем отмечен анод. Можно поставить и другой диод, например, 1N 4004 или какой-то еще. Если диод впаяете неправильно схема работать

не будет. Так что, если все включили, но не работает, начинайте с проверки правиль­ности подключения диода.

Еще несколько причин того, что схема может не заработать:

Неправильно подключили источник питания.

Нет сигнала на выходе компьютера, либо громкость уменьшена или выключена регулировками в программе компьютера.

Регулятор громкости репродуктора в мини­мальном положении.

Конденсаторы – электролитические, на напряжение не меньше 12V . Подойдут наши К50-16, К50-35 или импортные аналоги. Следует заметить, что у наших конденсато­ров на корпусе стоит плюсик возле положи­тельного вывода, а у импортных минусик или широкая вертикальная полоска у отрицатель­ного вывода. Вместо конденсатора 10 мкф можно выбрать на любую емкость от 2 мкф до 20 мкф. Вместо конденсатора на 100 мкФ подойдет конденсатор любой емкости не менее 100 мкФ.

На рисунке ниже схемы показана монтажная схема, на ней места паек отмечены точками. Не перепутайте места паек с пересечением проводов. Монтаж сделан навесным спосо­бом, используя выводы деталей и монтаж­ные проводки. Всю схему желательно поместить внутрь корпуса репродуктора (там обычно очень много места).

Если все работает, но сильно фонит, – значит, вы перепутали провода, идущие к звуковой карте. Поменяйте их местами.

Запитывать схему от источника питания компьютера НЕ СЛЕДУЕТ!

Для стереоварианта можно сделать две колонки, входы объединив в один стерео- кабель для подключения к звуковой карте, ну и запитать обе колонки от одного блока питания.

Конечно с одним транзисторным каскадом колонка будет звучать негромко, но достаточно для прослушивания в небольшой комнате. Громкость можно регулировать как регулятором компьютера, так и ручкой, что есть у репродуктора.

Андреев С.

Электроника окружает нас всюду. Но практически никто не задумывается о том, как вся эта штука работает. На самом деле все довольно просто. Именно это мы и постараемся сегодня показать. А начнем с такого важного элемента, как транзистор. Расскажем, что это такое, что делает, и как работает транзистор.

Что такое транзистор?

Транзистор – полупроводниковый прибор, предназначенный для управления электрическим током.

Где применяются транзисторы? Да везде! Без транзисторов не обходится практически ни одна современная электрическая схема. Они повсеместно используются при производстве вычислительной техники, аудио- и видео-аппаратуры.

Времена, когда советские микросхемы были самыми большими в мире , прошли, и размер современных транзисторов очень мал. Так, самые маленькие из устройств имеют размер порядка нанометра!

Приставка нано- обозначает величину порядка десять в минус девятой степени.

Однако существуют и гигантские экземпляры, использующиеся преимущественно в областях энергетики и промышленности.

Существуют разные типы транзисторов: биполярные и полярные, прямой и обратной проводимости. Тем не менее, в основе работы этих приборов лежит один и тот же принцип. Транзистор – прибор полупроводниковый. Как известно, в полупроводнике носителями заряда являются электроны или дырки.

Область с избытком электронов обозначается буквой n (negative), а область с дырочной проводимостью – p (positive).

Как работает транзистор?

Чтобы все было предельно ясно, рассмотрим работу биполярного транзистора (самый популярный вид).

(далее – просто транзистор) представляет собой кристалл полупроводника (чаще всего используется кремний или германий ), разделенный на три зоны с разной электропроводностью. Зоны называются соответственно коллектором , базой и эмиттером . Устройство транзистора и его схематическое изображение показаны на рисунке ни же

Разделяют транзисторы прямой и обратной проводимости. Транзисторы p-n-p называются транзисторами с прямой проводимостью, а транзисторы n-p-n – с обратной.

Теперь о том, какие есть два режима работы транзисторов. Сама работа транзистора похожа на работу водопроводного крана или вентиля. Только вместо воды – электрический ток. Возможны два состояния транзистора – рабочее (транзистор открыт) и состояние покоя (транзистор закрыт).

Что это значит? Когда транзистор закрыт, через него не течет ток. В открытом состоянии, когда на базу подается малый управляющий ток, транзистор открывается, и большой ток начинает течь через эмиттер-коллектор.

Физические процессы в транзисторе

А теперь подробнее о том, почему все происходит именно так, то есть почему транзистор открывается и закрывается. Возьмем биполярный транзистор. Пусть это будет n-p-n транзистор.

Если подключить источник питания между коллектором и эмиттером, электроны коллектора начнут притягиваться к плюсу, однако тока между коллектором и эмиттером не будет. Этому мешает прослойка базы и сам слой эмиттера.

Если же подключить дополнительный источник между базой и эмиттером, электроны из n области эмиттера начнут проникать в область баз. В результате область базы обогатиться свободными электронами, часть из которых рекомбинирует с дырками, часть потечет к плюсу базы, а часть (большая часть) направится к коллектору.

Таким образом, транзистор получается открыт, и в нем течет ток эмиттер коллектор. Если напряжение на базе увеличить, увеличится и ток коллектор эмиттер. Причем, при малом изменении управляющего напряжения наблюдается значительный рост тока через коллектор-эмиттер. Именно на этом эффекте и основана работа транзисторов в усилителях.

Вот вкратце и вся суть работы транзисторов. Нужно рассчитать усилитель мощности на биполярных транзисторах за одну ночь, или выполнить лабораторную работу по исследованию работы транзистора? Это не проблема даже для новичка, если воспользоваться помощью специалистов нашего студенческого сервиса .

Не стесняйтесь обращаться за профессиональной помощью в таких важных вопросах, как учеба! А теперь, когда у вас уже есть представление о транзисторах, предлагаем расслабиться и посмотреть клип группы Korn “Twisted transistor”! Например, вы решили купить отчет по практике , обращайтесь в Заочник.

Приведены несколько схем простых устройств и узлов, которые могут быть изготовлены начинающими радиолюбителями.

Однокаскадный усилитель ЗЧ

Это простейшая конструкция, которая позволяет продемонстрировать усилительные способности транзистора Правда, коэффициент усиления по напряжению невелик – он не превышает 6, поэтому сфера применения такого устройства ограничена.

Тем не менее его можно подключить, скажем, к детекторному радиоприемнику (он должен быть нагружен на резистор 10 кОм) и с помощью головного телефона BF1 прослушивать передачи местной радиостанции.

Усиливаемый сигнал поступает на входные гнезда X1, Х2, а напряжение питания (как и во всех остальных конструкциях этого автора, оно составляет 6 В – четыре гальванических элемента напряжением по 1,5 В, соединенных последовательно) подается на гнезда ХЗ, Х4.

Делитель R1R2 задает напряжение смещения на базе транзистора, а резистор R3 обеспечивает обратную связь по току, что способствует температурной стабилизации работы усили теля.

Рис. 1. Схема однокаскадного усилителя ЗЧ на транзисторе.

Как происходит стабилизация? Предположим, что под воздействием температуры увеличился ток коллекто ра транзистора Соответственно увеличится падение напряжения на резисто ре R3. В итоге уменьшится ток эмитте ра, а значит, и ток коллектора – он достигнет первоначального значения.

Нагрузка усилительного каскада – головной телефон сопротивлением 60.. 100 Ом. Проверить работу усилителя несложно, нужно коснуться входного гнезда Х1 например, пинцетом в телефоне должно прослушиваться слабое жужжание, как результат наводки пере менного тока. Ток коллектора транзис тора составляет около 3 мА.

Двухкаскадный УЗЧ на транзисторах разной структуры

Он выполнен с непосредственной связью между каскадами и глубокой отрицательной обратной связью по постоянному току, что делает его режим независящим от температуры окружающей среды. Основа температурной стабилизации – резистор R4, работаю щий аналогично резистору R3 в предыдущей конструкции

Усилитель более “чувствительный” по сравнению с однокаскадным – коэффициент усиления по напряжению достигает 20. На входные гнезда можно подавать переменное напряжение амплитудой не более 30 мВ, иначе возникнут искажения, прослушиваемые в головном телефоне.

Проверяют усилитель, прикоснувшись пинцетом (или просто пальцем) входного гнезда Х1 – в телефоне раздастся громкий звук. Усилитель потребляет ток около 8 мА.

Рис. 2. Схема двухкаскадного усилителя ЗЧ на транзисторах разной структуры.

Эту конструкцию можно использовать для усиления слабых сигналов например, от микрофона. И конечно он позволит значительно усилить сигнал 34, снимаемый с нагрузки детекторного приемника.

Двухкаскадный УЗЧ на транзисторах одинаковой структуры

Здесь также использована непосредственная связь между каскадами, но стабилизация режима работы несколько отличается от предыдущих конструкций.

Допустим, что ток коллектора транзистора VТ1 уменьшился Падение напряжения на этом транзисторе увеличится что приведет к увеличению напряжения на резисторе R3, включенном в цепи эмиттера транзис тора VТ2.

Благодаря связи транзисторов через резистор R2, увеличится ток базы входного транзистора, что приведет к увеличению его тока коллектора. В итоге первоначальное изменение тока коллектора этого транзистора будет скомпенсировано.

Рис. 3. Схема двухкаскадного усилителя ЗЧ на транзисторах одинаковой структуры.

Чувствительность усилителя весьма высока – коэффициент усиления достигает 100. Усиление в сильной степени зависит от емкости конденсатора С2 – если его отключить, усиление снизится. Входное напряжение должно быть не более 2 мВ.

Усилитель хорошо работает с детекторным приемником, с электретным микрофоном и другими источниками слабого сигнала. Ток, потребляемый усилителем – около 2 мА.

Он выполнен на транзисторах разной структуры и обладает усилением по напряжению около 10. Наибольшее входное напряжение может быть 0,1 В.

Усилитель двухкаскадный первый собран на транзисторе VТ1 второй – на VТ2 и VТЗ разной структуры. Первый ка скад усиливает сигнал 34 по напряжению причем обе полуволны одинаково. Второй – усиливает сигнал по току но каскад на транзисторе VТ2 “работает” при положительных полуволнах, а на транзисторе VТЗ – при отрицательных.

Рис. 4. Двухтактный усилитель мощности ЗЧ на транзисторах.

Режим по постоянному току выбран таким что напряжение в точке соединения эмиттеров транзисторов второго каскада равно примерно половине напряжения источника питания.

Это достигается включением резистора R2 обратной связи Ток коллектора входного транзистора, протекая через диод VD1, приводит к падению на нем напряжения. которое является напряжением смещения на базах выходных транзисторов (относительно их эмиттеров), – оно позволяет уменьшить искажения усиливаемого сигнала.

Нагрузка (несколько параллельно включенных головных телефонов либо динамическая головка) подключена к усилителю через оксидный конденсатор С2.

Если усилитель будет работать на динамическую головку (сопротивлением 8 -.10 Ом), емкость этого конденсатора должна бы ь минимум вдвое больше Обратите внимание на подключение нагрузки первого каскада – резистора R4 Его верхний по схеме вывод соединен не с плюсом питания, как это обычно делается, а с нижним выводом нагрузки.

Это так называемая цепь вольтодобавки, при которой в базовую цепь выходных транзисторов поступает небольшое на пряжение ЗЧ положительной обратной связи, выравнивающее условия работы транзисторов.

Двухуровневый индикатор напряжения

Такое устройство можно использовать. например, для индикации “истощения” батареи питания либо индикации уровня воспроизводимого сигнала в бытовом магнитофоне. Макет индикатора позволит продемонстрировать принцип его работы.

Рис. 5. Схема двухуровневого индикатора напряжения.

В нижнем по схеме положении движка переменного резистора R1 оба транзистора закрыты, светодиоды HL1, HL2 погашены. При перемещении движкарезистора вверх, напряжение на нем увеличивается. Когда оно достигнет напряжения открывания транзистора VТ1 вспыхнет светодиод HL1

Если продолжать перемещать движок. наступит момент, когда вслед за диодом VD1 откроется транзистор VТ2. Вспыхнет и светодиод HL2. Иными словами, малое напряжение на входе индикатора вызывает свечение только светодиода HL1 а большее обоих светодиодов.

Плавно уменьшая входное напряжение переменным резистором, заметим что вначале гаснет светодиод HL2, а затем – HL1. Яркость светодиодов зависит от ограничительных резисторов R3 и R6 при увеличении их сопротивлений яркость падает.

Чтобы подключить индикатор к реальному устройству, нужно отсоединить верхний по схеме вывод переменного резистора от плюсового провода источника питания и подать контролируемое напряжение на крайние выводы этого резистора. Перемещением его движка подбирают порог срабатывания индикатора.

При контроле только напряжения источника питания допустимо установить на месте HL2 светодиод зеленого свечения АЛ307Г.

Он выдает световые сигналы по принципу меньше нормы – норма – больше нормы. Для этого в индикаторе использованы два светодиода красно го свечения и один – зеленого.

Рис. 6. Трехуровневый индикатор напряжения.

При некотором напряжении на движке переменного резистора R1 (напряжение в норме) оба транзистора закрыты и (работает) только зеленый светодиод HL3. Перемещение движка резистора вверх по схеме приводит к увеличению напряжения (больше нормы) на нем открывается транзистор VТ1.

Светодиод HL3 гаснет, а HL1 зажигается. Если движок перемещать вниз и уменьшать таким образом напряжение на нем (‘меньше нормы”) транзистор VТ1 закроется, а VТ2 откроется. Будет наблюдаться такая картина: вначале погаснет светодиод HL1, затем зажжется и вскоре погаснет HL3 и в заключение вспыхнет HL2.

Из-за низкой чувствительности индикатора получается плавный переход от погасания одного светодиода к зажиганию другого еще не погас полностью например, HL1, а уже зажигается HL3.

Триггер Шмитта

Как известно это устройство ис пользуется обычно для преобразования медленно изменяющегося напряжения в сигнал прямоугольной формыКогда движок переменного резистора R1 находится в нижнем по схеме положении транзистор VТ1 закрыт.

Напряжение на его коллекторе высокое, в результате транзистор VТ2 оказывается открытым а значит, светодиод HL1 зажжен На резисторе R3 образуется падение напряжения.

Рис. 7. Простой триггер Шмитта на двух транзисторах.

Медленно перемещая движок переменного резистора вверх по схеме, удастся достичь момента когда произойдет скачкообразное открывание транзистора VТ1 и закрывание VТ2 Это случится при превышении напряжения на базе VТ1 падения напряжения на резисторе R3.

Светодиод погаснет. Если после этого перемещать движок вниз триггер возвратится в первоначальное положение – вспыхнет светодиод Это произойдет при напряжении на движке меньшем чем напряжение выключения светодиода.

Ждущий мультивибратор

Такое устройство обладает одним устойчивым состоянием и переходит в другое только при подаче входного сигнала При этом мультивибратор формирует импульс своей длительности независимо от длительности входного. Убедимся в этом проведя эксперимент с макетом предлагаемого устройства.

Рис. 8. Принципиальная схема ждущего мультивибратора.

В исходном состоянии транзистор VТ2 открыт, светодиод HL1 светится. Достаточно теперь кратковременно замкнуть гнезда Х1 и Х2 чтобы импульс тока через конденсатор С1 открыл транзистор VТ1. Напряжение на его коллекторе снизится и конденсатор С2 окажется подключенным к базе транзистора VТ2 в такой полярности, что тот закроется. Светодиод погаснет.

Конденсатор начнет разряжаться ток разрядки потечет через резистор R5, удерживая транзистор VТ2 в закрытом состоянии Как только конденсатор разрядится, транзистор VТ2 вновь откроется и мультивибратор перейдет снова в режим ожидания.

Длительность формируемого мультивибратором импульса (продолжительность нахождения в неустойчивом состоянии) не зависит от длительности запускающего, а определяется сопротивлением резистора R5 и емкостью конденсатора С2.

Если подключить параллельно С2 конденсатор такой же емкости, светодиод вдвое дольше будет оставаться в погашенном состоянии.

И. Бокомчев. Р-06-2000.

Доброго дня уважаемые радиолюбители!
Приветствую вас на сайте “ “

На этом занятии Школы начинающего радиолюбителя мы продолжим изучение полупроводников . На прошлом занятии мы рассматривали диоды , а на этом занятии рассмотрим более сложный полупроводниковый элемент – транзисторы .

Транзистор является более сложной полупроводниковой структурой, чем диод . Он состоит из трех слоев кремния (бывают еще и германиевые транзисторы) с разной проводимостью. Это могут быть структуры типа n-p-n или p-n-p. Функционирование транзисторов, также как и диодов, основывается на свойствах p-n переходов.

Центральный, или средний слой, называют базой (Б), а два других соответственно – эмиттер (Э) и коллектор (К). Следует отметить, что существенной разницы между двумя типами транзисторов нет, и многие схемы могут быть собраны с тем или другим типом, при соблюдении соответствующей полярности источника питания. На рисунке ниже приведено схемное изображение транзисторов, транзистор p-n-p отличается от транзистора n-p-n направлением стрелки эмиттера:

Выделяют два основных типа транзисторов : биполярные и униполярные , которые различаются по конструктивным особенностям. В рамках каждого типа существует много разновидностей. Главное различие этих двух типов транзисторов заключается в том, что управление процессами, происходящими в ходе работы прибора, в биполярном транзисторе осуществляется входным током, а в униполярном транзисторе – входным напряжением.

Биполярные транзисторы , как уже говорилось выше, представляют собой слоенный пирог из трех слоев. В упрощенном виде транзистор можно представить как два встречно включенных диодов:

(при этом, следует отметить, что переход база – эмиттер представляет собой обычный стабилитрон, напряжение стабилизации которого 7…10 вольт). Исправность транзистора можно проверить также как и исправность диода, обычным омметром, измеряя сопротивление между его выводами. Переходы, аналогичные имеющимся в диоде, существуют в транзисторе между базой и коллектором, а также между базой и эмиттером. На практике такой способ для проверки транзисторов используется очень часто. Если омметр подключить между коллекторным и эмиттерным выводами, прибор покажет разрыв цепи (при исправном транзисторе), что естественно так как диоды включены встречно. А это означает, что при любой полярности приложенного напряжения один из диодов включен в прямом направлении, а второй в обратном, поэтому ток проходить не будет.

Объединение двух пар переходов приводит к проявлению чрезвычайно интересного свойства, именуемого транзисторным эффектом . Если к транзистору между коллектором и эмиттером приложить напряжение, тока практически не будет (о чем и говорилось чуть выше). Если же произвести подключение в соответствии со схемой (как на рисунке ниже), где на базу через ограничивающее сопротивление (чтобы не повредить транзистор) подается напряжение, то через коллектор будет проходить ток более сильный чем ток базы. При повышении тока базы ток коллектора тоже будет увеличиваться.

С помощью измерительного прибора можно определить соотношение токов базы, коллектора и эмиттера. Это можно проверить простым способом. Если сохранить напряжение питания, к примеру на уровне 4,5 В, изменив значение сопротивления в цепи базы с R до R/2, ток базы удвоится, пропорционально увеличится и ток коллектора, к примеру:

Следовательно, при любом напряжение на сопротивление R, ток коллектора будет в 99 раз больше тока базы, то есть транзистор имеет коэффициент усиления по току равный 99. Другими словами, транзистор усиливает ток базы в 99 раз. Этот коэффициент обозначают буквой ? . Коэффициент усиления равен отношению тока коллектора к току базы :

? = Iк/Iб

На базу транзистора можно подать и переменное напряжение. Но, необходимо, чтобы транзистор работал в линейном режиме . Для нормального функционирования в линейном режиме транзистору следует подать на базу постоянное напряжение смещения и подвести переменное напряжение, которое он будет усиливать. Таким образом транзисторы усиливают слабые напряжения, поступающие к примеру с микрофона, до уровня, который способен привести в действие громкоговоритель. Если коэффициент усиления не достаточен, можно использовать несколько транзисторов или их последовательных каскадов. Чтобы при соединении каскадов не нарушать режимов работы каждого из них по постоянному току (при которых обеспечивается линейность), используют разделительные конденсаторы. Биполярные транзисторы обладают электрическими характеристиками, обеспечивающими им определенные преимущества по сравнению с другими усилительными компонентами.

Как мы уже знаем, существуют еще (кроме биполярных) и униполярные транзисторы . Коротко рассмотрим два их них – полевые и однопереходные транзисторы. Как и биполярные они бывают двух типов и имеют по три вывода:

Электродами полевых транзисторов являются: затвор – З, сток – С, соответствующий коллектору и исток – И, отождествляемый с эмиттером. Полевые транзисторы с n- и p- каналом различаются по направлению стрелки затвора. Однопереходные транзисторы, которые иногда называют двухбазовыми диодами, в основном используются в схемах генераторов импульсных периодических сигналов.

Имеется три фундаментальных схемы включения транзисторов в усилительном каскаде:

?

с общим эмиттером (а)

?

с общим коллектором (б)

?

с общей базой (в)

Биполярный транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером , в зависимости от выходного сопротивления источника питания R1 и сопротивления нагрузки Rн усиливает входной сигнал и по напряжению, и по току. Коэффициент усиления биполярного транзистора обозначается как h31э (читается: аш-два-один-э, где э – схема с общим эмиттером), и у каждого транзистора он разный. Величина коэффициента h31э (его полное название – статический коэффициент передачи тока базы h31э ) зависит только от толщины базы транзистора (ее изменить нельзя) и от напряжения между коллектором и эмиттером, поэтому при небольшом напряжении (менее 20 В) его коэффициент передачи тока при любом токе коллектора практически неизменен и незначительно увеличивается при увеличении напряжения на коллекторе.

Коэффициент усиления по току – Кус.i и коэффициент усиления по напряжению – Кус.u биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, зависит от отношения сопротивления нагрузки (на схеме обозначено как Rн) и источника сигнала (на схеме обозначено как R1). Если сопротивление источника сигнала в h31э раза меньше сопротивления нагрузки, то коэффициент усиления по напряжению чуть меньше единицы (0,95…0,99), а коэффициент усиления по току равен h31э. Когда сопротивление источника сигнала более чем в h31э раза меньше сопротивления нагрузки, то коэффициент усиления по току остается неизменным (равным h31э ), а коэффициент усиления по напряжению уменьшается. Если же, наоборот, входное сопротивление уменьшить, то коэффициент усиления по напряжению становится больше единицы, а коэффициент усиления по току, при ограничении протекающего через переход база-эмиттер транзистора тока, не изменяется. Схема с общим эмиттером – единственная схема включения биполярного транзистора, которая требует ограничения входного (управляющего) тока. Можно сделать несколько выводов: – базовый ток транзистора нужно ограничивать, иначе сгорит или транзистор, или управляющая им схема; – с помощью транзистора, включенного по схеме ОЭ, очень легко управлять высоковольтной нагрузкой низковольтным источником сигнала. Через базовый, а следовательно и коллекторный переходы протекает значительный ток при напряжении база-эмиттер всего 0,8…1,5 В. Если амплитуда (напряжение) больше этого значения – нужно поставить между базой транзистора и выходом управляющей схемы токоограничивающий резистор (R1). Рассчитать его сопротивление можно по формулам:

Ir1=Irн/h31э R1=Uупр/Ir1 где:

Irн – ток через нагрузку, А; Uупр – напряжение источника сигнала, В; R1 – сопротивление резистора, Ом.

Еще одна особенность схемы с ОЭ – падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер транзистора можно практически уменьшить до нуля. Но для этого надо значительно увеличивать базовый ток, что не очень выгодно. Поэтому такой режим работы транзисторов используют только в импульсных, цифровых схемах.

Транзистор , работающий в схеме усилителя аналогового сигнала , должен обеспечивать примерно одинаковое усиление сигналов с разной амплитудой относительно некоторого “среднего” напряжения. Для этого его нужно немножко “приоткрыть”, постаравшись не “переборщить”. Как видно из рисунка ниже (левый):

ток коллектора и падение напряжения на транзисторе при плавном увеличении тока базы вначале изменяются почти линейно , и лишь потом, с наступлением насыщения транзистора, прижимаются к осям графика. Нас интересуют только прямые части линий (до насыщения) – очевидно, что они символизируют линейное усиление сигнала, то есть, при изменении управляющего тока в несколько раз во столько же раз изменится и ток коллектора (напряжение в нагрузке).

Форма аналогового сигнала показана на рисунке выше (справа) . Как видно из графика, амплитуда сигнала постоянно пульсирует относительно некоего среднего напряжения Uср, причем она может как увеличиваться, так и уменьшаться. Но биполярный транзистор реагирует только на увеличение входного напряжения (вернее тока). Вывод: нужно сделать так, чтобы транзистор даже при минимальной амплитуде входного сигнала был немножко приоткрыт. При средней амплитуде Uср он откроется чуть сильнее, а при максимальной Umax откроется максимально. Но при этом он не должен входить в режим насыщения (см.рис. выше) – в этом режиме выходной ток перестает линейно зависеть от входного, в следствии чего происходит сильное искажение сигнала.

Обратимся снова к форме аналогового сигнала. Так как и максимальная и минимальная амплитуды входного сигнала относительно средней примерно одинаковы по величине (и противоположны по знаку), то нам нужно подать на базу транзистора такой постоянный ток (ток смещения – Iсм), чтобы при “среднем” напряжении на входе транзистор был открыт ровно наполовину. Тогда при уменьшении входного тока транзистор будет закрываться и ток коллектора будет уменьшатся, а при увеличении входного тока он будет открываться еще сильнее.

Управление мощной нагрузкой постоянного тока. Часть 1

О какой нагрузке идет речь? Да о любой — релюшки, лампочки, соленоиды, двигатели, сразу несколько светодиодов или сверхмощный силовой светодиод-прожектор. Короче, все что потребляет больше 15мА и/или требует напряжения питания больше 5 вольт.

Вот взять, например, реле. Пусть это будет BS-115C. Ток обмотки порядка 80мА, напряжение обмотки 12 вольт. Максимальное напряжение контактов 250В и 10А.

Подключение реле к микроконтроллеру это задача которая возникала практически у каждого. Одна проблема — микроконтроллер не может обеспечить мощность необходимую для нормальной работы катушки. Максимальный ток который может пропустить через себя выход контроллера редко превышает 20мА и это еще считается круто — мощный выход. Обычно не более 10мА. Да напряжение у нас тут не выше 5 вольт, а релюшке требуется целых 12. Бывают, конечно, реле и на пять вольт, но тока жрут больше раза в два. В общем, куда реле не целуй — везде жопа. Что делать?

Первое что приходит на ум — поставить транзистор. Верное решение — транзистор можно подобрать на сотни миллиампер, а то и на амперы. Если не хватает одного транзистора, то их можно включать каскадами, когда слабый открывает более сильный.

Поскольку у нас принято, что 1 это включено, а 0 выключено (это логично, хотя и противоречит моей давней привычке, пришедшей еще с архитектуры AT89C51), то 1 у нас будет подавать питание, а 0 снимать нагрузку. Возьмем биполярный транзистор. Реле требуется 80мА, поэтому ищем транзистор с коллекторным током более 80мА. В импортных даташитах этот параметр называется Ic, в наших Iк. Первое что пришло на ум — КТ315 — шедевральный совковый транзистор который применялся практически везде 🙂 Оранжевенький такой. Стоит не более одного рубля. Также прокатит КТ3107 с любым буквенным индексом или импортный BC546 (а также BC547, BC548, BC549). У транзистора, в первую очередь, надо определить назначение выводов. Где у него коллектор, где база, а где эмиттер. Сделать это лучше всего по даташиту или справочнику. Вот, например, кусок из даташита:

Обратите внимание на коллекторный ток — Ic = 100мА (Нам подоходит!) и маркировку выводов.

Цоколевка нашего КТ315 определяется так

Если смотреть на его лицевую сторону, та что с надписями, и держать ножками вниз, то выводы, слева направо: Эмиттер, Колектор, База.

Берем транзистор и подключаем его по такой схеме:

Коллектор к нагрузке, эмиттер, тот что со стрелочкой, на землю. А базу на выход контроллера.

Транзистор это усилитель тока, то есть если мы пропустим через цепь База-Эмиттер ток, то через цепь Колектор-Эмиттер сможет пройти ток равный входному, помноженному на коэффициент усиления hfe.
hfe для этого транзистора составляет несколько сотен. Что то около 300, точно не помню.

Максимальное напряжение вывода микроконтроллера при подаче в порт единицы = 5 вольт (падением напряжения в 0.7 вольт на База-Эмиттерном переходе тут можно пренебречь). Сопротивление в базовой цепи равно 10000 Ом. Значит ток, по закону Ома, будет равен 5/10000=0.0005А или 0.5мА — совершенно незначительный ток от которого контроллер даже не вспотеет. А на выходе в этот момент времени будет Ic=Ibe*hfe=0.0005*300 = 0.150А. 150мА больше чем чем 100мА, но это всего лишь означает, что транзистор откроется нараспашку и выдаст максимум что может. А значит наша релюха получит питание сполна.

Все счастливы, все довольны? А вот нет, есть тут западло. В реле же в качестве исполнительного элемента используется катушка. А катушка имеет неслабую индуктивность, так что резко оборвать ток в ней невозможно. Если это попытаться сделать, то потенциальная энергия, накопленная в электромагнитом поле, вылезет в другом месте. При нулевом токе обрыва, этим местом будет напряжение — при резком прерывании тока, на катушке будет мощный всплеск напряжения, в сотни вольт. Если ток обрывается механическим контактом, то будет воздушный пробой — искра. А если обрывать транзистором, то его просто напросто угробит.

Надо что то делать, куда то девать энергию катушки. Не проблема, замкнм ее на себя же, поставив диод. При нормальной работе диод включен встречно напряжению и ток через него не идет. А при выключении напряжение на индуктивности будет уже в другую сторону и пройдет через диод.

Правда эти игры с бросками напряжения гадским образом сказываются на стабильности питающей сети устройства, поэтому имеет смысл возле катушек между плюсом и минусом питания вкрутить электролитический конденсатор на сотню другую микрофарад. Он примет на себя большую часть пульсации.

Красота! Но можно сделать еще лучше — снизить потребление. У реле довольно большой ток срывания с места, а вот ток удержания якоря меньше раза в три. Кому как, а меня давит жаба кормить катушку больше чем она того заслуживает. Это ведь и нагрев и энергозатраты и много еще чего. Берем и вставляем в цепь еще и полярный конденсатор на десяток другой микрофарад с резистором. Что теперь получается:

При открытии транзистора конденсатор С2 еще не заряжен, а значит в момент его заряда он представляет собой почти короткое замыкание и ток через катушку идет без ограничений. Недолго, но этого хватает для срыва якоря реле с места. Потом конденсатор зарядится и превратится в обрыв. А реле будет питаться через резистор ограничивающий ток. Резистор и конденсатор следует подбирать таким образом, чтобы реле четко срабатывало.
После закрытия транзистора конденсатор разряжается через резистор. Из этого следует встречное западло — если сразу же попытаться реле включить, когда конденсатор еще не разрядился, то тока на рывок может и не хватить. Так что тут надо думать с какой скоростью у нас будет щелкать реле. Кондер, конечно, разрядится за доли секунды, но иногда и этого много.

Добавим еще один апгрейд.
При размыкании реле энергия магнитного поля стравливается через диод, только вот при этом в катушке продолжает течь ток, а значит она продолжает держать якорь. Увеличивается время между снятием сигнала управления и отпаданием контактной группы. Западло. Надо сделать препятствие протеканию тока, но такое, чтобы не убило транзистор. Воткнем стабилитрон с напряжением открывания ниже предельного напряжения пробоя транзистора.
Из куска даташита видно, что предельное напряжение Коллектор-База (Collector-Base voltage) для BC549 составляет 30 вольт. Вкручиваем стабилитрон на 27 вольт — Profit!

В итоге, мы обеспечиваем бросок напряжения на катушке, но он контроллируемый и ниже критической точки пробоя. Тем самым мы значительно (в разы!) снижаем задержку на выключение.

Вот теперь можно довольно потянуться и начать мучительно чесать репу на предмет того как же весь этот хлам разместить на печатной плате… Приходится искать компромиссы и оставлять только то, что нужно в данной схеме. Но это уже инженерное чутье и приходит с опытом.

Разумеется вместо реле можно воткнуть и лампочку и соленоид и даже моторчик, если по току проходит. Реле взято как пример. Ну и, естественно, для лампочки не потребуется весь диодно-конденсаторный обвес.

Пока хватит. В следующий раз расскажу про Дарлингтоновские сборки и MOSFET ключи.

Заметки для мастера – Управление нагрузкой


          

          

          Сенсорный выключатель

 

        Простая схема сенсорного выключателя показана на рис.1.

 

Рис.1

        Основой устройства служит двойной эмиттерный повторитель на транзисторах VT1, VT2. В эмиттер VT2 включено реле К1. При прикосновении к сенсору переменное напряжение, наводимое в теле человека комнатной проводкой, передается через конденсатор С1 на базу составного транзистора, который открывается, и реле срабатывает. Диод VD1 защищает транзистор от выбросов напряжения при размыкании, а конденсатор С2 сглаживает возникающие пульсации.

        Транзисторы – маломощные кремниевые, например КТ315 с любым буквенным индексом. Диод – кремниевый, например Д226. Реле – маломощное, на рабочее напряжение 9В.

          Простые схемы термореле

 

        Термореле, схема которого показана на рис.2, выполнено на основе триггера Шмитта.

 

Рис.2

        В качестве датчика температуры используется терморезистор. Потенциометр R1 устанавливает начальное смещение на терморезисторе R2 и потенциометре R3. Его регулировкой добиваются срабатывания исполнительного устройства при изменении сопротивления терморезистора.

        В качестве нагрузки может быть использовано не только реле, но и слаботочная лампа накаливания.

       Термореле, схема показана на рисунке 3, имеет выходной каскад с самоблокировкой на тиристоре. Это приводит к тому, что после срабатывания схемы выключить сигнализацию можно только после кратковременного отключения питания устройства.

 

Рис.3

 

Шустов.М.А.

Практическая схемотехника

               Бесконтактный выключатель освещения

 

          Особенность этого выключателя в том, что его сенсор бесконтактный, он не имеет токопроводящих частей, и поэтому, обеспечивает 100% защиту от поражения электротоком, рис.4.

 

Рис.4

        Дело в том, что сенсор акустический, он реагирует на акустические колебания пластмассового корпуса выключателя, которые имеют место при легком постукивании по нему. Таким образом, управляется выключатель легкими постукиваниями по корпусу, и после каждого удара он меняет свое состояние на противоположное (стук — свет включен, еще стук — свет выключен).

        В качестве акустического сенсора используется пьезокерамическая головка типа ГЗК от старого электрофона (проигрывателя виниловых дисков). Такая аппаратура уже давно снята с производства, но пьезокерамические головки с иглами еще встречаются в продаже. В крайнем случае, вместо головки сойдет и пъезозвукоизлучатель, но стукать нужно будет сильнее.

        При ударе, на коллекторе VT1 возникает хаотическое переменное напряжение, которое преобразуется в положительный импульс детектором VD1-C3. Этот импульс переключает D-триггер D1 в противоположное исходному, положение.

        С прямого выхода D1 логический уровень поступает на базу VT1, который управляет открывание тиристора VS1. В момент включения электроснабжения триггер автоматически (при помощи цепи R3-C2) устанавливается в нулевое положение, при котором VS1 закрыт и свет, следовательно, выключен.

        При сборке нужно сделать так, чтобы игла В1 была надежно прижата к корпусу устройства. Тиристор КУ201 можно заменить на КУ202, мост можно заменить диодами типа КД209.

        Налаживание устройства состоит в подборе номинала R1 таким образом, чтобы напряжение на коллекторе VT1 было около 1.5-2V, так, чтобы при отсутствии входного сигнала, триггер воспринимал напряжение на С3 как логический ноль. Более точным подбором R1 можно получить желаемую чувствительность.

        Если выключатель будет на длительное время зависать после переключения, нужно зашунтировать С3 резистором на 1-2 мегаома.

          Сенсорный переключатель на микросхеме

        На рисунке 5 показана схема сенсорного переключателя, построенного на интегральной микросхеме таймера типа 555.

 

Рис.5

        Путем прикосновения к контактной пластине можно включить, например, лампу или другое устройство. Микросхема обладает очень большой чувствительностью: для ее переключения достаточно, чтобы на клемму 2 был подан ток всего в 1мкА. Вывод 2 соединен с положительно питающим напряжением через резистор R2 (2.2 – 10 МОм). При Rт = 8,2 Мом и Ст = 300 нФ реле срабатывает примерно через 3сек. Применяя конденсатор большей емкости, можно увеличить время включения. Однако максимальная выдержка времени не может превышать 60 мин. В качестве реле использовано с номинальным напряжением 6 В. Диод D1, соединен параллельно с обмоткой реле, служит для подавления всплесков индуктивности напряжения. В зависимости от напряжения срабатывания реле значения питающего напряжения могут находиться в диапазоне от 4,5 до 16 В.

        Схема применима и для управления, например, квартирным звонком. Выдержку в этом случае не имеет смысла устанавливать больше чем на 3 сек. Для автоматического выключения аппаратуры она может составлять, например, 60 мин.

 

Ференци О.

«Электроника в нашем

доме»

          Простое сенсорное устройство

 

        Для включения различных механизмов может быть использован сенсорный датчик, схема которого показана на рис.6.

 

Рис.6

        При подключении питания в дежурном режиме датчик потребляет ток не более 0,2 мА. При касании пальцем сенсорного контакта Е1 переменное напряжение, наведенное в теле человека, поступает на базу транзистора VT1, выпрямляется и усиливается этим транзистором. Возникшее на резисторе R2 постоянное напряжение открывает транзисторы VT2 и VT3, в результате чего срабатывает электромагнитное реле К1, контакты которого включают исполнительный механизм.

        Для питания датчика следует использовать стабилизированный источник питания напряжением 12 В. Статический коэффициент передачи тока транзистора должен быть 80…100. Электромагнитное реле – РЭС10 (паспорт РСТ.524.303) или РЭС9 (паспорт РСТ.524.202). Сенсорная пластинка Е1 имеет размер 10х13 мм. Если сенсор размещают от устройства более чем на 15 см, то его подключение осуществляют экранированным проводом, соединяя оплетку с минусом источника питания.

 

Пестриков В.М.

«Радиоэлектронные устройства,

полезные в быту»  

          Простое реле времени

 

        Если нужно отсрочить включение какого – либо устройства (например, автоматически включить свет), можно воспользоваться любым кварцевым будильником с электромагнитным или динамическим капсюлем и простой схемой на тиристоре и реле, рис.7.

 

Рис.7

        Напряжение питания должно соответствовать напряжению срабатывания реле.

        Если схема не будет работать, нужно переменить полярность подключения к капсюлю будильника. Тиристор и реле можно заменить другими, средней мощности.

          Светодиодное фотореле

 

      

Рис.8

        Известно, что практически любой полупроводниковый кристалл обладает свойствами фотоэлемента. В прошлые времена радиолюбители в качестве таковых использовали транзисторы в металлических корпусах, вскрывая верхнюю часть корпуса.

        Сейчас со светодиодами полегче, и все же работа полупроводниковых приборов в качестве фотоэлемента представляет некоторый интерес. Особенно интересны в данном амплуа обычные индикаторные светодиоды. Например, напряжение на АЛ307 в темноте практически равно нулю, но стоит его поднести к настольной лампе, как светодиод начинает вырабатывать постоянное напряжение около 1В.

        Конечно, все светодиоды, в режиме фотоэлементов работают по – разному, и их светочувствительность существенно различается даже для светодиодов одной марки и типа.

        На рисунке 8 показана схема простого фотореле, реагирующего на изменение освещенности, в которой в качестве датчика света используется индикаторный светодиод, работающий как фотоэлемент. Эту схему можно использовать как прототип для построения других фотореле и датчиков, со светодиодом в качестве фотоприемника.

        Светодиод HL1 используется как фотоэлемент. Он вырабатывает напряжение, пропорционально зависящее от силы света, попадающего на его кристалл. Поскольку светочувствительность у разных светодиодов различается, и чтобы можно было регулировать чувствительность фотореле, в схеме есть источник регулируемого постоянного напряжения смещения, – R1-R2.

        Резистором R2 можно регулировать начальное напряжение на базе VT1, суммируемое с напряжением, которое вырабатывает HL1, и таким образом, регулировать порог включения реле.

 

Андреев С.А.

          Ограничитель нагревания

 

        Простое устройство, отключающее нагреватель при нагреве воды до кипения можно сделать на основе датчика вентилятора охлаждения автомобиля «Жигули» ВАЗ – 2106, рис.9.

 

Рис.9

        Датчик замыкает контакты при температуре около 99 0С и размыкает их при температуре 95 0С.

        Схема предельно проста. При нагреве жидкости до кипения контакты датчика замыкаются и шунтируют цепь управляющего электрода тиристора, закрывая его. При этом нагрузка отключается. После остывания жидкости до температуры около 95 0С контакты датчика размыкаются и на управляющий электрод тиристора поступает открывающий ток через резистор R1.

        Мощность нагрузки зависит от мощности тиристора и диодов. В данной схеме можно использовать различные тиристоры и диоды, важно чтобы они соответствовали мощности нагрузки и напряжению сети. В каждом конкретном случае нужно подобрать сопротивление R1 чтобы тиристор надежно открывался.

          Управление реле одной кнопкой

 

        Это устройство позволяет включать и выключать нагрузку одной кнопкой. В исходном состоянии реле К1 (см. рис.10) обесточено. При нажатии на кнопку SB1 через резистор R1 на управляющий электрод тиристора VS1 поступает положительный импульс. Тиристор открывается, и реле срабатывает, контактами К1.2 (они на схеме не показаны) включая нагрузку. Срабатывание реле подготавливает цепь отключения тиристора контактами К1.1.

Рис.10

        Следующее нажатие на кнопку SB1 приводит к тому, что напряжение с заряженного конденсатора С1 прикладывается к тиристору в обратной полярности. В результате тиристор VS1 закрывается, реле К1 выключается, обесточивая нагрузку. Устройство готово к очередному нажатию на кнопку SB1.

        В устройстве можно использовать реле РЭС22, РЭС6 на соответствующее напряжение срабатывания. Вместо тиристора КУ202М подойдет любой из серии КУ202 и КУ201. Необходимый ток срабатывания реле устанавливают подбором резистора R1.

 

Омельяненко А.

г.Мегиом

Тюменской обл.

          Безопасное управление тиристорами

 

        На рис.11 показана схема тиристорного выключателя переменного тока.

Рис.11

        Когда замкнуты контакты тумблера SA1, то в какой – либо полупериод сети ток утечки обратновключенного тиристора становиться током, открывающим прямовключенный. В результате оба полупериода напряжения сети поступают в нагрузку Rн.

        При размыкании контактов тумблера тиристоры перестают открываться, нагрузка отключается.

        Преимущество такого выключателя заключается в том, что ток, протекающий через контакты тумблера, значительно меньше, чем ток через нагрузку, а значит, что можно, практически, не опасаться  использовать маломощный тумблер на более мощную нагрузку.

 

Ладыка А.

г. Санкт-Петербург

samouchitel

О книге

Меня интересовало несколько вопросов:

  1. Насколько хорошо совпадают результаты моделирования (конечно, не всех схем, но базовых) с результатами на макетной плате.
  2. Насколько удобно работать с осциллографами-приставками для компьютера.
  3. Насколько интересно работать с конструкторами-роботами.

 

Ответы на эти вопросы я и попытался найти в этой книге.

Я приношу извинения за возможные ошибки, как принципиального характера, так и опечатки разного рода – когда задумываешь книгу, то она кажется интересной и полезной, когда книга дописана, то иллюзии рассеиваются, и читать книгу не хочется. Я постарался исправить все ошибки, но перечитывая книгу, ты видишь то, что хотел бы видеть, а не то, что есть в действительности – какое-то количество ошибок, думаю, осталось.

Книга в формате pdf, поскольку я считаю, что в бумажном виде, как правило, нужно несколько страниц, которые легко скопировать из pdf формата в MS Word или oowriter и распечатать.

Оглавление

Предисловие

Макетные платы, не требующие пайки

Простые правила безопасности

Простые советы при работе с паяльником

Удобная любительская технология изготовления печатных плат

Другие полезные советы

Глава 1. Вокруг паяльника

Рабочее место

Инструмент

Приборы

Компьютер

Детали

Блок питания

Глава 2. Первые опыты с электрическими цепями

Что нам понадобится?

Резистор

Два резистора

Диод

Транзистор

Что мы получили в итоге?

Глава 3. Первая собранная схема

Перегретый паяльник

Блок питания

Цифровой вольтметр

Глава 4. Активное и реактивное сопротивления

Ещё немного о резисторе

Конденсатор

Катушка индуктивности

Колебательный контур

Величины и единицы измерения ёмкости и индуктивности

Глава 5. Эксперименты с транзистором

Некоторые свойства транзистора

Схемы включения транзистора

Рабочая точка транзистора

Несколько слов о полевом транзисторе

Выбор транзистора

Глава 6. Обратная связь

Стабилизация рабочей точки и ООС

Частотные характеристики

Положительная обратная связь

Глава 7. Пополнение рабочего места приборами

Генератор синусоидального сигнала

Генератор прямоугольных импульсов

Делитель напряжения

Реализация схем генераторов

Глава 8. Как читать электрические схемы

Принципиальные схемы – графический язык

Как переводить с языка электрических схем

Несколько экспериментов со стабилизаторами

Компенсационный стабилизатор напряжения

Схема реального устройства

Ещё одно замечание

Глава 9. Разные усилители на транзисторах

Входные усилители низкой частоты

Выходные усилители

Дифференциальный вход и операционный усилитель

Высокочастотные входные усилители и АРУ

Транзисторы в цифровых микросхемах

Глава 10. Пополнение рабочего места усилителем

Описание одной из схем усилителя

Использование операционного усилителя

Использование микросхемы усилителя мощности

Некоторые соображения и рекомендации по сборке усилителя

Простые правила работы с готовым устройством

В измерениях можно потренироваться за компьютером

Глава 11. Токи и сигналы

Постоянный и переменный ток

Сигнал

Что ещё полезно знать о сигналах?

Глава 12. Радиоприёмник под объективом осциллографа

Виртуальный осциллограф и радиоприёмник

Чем приёмник прямого усиления отличается от супергетеродинного?

Формирование амплитудно-модулированного сигнала

Генератор по схеме емкостной трёхточки

Приёмники и передатчики

Глава 13. Цифровые микросхемы

Формируют ли цифровые микросхемы цифры?

Триггер

Счёт

Сумматор

Логика и цифры

Практическое применение цифровых микросхем

О программах и макетной плате

Глава 14. Датчики

Зачем нужны датчики?

Датчик влажности

Датчик газа

Датчик давления

Датчик магнитного поля

Датчик оптический

Датчик положения (расстояния)

Датчик температуры

Датчик тока

Датчики угла (энкодеры)

Датчики ультразвуковые

Датчики уровня жидкости

Датчики усилия

Датчики ускорения

Детектор потока жидкости и датчик расхода газа

О применении датчиков в любительских условиях

Глава 15. Как разговорить датчик?

Электрические эквиваленты датчиков

Напряжение

Резистор

Конденсатор

И ещё один рецепт

Глава 16. Микроконтроллер – это круто?

Откладываем по оси времени…

Архитектура микроконтроллера

Что нужно для работы с микроконтроллером?

Среды разработки микроконтроллеров

Резюмируя сказанное

Глава 17. Пора включить паяльник

Подготовка

Немного о PCSGU250

Опыты с диодом

Глава 18. Опыты с конденсаторами, резисторами и транзисторами

Интегрирующая электрическая цепь

Дифференцирующая RC цепь

Опыты с транзисторами

Глава 19. Опыты с индуктивностью и микросхемами (ОУ и 555)

Дифференцирующая LR цепь

Колебательный контур

Операционный усилитель

Таймер 555 (КР1006ВИ1)

Глава 20. Зачем изучать программирование?

То, о чём мы будем говорить дальше

О программировании «в общем»

Программатор

Программные инструменты

Глава 21. Пополняем домашнюю лабораторию

Начало программирования на практике

Проверка работы программы

Глава 22. Продолжаем разрабатывать свой генератор

Разбор результатов предыдущего эксперимента

Первое усовершенствование генератора

То, что следовало бы выкинуть из рассказа

Возвращение к первому усовершенствованию

Глава 23. Пополнение лаборатории (продолжение)

Несколько диапазонов генератора

Выбор диапазонов генератора прямоугольных импульсов

Неприятности с большими числами

Глава 24. Пополняем домашнюю лабораторию (окончание)

Начинаем завершающую работу над программой

Когда же появится сигнал?

Первая проверка программы

Зачем нужен режим отладки (debugging)?

Глава 25. Встроенные модули микроконтроллеров

Такие разные микроконтроллеры

Встроенный модуль АЦП

Модуль таймера

Модули последовательного обмена данными

Модуль PWM

Прерывания

Глава 26. Микроконтроллер и некоторые датчики

Датчик температуры

Фотодатчик

Свето- и фотодиоды и микроконтроллер

Микрофон

Датчики емкостной природы

Глава 27. «Живой» радиоприёмник и усилитель

Что нам сегодня понадобится?

Радиоприёмник, усилитель низкой частоты

Радиоприёмник, тестовый сигнал

Радиоприёмник, гетеродин

Радиоприёмник, усилитель промежуточной частоты

Генератор-пробник испытательного радиосигнала

Глава 28. Осциллограф

Что нам понадобится в этой главе?

Модуль Arduino и программа Xoscillo

Как прочитать синусоиду?

Реализация сканирующего напряжения

Реализация передачи данных

Модернизация процесса сканирования

Самый дешёвый осциллограф

Глава 29. Связь между электронными устройствами

Что нам понадобится?

Связи внутри устройств

Связь между разными электронными устройствами

Что такое протокол?

RS485

SPI

I2C

One-wire (1-Wire)

CAN

Bluetooth

Wi-Fi

Что мы получили в результате?

Глава 30. Передатчик и приёмник данных

Передатчик

Приёмник

Второй этап предварительной проверки

Глава 31. Эксперименты с радиоканалом

Первые эксперименты с приёмником

Окончательные эксперименты с приёмником

Что мы получили?

Глава 32. Разрабатываем схему кодового замка

Что нам понадобится?

Электронный кодовый замок (с сайта www.radio-portal.ru)

Что мы получили?

Глава 33. Разрабатываем регулятор скорости вращения

Схема регулятора скорости вращения двигателя постоянного тока

Микроконтроллер в схеме регулятора скорости вращения

Что мы получили?

Глава 34. Такие разные «Мяу»

Звуковая сигнализация

Эксперименты с микроконтроллером

Глава 35. Продолжаем знакомство с микроконтроллером

Азы программирования

Некоторые детали программирования

И вновь азы программирования

Глава 36. Микроконтроллер или без него?

Переключатель ёлочных гирлянд

Переключатель гирлянд на реле

Реле на цифровых микросхемах

Что мы получили?

Глава 37. А не замахнуться ли нам..?

Какие есть конструкторы-роботы?

Конструктор IE-ROBOPICA

Что такое datasheet?

Что такое конфигурация МК?

Глава 38. Начинаем осваивать микроконтроллер PIC16F887

Что нам понадобится?

Первая программа

Нас трудности не пугают. Нам их только подавай!

Что мы получили?

Глава 39. Плата RBX-877V2.0 и программирование

Что нам понадобится?

Продолжаем опыты с микроконтроллером

Вновь немного о языке Си

Продолжаем опыты с PIC16F887

Что мы получили?

Глава 40. В движении жизнь

Что нам понадобится?

Первые опыты с моторами

Программа простого движения

Первые движения

Что мы получили?

Глава 41. Если что-то мешает движению вперёд

Что нам понадобится?

Как работает датчик расстояния?

Робот движется вперёд

Ещё раз о датчике расстояния и АЦП

Революционный держите шаг!

Что мы получили?

Глава 42. Робот ищет свой путь

Что нам понадобится?

Что представляют собой датчики в наборе IE-ROBOPICA?

Эксперимент по использованию датчиков отражения

Глава 43. Ручное управление роботом

Сигналы управления

Что мы получили?

Глава 44. Дочитав руководство к ROBOPICA до конца

Что дальше?

Модификация ручного управления

Управляем роботом с компьютера

Программа в Visual Basic

Что мы получили?

Глава 45. Управление роботом с компьютера (продолжение)

Что нам понадобится?

Аппаратный модуль интерфейса COM-IR

Выбор элементов интерфейса

Окончательная сборка интерфейса

Что мы получили?

Глава 46. Управление с компьютера (продолжение)

Если нет полнофункциональной программы Visual Basic

Что мы получили?

Глава 47. Если не хватает 2 кбайт памяти для программы

Windows Vista

Linux Fedora 16

Подведём некоторые итоги

Глава 48. Движение робота в программе для SDCC

Файл для работы с модулем PWM (ШИМ)

Первое крушение в моём цехе роботостроения

Переделываем файл motor.h

Глава 49. Продолжение работы с компилятором SDCC

Что можно сделать, чтобы работать было удобнее? Windows

Что можно сделать, чтобы работать было удобнее? Linux

Что мы получили?

Глава 50. Жидкокристаллический индикатор и компилятор SDCC

Что такое ЖКИ (он же LCD)?

Вывод символа на дисплей робота

Что ещё нужно выяснить?

Глава 51. АЦП и компилятор SDCC

Описание работы с АЦП в справке к PIC16F887

Конфигурация порта

Выбор канала

Опорное напряжение АЦП

Генератор тактовой частоты преобразователя

Форматирование результата

Запуск преобразования

Пример процедур преобразования

Начинаем создавать свои функции для работы с АЦП

Преобразование результата работы АЦП в текст

Вывод результата работы АЦП на ЖКИ с компилятором SDCC

Глава 52. Модуль USART и компилятор SDCC

Несколько слов о модуле USART PIC16F887

Асинхронный режим EUSART

Включение передачи

Передача данных

Асинхронная передача

Включение приёмника

Получение данных

Асинхронный приём

Регистры USART

Передача данных через USART

Проблемы с прерыванием

RB0/INT INTERRUPT

Простая программа проверки прерывания

Заключение

Глава 53. Самодельный дальномер

Многозадачность и недорогие микроконтроллеры

Дальномер из подручных средств

Объединение самодельного дальномера и микроконтроллера

Послесловие

Вместо последней главы

Где в программе транзистор КТ315?

Приложение А. Программа TINA-TI

P.S. TINA-TI и Linux

Приложение Б. Программа Flowcode пятой версии

Приложение В. HiAsm вместо VB или Gambas

Приложение Г. ROBOPICA и SDCC

Приложение Д. Руководство к программе idealCircuit

Приложение Е. Руководство к программе Qucs


Полностью книгу можно поискать в Интернете. 

   HOME


Лабораторная работа № 2. Исследование биполярных транзисторов

Методические указания

Лабораторный макет позволяет провести исследование характеристик и параметров биполярных транзисторов.

Напряжение на исследуемый транзистор подается от источников питания лабораторного макета. Токи и напряжения измеряются как с помощью встроенных в макет приборов, так и с помощью внешних приборов.

Биполярные транзисторы описываются входной характеристикой, характеристикой прямой передачи по току, характеристикой обратной связи по напряжению и выходной характеристикой. В зависимости от схемы включения транзистора изменяется назначение выводов (электродов) транзистора. Так, для схемы с общей базой входным электродом будет эмиттер, выходным — коллектор, напряжения будут измеряться относительно общего вывода — базы. Для схемы с общим эмиттером входом будет база, выходом — коллектор, а напряжения измеряются относительно эмиттера. При инверсном включении транзистора эмиттер и коллектор меняются местами, то есть для схемы с общей базой входом будет уже коллектор, а выходом — эмиттер, для общего эмиттера вход по-прежнему база, а выход — эмиттер.

Входная характеристика представляет собой зависимость входного напряжения от входного тока Iэ=f(Uэб) или Iэ=f(Uбэ) при постоянном выходном напряжении. Она представляет собой обычную вольтамперную характеристику p-n-перехода и отличается для двух схем включения только уровнем входных токов: для схемы с общей базой — единицы миллиампер, с общим эмиттером — доли миллиампера. Входное напряжение не может превышать напряжения на прямосмещенном p-n-переходе, т. е. порядка 0,3В в германиевом и 0,7В в кремниевом. При снятии входных характеристик необходимо обращать внимание, чтобы выходной ток ни при каких условиях не превышал значения 10 мА.

Выходная характеристика представляет собой зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и общим электродом Iк=f(Uкб) или Iк=f(Uкэ) при постоянном входном токе. Для схемы с общей базой ток коллектора практически не зависит от напряжения на коллекторе, а в схеме с общим эмиттером вначале ток резко увеличивается, а затем характеристика переходит на пологий участок. Этот переход происходит при напряжении насыщения коллектор-эмиттер Uкэ. нас, составляющем десятые доли вольта. Оно примерно равно напряжению, поданному на базу транзистора. Для маломощных транзисторов, исследуемых в данной работе, токи и напряжения должны лежать в пределах 10 мА и 10 В.

Характеристика прямой передачи тока — это зависимость тока коллектора от величины входного тока Iк=f(Iэ) или Iк=f(Iб) при постоянном выходном напряжении. Эта характеристика близка к линейной зависимости.

Характеристика обратной связи — это зависимость входного напряжения от выходного Uбэ=f(Uкэ) или Uэб=f(Uкэ) при постоянном входном токе. Для современных транзисторов обратная связь практически отсутствует, то есть зависимость представляет собой практически горизонтальную линию.

По построенным характеристикам определяются h-параметры транзистора. Это система формальных параметров, при которой транзистор рассматривается как линейный четырехполюсник, управляемый входным током и выходным напряжением. Хотя зависимости между токами и напряжениями в транзисторе нелинейные, их линеаризация осуществляется за счет использования бесконечно малых приращений токов и напряжений, то есть за счет использования дифференциальных параметров. Эти параметры называют еще малосигнальными.

Для схемы с общей базой их можно определить следующим образом:

d Uэб ¦ Входное сопротивление

h21б = —— ¦ при коротком замыкании

d Iэ ¦ Uкб=const на выходе

(0,1-100 кОм).

d Uэб ¦ Коэффициент обратной

h22б = —— ¦ связи по напряжению при

d Uкб ¦ Iэ=const холостом ходе на входе

(10-5-0).

d Iк ¦ Коэффициент передачи

h31б = —— ¦ по току при коротком

d Iэ ¦ Uкб=const замыкании на выходе

(0,95-0,99).

d Iк ¦ Выходная проводимость

h32б = —— ¦ при холостом ходе на

d Uкб ¦ Iэ=const входе

(10-7-10-6 См).

Для схемы с общим эмиттером эти же параметры определяются следующим образом:

d Uбэ ¦ Входное сопротивление

h21э = —— ¦ при коротком замыкании

d Iб ¦ Uкэ=const на выходе

(1-10 кОм).

d Uбэ ¦ Коэффициент обратной

h22э = —— ¦ связи по напряжению при

d Uкэ ¦ Iб=const холостом ходе на входе

(10-4-0).

d Iк ¦ Коэффициент передачи

h31э = —— ¦ по току при коротком

d Iб ¦ Uкэ=const замыкании на выходе

(10-100).

d Iк ¦ Выходная проводимость

h32э = —— ¦ при холостом ходе на

d Uкэ ¦ Iб=const входе

(10-6-10-5 См).

При определении h-параметров необходимо бесконечно малые приращения заменять конечными, но достаточно малыми, чтобы сохранялась линейность связи между величинами. В то же время приращения должны быть достаточными, чтобы можно было произвести отсчет разности значений. Необходимо иметь в виду, что при инверсном включении эмиттер и коллектор меняются местами.

Частотные свойства транзистора чаще всего характеризуются предельной частотой коэффициента передачи тока эмиттера fh31б. Схема с общей базой выбрана потому, что она более высокочастотная. На этой частоте коэффициент передачи уменьшается до уровня 0,707 от своего низкочастотного значения.

Из параметров предельного режима наиболее важными являются максимальная рассеиваемая мощность коллектора Pк. маx, максимально допустимый ток коллектора Iк. маx и пробивное напряжение коллектор-база Uкб. маx.

Из остальных параметров часто используются значения обратного тока коллекторного перехода Iкб0, объемного сопротивления базы r’б и емкости коллекторного перехода Cк.

Электрические параметры биполярных транзисторов

Тип

Мате — риал

Стру-ктура

h31э

Fh31э МГц

Pк. маx мВт

Iк. маx мА

Uкб. маx В

Цоко — левка

МП20

Ge

P-n-p

20-200

2,0

150

30

А

МП21

Ge

P-n-p

20-200

1,0

150

40-70

А

МП25

Ge

P-n-p

15-160

0,5

200

40

А

МП26

Ge

P-n-p

15-160

0,5

200

70

А

МП35

Ge

N-p-n

5-25

0,5

150

20

15

А

МП36

Ge

N-p-n

6-45

1,0

150

20

15

А

МП37

Ge

N-p-n

6-50

1,0

150

20

15-30

А

МП38

Ge

N-p-n

25-100

2,0

150

20

15

А

МП39

Ge

P-n-p

12-60

0,5

150

20

15

А

МП40

Ge

P-n-p

20-40

1,0

150

20

15-40

А

МП41

Ge

P-n-p

30-100

1,0

150

20

15

А

МП42

Ge

P-n-p

20-100

1,0

200

20

15

А

КТ201

Si

N-p-n

20-210

10

150

20

10-20

Б, В

КТ202

Si

P-n-p

15-160

5

150

20

15-30

Б, В

КТ203

Si

P-n-p

10-200

5-10

150

20

15-60

Б, В

КТ201

Si

N-p-n

20-210

10

150

20

20

Б, В

КТ315

Si

N-p-n

20-350

250

150

100

20-40

Г

А

Б

В

Г

Рис.2.1. Типы цоколевок исследуемых транзисторов: э — эмиттер, б — база, к — коллектор

Рабочее задание

1. Собрать схему для исследования характеристик транзистора по схеме с общей базой (рис.2.2). Обратить внимание на структуру исследуемого транзистора и использовать вариант (а) для p-n-p-транзисторов и вариант (б) для n-p-n-транзисторов.

А

Б

Рис.2.2. Схема для исследования характеристик в схеме с общей базой: а — p-n-p-транзистор; б — n-p-n-транзистор

1.1. Установить коллекторное напряжение равным Uкб=10В и, увеличивая напряжение Uэб, определить, при каком значении входного тока Iэ выходной ток достигает значения Iк=8мА (или максимального значения, обеспечиваемого источником входного напряжения).Обозначим это значение Iэ. макс и будем его использовать при дальнейших экспериментах.

1.2. Снять семейство входных характеристик транзистора Iэ=f(Uэб) при постоянном напряжении на коллекторе Uкб1=0В, Uкб2=5В и Uкб3=10В. Входной ток изменять от 0 мА до Iэ. макс.

1.3. Снять семейство выходных характеристик транзистора Iк=f(Uкб) при токах эмиттера Iэ1=Iэ. макс, Iэ2=2/3(Iэ. макс) и Iэ3=1/3(Iэ. макс).

1.4. Снять семейство характеристик прямой передачи транзистора Iк=f(Iэ) при постоянном напряжении на коллекторе Uкб1=0В, Uкб2=5В и Uкб3=10В. Входной ток изменять от 0 мА до Iэ. макс.

1.5. Снять семейство выходных характеристик транзистора в инверсном включении. Для обеспечения инверсного включения транзистора достаточно в схеме поменять местами эмиттер и коллектор и повторить п.1.3.

1.6. По полученным данным построить характеристики транзистора и рассчитать h-параметры в точке Iэ=2/3(Iэ. макс) и Uкб=5В: для прямого включения — h21б, h31б и h32б, для инверсного — h31би и h32би.

2. Собрать схему для исследования характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис.2.3). Для p-n-p-транзистора использовать вариант (а), для n-p-n — вариант (б).

А

Б

Рис.2.3. Схема для для исследования характеристик в схеме с общим эмиттером: а — для p-n-p-транзистора ; б — для n-p-n-транзистора

2.1. Установить коллекторное напряжение равным Uкэ=10В и, увеличивая напряжение Uбэ, определить, при каком значении входного тока Iб выходной ток достигает значения Iк=10мА (или максимального значения, обеспечиваемого источником входного напряжения).Обозначим это значение Iб. макс и будем его использовать при дальнейших экспериментах. Это значение будет лежать в пределах единиц или долей миллиампера.

2.2. Снять семейство входных характеристик транзистора Iб=f(Uбэ) при постоянном напряжении на коллекторе Uкэ1=0В, Uкэ2=5В и Uкэ3=10В. Входной ток изменять от 0 мА до Iб. макс.

2.3. Снять семейство выходных характеристик транзистора Iк=f(Uкэ) при токах базы Iб1=Iб. макс, Iб2=2/3(Iб. макс) и Iб3=1/3(Iб. макс).

2.4. Снять семейство характеристик прямой передачи тока Iк=f(Iб) при постоянном напряжении на коллекторе Uкэ1=0В, Uкэ2=5В и Uкэ3=10В. Входной ток изменять от 0 мА до Iб. макс.

2.5. Снять семейство выходных характеристик транзистора в инверсном включении. Для обеспечения инверсного включения транзистора достаточно в схеме поменять местами эмиттер и коллектор и повторить п.2.3.

2.6. По полученным данным построить характеристики транзистора и рассчитать h-параметры в точке Iэ=2/3(Iб. макс) и Uкэ=5В: для прямого включения — h21э, h31э и h32э, для инверсного — h31эи и h32эи.

Краткие теоретические сведения

Перед выполнением данной лабораторной работы и в процессе подготовки к ее защите необходимо изучить следующие разделы в учебниках или конспекте лекций:

— физические процессы в биполярных транзисторах;

— схемы включения и режимы работы биполярных транзисторов;

— основные характеристики и параметры биполярных транзисторов;

— импульсные и частотные свойства биполярных транзисторов.

Рис.2.4. Структура биполярного транзистора

Биполярный транзистор — это прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами. В транзисторе чередуются три области с различным типом проводимости. В зависимости от порядка чередования различают n-p-n — и p-n-p-транзисторы. В настоящее время получили распространение планарные транзисторы типа n-p-n. Структура такого транзистора приведена на рис.2.4.

Носители из эмиттера инжектируют через эмиттерный переход в базу, то есть переходят из области, где они являлись основными, в область, где они становятся неосновными. Поскольку толщина базы выбирается очень маленькой, носители не успевают рекомбинировать с основными носителями этой области и происходит их диффузия к коллекторному переходу. Под воздействием электрического поля на коллекторном переходе происходит экстракция носителей, то есть удаление их из области, где они были неосновными. Таким образом, в транзисторе происходит сквозной перенос носителей из эмиттера в коллектор. Эти процессы обусловливают основные токи в транзисторе. И лишь небольшой ток ответвляется в базу. Токи в транзисторе можно описать выражениями

Iк = h31бIэ + Iкб0;

Iб = Iэ — Iк = (1-h31б)Iэ — Iкб0,

Где Iб, Iэ, Iк — токи соответствующих электродов транзистора, Iкб0 — обратный ток коллектора, h31б — коэффициент передачи тока эмиттера.

Поскольку у транзистора имеется два перехода, то на них нужно подать два напряжения. В зависимости от того, относительно какого электрода подаются напряжения, различают три схемы включения биполярного транзистора (рис.2.5) : с общей базой (а), с общим эмиттером (б) и общим коллектором (в)

В любой из этих схем включения можно подать различную полярность напряжения на переходы транзистора. В зависимости от этого различают четыре режима работы транзистора (рис.2.6):

А) активный — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный в обратном;

Б) насыщения — эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении;

В) отсечки — эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении.

Г) инверсный — эмиттерный переход смещен в обратном направлении, коллекторный в прямом;

Вид статических характеристик биполярного транзистора зависит от схемы включения. Рассмотрим основные характеристики транзистора — выходную и входную. При этом входную характеристику будем рассматривать как зависимость входного тока от входного напряжения, а не наоборот. Именно так изображаются эти характеристики в справочниках.

А

Б

 

Рис.2.7. Семейства выходных (а) и входных (б) характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой

В схеме с общей базой выходные характеристики представляют собой практически горизонтальные линии (рис.2.7,а). Даже при нулевом напряжении на коллекторном переходе контактной разности потенциалов достаточно для экстракции всех неосновных носителей из базовой области и дальнейшее увеличение напряжения на коллекторном переходе не приводит к росту коллекторного тока. При этом уже с нулевого напряжения транзистор работает в активном режиме. Если изменить полярность напряжения на эмиттере, то ток эмиттера станет равным нулю и характеристика будет соответствовать нижней кривой семейства. Транзистор в этом случае будет находиться в режиме отсечки. Ток коллектора при этом будет достигать значения Iк0. Входные характеристики транзистора (рис.2.7,б) являются обычными характеристиками p-n-перехода, включенного в прямом направлении. При возрастании напряжения на коллекторе они немного смещаются в сторону больших токов. Это явление связано с изменением ширины базы при изменении напряжения на коллекторном переходе. Начиная с коллекторного напряжения 1В (после перехода в активный режим), вид характеристики уже не зависит от коллекторного напряжения. Поэтому в справочниках обычно приводят входные характеристики только для 0В и для 5В.

А

Б

 

Рис.2.8.Семейства выходных (а) и входных (б) характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером

Выходные характеристики в схем с общим эмиттером (рис.2.8,а) существенно отличаются от таковых в схеме с общей базой. Это связано с тем, что напряжение между коллектором и эмиттером — это не напряжение на коллекторном переходе, а сумма напряжений на двух переходах. Поэтому, если коллекторное напряжение равно нулю, то это означает, что к коллекторному переходу приложено напряжение, равное напряжению на эмиттерном переходе с обратным знаком. То есть транзистор оказывается в режиме насыщения. Ток коллектора при этом резко возрастает с ростом коллекторного напряжения до значений, равных значению напряжения на базе. После этого характеристики переходят на участок насыщения, а транзистор — в активный режим. Ток коллектора, как и для схемы с общей базой, начинает мало зависеть от коллекторного напряжения. Так же как и для схемы с общей базой, при подаче на базу обратного напряжения транзистор переходит в режим отсечки, которому соответствует нижняя кривая семейства. Однако максимальное значение тока коллектора при этом достигает величины h31эIк0 и оказывается значительно больше, чем в схеме с общей базой. Входные характеристики для этой схемы (рис.2.8,б) отличаются меньшим значением входных токов и характером влияния на них коллекторного напряжения. С ростом коллекторного напряжения увеличивается ширина коллекторного p-n-перехода, уменьшается ширина базы и снижается вероятность рекомбинации носителей, то есть снижается входной ток. Это также происходит до напряжения, равного входному, в дальнейшем с ростом коллекторного напряжения вид характеристики не изменяется. В справочнике также приводятся только две входные характеристики.

При инверсном включении транзистора характеристики соответствуют таким же характеристикам для обычного включения (активный режим). Вследствие технологических особенностей значения токов при этом оказываются несколько ниже.

Для того чтобы рассчитать h-параметры биполярного транзистора по его характеристикам, необходимо воспользоваться характеристикой для соответствующего включения, по которой можно определить необходимые приращения. Так, для определения параметров h31Э h32Э воспользуемся характеристиками рис.2.8,а. Коэффициент прямой передачи тока определяется при постоянном напряжении на коллекторе, поэтому проводим линию, соответствующую напряжению на коллекторе в рабочей точке Uк1. Определяем токи транзистора в рабочей точке (Iб2 и Iк2) и при изменении тока базы (Iб1 и Iк3). Отношение разности токов коллектора (Iк2-Iк3) и базы (Iб2-Iб1) и определят нам искомый коэффициент. Если мы используем характеристику, снятую при постоянном токе базы Iб2, то мы можем найти разности (Iк1-Iк2) и (Uк2-Uк1)для нахождения выходной проводимости. При малом наклоне характеристики разность токов может оказаться равной нулю, что свидетельствует о бесконечно большом выходном сопротивлении транзистора. По входной характеристике (см. рис.2.8,б) можно найти входное сопротивление при постоянном коллекторном напряжении. Аналогично предыдущему случаю находятся разности (Uбэ2-Uбэ1) и (Iб1-Iб2). Их соотношение дает значение параметра h21Э. Вследствие очень малой обратной связи в современных транзисторах коэффициент h22Э по этим характеристикам найти невозможно.

Записи по теме

Настроенный радиочастотный приемник

Радиочастотный приемник настроенный

Радио, 1993, 9

Это очень простой рефлекторный радиоприемник для диапазона средних волн. Он не требует настройки и в рабочем режиме потребляет очень низкий ток (1..2 мА). Приемник построен по схеме прямого усиления с одной настроенной баковой схемой (рис. 1). Индукционные катушки L1 и L2 намотаны на ферритовый стержень (рамочная антенна) или рамку (рамочная антенна). Переменный конденсатор С1 используется для настройки радиоприемника.

ВЧ-сигнал от резервуара L1C1 подается через катушку L2 на трехкаскадную схему усилителя с прямой связью на транзисторах VT1-VT3.

Усиленный сигнал обнаруживается диодным детектором VD1, ВЧ-часть сигнала подавляется конденсатором C2, а аудиосигнал через катушку L2 (сопротивление ее катушки для аудиосигнала почти равно нулю) подается на базу транзистора VT1. .

Рис. 1. VT1, VT3 (KT315) = BC547, VT2 (KT361) = BC557, VD1 (KD503) = 1N914,
C1 = 5..180 пФ, C2 = 0,1 мкФ, C3 = 33 нФ, батарея = 1,2 В.
R1 = 5,1 К, R2 = 1,1 К, R3 = 300

Это не простая рефлекторная радиосхема, потому что диод VD1 замыкает цепь отрицательной обратной связи, и эта отрицательная обратная связь работает для постоянного и переменного тока. В результате рабочая точка транзисторов стабилизируется. При отсутствии сигнала напряжение на коллекторе транзистора VT3 равно сумме напряжения на диоде VD1 (около 0,5 В) и напряжения включения транзистора VT1 (около 0,6 В).5 В). В этом случае диод VD1 будет работать в самом начале своей кривой (кривая имеет максимальный наклон в начале) из-за напряжения смещения транзистора VT1, поэтому мы получаем очень хороший детектор.

Когда присутствует радиочастотный сигнал, диод VD1 проводит положительные полупериоды, а транзистор VT1 начинает потреблять ток. После этого транзисторы VT2 и VT3 тоже начинают потреблять ток. В результате среднее напряжение на коллекторе VT3 падает, а ток всего транзистора растет.Осциллограмма сигнала на коллекторе транзистора VT3 представлена ​​на рисунке 2. Видно, что положительные полуволны модулированного ВЧ-сигнала привязаны к уровню +1 вольт, как и в то же время огибающая ( звуковой сигнал) имеет отрицательную полуволну с удвоенной амплитудой.

Рис. 2.

Из-за отрицательной обратной связи получаем очень линейный детектор. Если уровень сигнала слишком высок и отрицательные полуволны огибающей становятся равными нулю, то мы получаем искажение сигнала.Это можно исправить, отстроив бак L1C1, или изменив положение петли, или добавив резистор 20..100 Ом к эмиттеру транзистора VT1. Но в этом случае чувствительность приемника снизится.

Для аудиосигнала все три транзистора являются усилителями тока, и токи его коллектора суммируются в проводе поддержки питания, к которому подключены наушники BF1. Эта схема не требует выключателя питания, потому что схема начинает работать, когда штекер наушников BF1 вставляется в гнездо.Конденсатор C3 предотвращает попадание радиочастотного сигнала на наушники и аккумулятор.

Подробнее. Транзисторы VT1 и VT3 – любой NPN HF, VT2 – любой PNP HF, с I c max = 100 мА, f t = 100 МГц. Значение коэффициента усиления по току с общим эмиттером (h FE ) значения не имеет – если h FE больше, то мы получим лучшую чувствительность, но в любом случае рабочая точка транзисторов будет стабилизирована. Диод VD1 – любой обычный ВЧ диод, но обязательно сделанный из кремния.Конденсатор переменной емкости С1 – любой с воздушным или твердым диэлектриком, но максимальной емкостью не менее 180 пФ.

Индукционные катушки L1 и L2 намотаны на ферритовый стержень в один слой. Ферритовый стержень имеет начальную проницаемость 400..1000, сечением 20×3 мм, длиной 50 мм и более. Для диапазона СВ катушка L1 имеет 55..70 витков, катушка L2 – 5..7 витков эмалированного медного провода калибра 27..30 (диаметр 0,25..0,35 мм). Зазор между катушками составляет около 5..7 мм. Вместо ферритового стержня можно использовать рамочную антенну, она намотана на рамке 55х55 мм с 60 витками для L1 и 5 витками для L2.Для приема LW-диапазона необходимо утроить каждый виток катушки (L1 = 165..210, L2 = 15..21 для ферритового стержня и L1 = 180, L2 = 15 для рамочной антенны).

Наушники BF1 имеют сопротивление 50 Ом. С этими наушниками ресивер будет работать при напряжении питания 1,2 В и выше. Потребляемый ток составляет около 1,2 мА от аккумулятора на 1,2 В или около 1,8 мА от аккумулятора на 1,5 В. Можно использовать наушники с сопротивлением 180 Ом, но для этого требуется напряжение питания 2,4..3 Вольт (при использовании двух аккумуляторов или двух батареек). В этом случае ток потребления увеличится до 3..5 мА.

Отличный результат был достигнут с наушниками TDS-1 (8..16 Ом), подключенными параллельно, с напряжением питания 3 вольта, потребляет 3 мА. Можно использовать наушники с высоким сопротивлением 4,4 кОм, но для этого требуется питание 4,5..9 вольт. Потребляемый ток около 1..2 мА.

В. Поляков

НАЗАД
Эквивалент транзистора

Kt315 pdf

Эквивалент транзистора Kt315 pdf

Руководство по перекрестным ссылкам на транзисторы, в котором перечислено около 5000 моделей транзисторов основных европейских и американских производителей того времени, с азиатскими эквивалентами, если таковые имеются.Его также можно использовать для переключения, как и другие pnp. Это единственный человек, контактирующий с пользователями системы. Основное применение 2sa – это усилители звуковой частоты. Коммутационные и линейные приложения для усилителей постоянного тока и УКВ. Введение на итальянском языке, но большая часть книги – это таблицы данных с заголовками на английском языке. Эквивалентные схемы также делятся на эквивалентные схемы для малых и больших сигналов.

Kt315g datasheet, pdf распиновка npn биполярных транзисторов.Kt315g datasheet, kt315g pdf, распиновка kt315g, эквивалент, замена биполярных транзисторов npn и т. Д., Схема, схема, руководство. Техасские инструменты выпустили лист данных для своей версии этой детали, датированный март 1973 года. Советский 315 npn транзистор с биполярным соединением 19451991. Kt315 Электронные компоненты даташит мета-поиск. Тип140, Тип141, Тип142, Тип145, Тип146, Тип147 Дарлингтон. Он широко использовался в советской электронной технике. Основы транзистора: переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, обычно переход от коллектора к базе – смещен в обратном направлении. Обычно транзисторы работают с током, поэтому сначала следует применить kcl.

Таблицы эквивалентов между российской и западной частями. Electro tech – это онлайн-сообщество, насчитывающее более 170 000 участников, которым нравится обсуждать и создавать электронные схемы, проекты и гаджеты. 21 июня 2020 г. tip41c – это недорогой силовой транзистор общего назначения, который можно использовать для усиления и переключения в ваших электронных схемах. Металл To18 может размер упаковки минимум максимум a 5. Эпитаксиальный плоский высокочастотный малошумящий усилитель на npn-транзисторе, усилитель диапазона УКВ, техническое описание ktc3195, схема ktc3195, техническая информация ktc3195.Мы можем предложить вам доставку комплектующих с нашего склада, заводов, а также поискать для вас непростые комплектующие, которые больше не производятся.

12 апр.2020 г. Техническое описание kt, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf. KT361 является дополнением к транзистору KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах. Распиновка транзистора MPSA42, аналог, применение и применение. Список перекрестных ссылок полупроводников и транзисторов. Цифровой тестер транзисторов, цифровой тестер параметров постоянного тока транзисторов.Примечания к выбору транзисторной замены электроники. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor datasheetcafe. Решил заменить транзисторы на западные аналоги.

Перечень перекрестных ссылок силовых транзисторов для компонентов motorola, philips и sgsthomson. Прочее, краткие данные и перекрестные ссылки, разные таблицы данных, сканирование, pdf. Скромный транзистор q1 эмиттер e коллектор c база b основы транзистора эмиттер-базовый переход смещен в прямом направлении, обычно коллектор-базовый переход смещен в обратном направлении, обычно транзисторы являются устройствами, управляемыми током, поэтому.Pdf kt315 indikatoransteuerung02 6g asz1016 транзистор bu 5027 транзистор kt 816 транзистор sd 5024 j 5027r bu 5027 kt 817 транзистор транзистор ku 607 mda 2020 rft e 355 d. При максимальном напряжении, также называемом дробным напряжением bv, в транзисторах начинается лавина электронов. Kt315 мета-поиск, kt315 таблицы данных и информация для электронных компонентов и полупроводников. Вы всегда можете помнить, что стрелка указывает на n материала. Справочник по малосигнальным транзисторам, 86 страниц, 1984, Motorola. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, kt315.KT3102E – техническое описание транзистора, pdf, эквивалент KT3102E. Если транзистор pnp, то стрелка указывает на базу транзистора, в противном случае – на выход. Показаны трубка 315 или rohre 315 id43007, транзистор, провода и преобразователь частоты. Транзистор KT315 и использует новые схемы усиления звука, промежуточные и высокие частоты.

Инструкция для термомагнитного расцепителя kt. Kec, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.Также доступны подробные спецификации asi, спецификации и габаритные чертежи упаковки. Руководство по перекрестным ссылкам на транзисторы, дополнение к предыдущему выбору радио и телевидения, Hi-Fi электроника, 1980 г. Было введено не менее 36 000 новых типов транзисторов. Kt315b – параметры поиска по каталогам. Я ищу аналог транзистора d965. Таблица данных транзистора kt315b, pdf, эквивалент kt315b. Предупреждение, пожалуйста, прочтите внимательно примечание для установщиков. Это предупреждение содержит важную информацию.Dec 09, 2020 kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, даташит kt315a, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, эквивалент kt315, данные kt315.

Наша компания занимается поставкой на экспорт электронных компонентов, произведенных в России и бывшем СССР. Кт3157а интегралкт3157а даташит, полупроводниковые дискретные транзисторы. Commons – это свободно лицензируемый репозиторий медиафайлов. 5 апреля 2021 г. – техническое описание транзисторов в формате pdf, эквивалент. KT361 является дополнительным pnp для транзистора KT315, поэтому он часто используется с ним в паре в двухтактных схемах.Самый старый кт315а, который нам удалось найти, был изготовлен в марте 1978 года. Символ транзистора имеет стрелку на эмиттере. Nella Coppia, это должно быть все, что нужно, чтобы использовать все схемы и преобразовать их в надлежащую температуру. Kt315 datasheet, kt315 pdf, kt315 data sheet, kt315 manual, kt315 pdf, kt315, datenblatt, electronics kt315, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet. Bc548, функционально эквивалентный транзистор, используемый в Европе. KT361 является дополнением к транзистору KT315, поэтому он часто использовался в паре с ним в двухтактных каскадах, транзисторы KT315 и KT361 стали первыми, когда.Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, эквивалент kt315, данные kt315.

Он разработан для низкого и среднего тока, малой мощности, среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях. Российские электронные компоненты трейдер диод, терморезистор. Биполярный транзистор с изолированным затвором vces600v, vceontyp. KT361 является дополнительным pnp для транзистора KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах.

2n3773 – это силовой транзистор базового блока питания, разработанный для высоких частот. Elenca около 5000 типов транзисторов основных европейских и американских производителей, с ограничениями на азиатские эквиваленты. Связанные части редактируют электрически похожие устройства, такие как mmbt3904, доступны во множестве небольших корпусов для сквозного и поверхностного монтажа, включая to92, sot23 и sot. Распиновка транзистора Tip41c, аналог, спецификации, даташит. Когда коллекторы разомкнуты, на выходных транзисторах имеется около 22 вольт.Kt315g – параметры поиска по каталогам. Ktc3114 datasheet, ktc3114 pdf, ktc3114 data sheet, ktc3114 manual, ktc3114 pdf, ktc3114, datenblatt, electronics ktc3114, alldatasheet, free, datasheet, datasheets. Информация описания этой страницы представлена ​​рядом. Форум схем, проектов транзисторной эквивалентной электроники. Kt3102 datasheet, kt3102 pdf, kt3102 data sheet, kt3102 manual, kt3102 pdf, kt3102, datenblatt, electronics kt3102, alldatasheet, free, datasheet, даташиты, данные.Текущая рыночная цена заменяемого продукта взимается за каждую заменяемую единицу.

2n2222 – это обычный npn-транзистор с биполярным переходом bjt, используемый для общих маломощных усилительных или коммутационных приложений. Вы можете увидеть дефекты нарезки кубиков и много лишнего места вокруг транзистора. Mpsa42 – это транзистор npn bjt, предназначенный для высоковольтных приложений, таких как переключение высокого напряжения и усиление высокого напряжения. Первоначально он был изготовлен из металлической банки to18, как показано на рисунке, 2n2222 считается очень распространенным транзистором и используется в качестве транзистора.Знаменитая книга по перекрестным ссылкам на транзисторы – это руководство по замене для мастера Филиппа ЭКГ. KT315 – это советский кремниевый npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. KT315 – это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, выполненных в пластиковом корпусе kt. Характеристики транзистора, эквивалентные параметрам транзистора, включают параметры устройства, тесно связанные с его внутренней работой, и параметры схемы, которые представлены в виде матрицы, когда транзистор рассматривается как четырехконтактная сеть.

Эта потребность была предусмотрена в моей первой книге эквивалентов и заменителей транзисторов, опубликованной в 1971 году и переизданной по крайней мере 10 раз с той даты, было продано более одного миллиона экземпляров. Это транзистор на 200 мА, 40 В, 625 мВт с переходной частотой 300 МГц, с минимальным коэффициентом усиления по току, равным 100, при токе коллектора 10 мА. Мы перечисляем многочисленные коммерческие номера деталей и их точную замену или предлагаем аналогичные устройства. Инструкции Cutlerhammer по установке и эксплуатации термомагнитного расцепителя kt с серией kframe c.Практическое использование транзистора требует, чтобы он использовался для частот намного меньше, чем f t. 2n2907 – это широко доступный pnp-транзистор с биполярным переходом, используемый для общих маломощных усилительных или коммутационных приложений. Это может быть идеальный транзистор, если вы хотите заменить в своей схеме транзисторы tip31, tip31c или другие подобные транзисторы для увеличения нагрузки. Для 2n2907 произведение коэффициента усиления на ширину полосы при определенных условиях тестирования, или f t, составляет 200 мегагерц, что условно является частотой, на которой текущий коэффициент усиления падает до единицы.

790 351 1381 1389 688 792 455 1021 692 471 795 641 1766 1677 1703 560 37 1381 553 149 432 1019 935 1961 37 550 1551 552 1958 1701 136

Схемы сенсорных выключателей света. Сенсорный переключатель на двух транзисторах


Простейший тач-девайс можно собрать по нескольким имеющимся позициям. Там всего три транзистора, три резистора и один светодиод, и все. Можно даже схему по приставке собрать, все будет работать.


Транзисторы Любые структуры NPN: CT315, CT3102 или BC547 или любые другие.Резисторы 0,125-0,25 Вт. Светодиод любого цвета, но лучше красного, так как падение напряжения минимальное. Питание 5 вольт, больше меньше может быть тоже меньше.

Все компоненты были компактно соединены между собой на миниатюрной печатной плате, что можно сделать, просто вырезав лишний медный резак, оставив таким образом остро-коронковые многоугольники. Детали, используемые для поверхностного монтажа, транзисторы в СОТ-26 НПН, резисторы 0805, перемычки – отрезки проволоки, вместо них, если брать большие резисторы 2512 с нулевым (условным) сопротивлением.Сенсорное устройство работает сразу, без настройки.

Объяснение работы схемы

Доливом на базу транзистора Q3 вы его открываете, в результате чего через его КЭ и резистор 1 МОм протекает ток, который открывает следующий полупроводник Q2, он открывает Q3, который уже управляет светодиодом, открывается через его потоки CATE, с минуса выходит на катодный светодиод, а он уже подключен к аноду. Резистор 220 Ом здесь «ток-ревиант», на него падает лишнее напряжение, что предохраняет диод от деградации кристалла и полного выхода из строя LED1

Application

Ну светодиод от прикосновения пальца горит – и что? Но дело в том, что вместо этого светодиода поставили реле и теперь мы можем управлять практически любой нагрузкой, в зависимости от характеристик применяемого реле.Ставим подключенную к сети мощную лампу накаливания, а в разрыв этой цепи контакты реле. Теперь при нажатии, а точнее касании сенсорная лампа светится.

Так же можно организовать включение / отключение нагрузки с помощью оптопары, если реле нет, то еще будет гальванический переход. Эта красивая штука состоит из светодиода и фототранзистора, когда первый светит, он открывает транзистор и через его CE может течь ток. Включите желаемые прототипы оптопары в схему датчика вместо светодиода LED1, а два других в блок питания блока питания и любой нагрузки.Этот пункт можно снять с зарядки от телефона. Взять, к примеру, PC-17L1.

Ниже вы видите дополнение к основной схеме, где показано подключение к оптрону к схеме датчика, также добавлен один транзистор, это необходимо для того, чтобы можно было подключить увесистую нагрузку, и не только светодиоды на 20 мА.

Более того, вместо реле и оптопар можно использовать два NPN-транзистора. Я сделал это, вы видите схему. Работает это так: Q5 всегда должен быть открыт, через резистор 10 ком, а через Open Q4 KE на базу Q5 приходит «минус» и потому он закрыт.При касании сенсора – то минус проходит через открытый Q1 на базу Q4 и замыкает его, теперь Q5 ничего не мешает оставаться открытым – нагрузка работает, а в моем случае ярко светит мощный светодиод на 1 ватт.

Так выглядит в собранном состоянии.

Датчик не имеет фиксации, прикоснулся – светит, отпустил – не светит. Если хотите сделать фиксацию – достаточно добавить в схему триггер, например, на микросхеме КМ555ТМ2 или любой другой (можно даже реализовать на таймере 555).С добавлением триггерной системы при прикосновении к датчику нагрузка будет включена до следующего касания или до тех пор, пока не появится питание цепи.

На практике может применяться для быстрого включения и выключения освещения в помещении. Очень удобно, прикоснулся к небольшому чувствительному участку, и комната загорелась, второе касание выключит свет. Будет потеряно небольшое количество энергии, но этим можно пренебречь.

Комментарии

Схема работает, но в силу своей простоты не идеальна.Если сенсор большого размера, то схема может работать только тогда, когда вы его тоже еще не трогали, если у вас есть рука с волосами, возле светодиодного сенсора тоже может загореться. Выход из этой ситуации простой – миниатюрный сенсорный датчик.

Как уже было сказано – открытие Q3 происходит за счет печати, это можно увидеть на видео, светодиод светит не постоянно, а мигает с высокой частотой, но при съемке это хорошо заметно.

Яркость рабочего диода не велика, если прикоснуться только к базе третьего транзистора, но стоит потрогать и вас, и плюсовое питание, ваше тело выступит в роллере резистора и транзистора Q3 войдет в насыщение.Но при такой ситуации для некоторых теряется смысл сенсора.

Схема очень простая и предназначена только для понимания принципа работы.

Сегодня сенсорные панели Входы можно найти повсюду. Они устанавливаются на дисплеи смартфонов и планшетов, сенсорные панели ноутбуков, графические планшеты, платежные терминалы и банкоматы, а также на медицинское и промышленное оборудование. Производители делают сенсорные моноблоки и телевизоры, но большинство дисплеев ПК по-прежнему нечувствительны к прикосновениям.

Насчет того, как сделать штатный монитор – сенсорный, наверное, многие думали. Ведь в некоторых операциях (чтение, работа с графикой, редактирование текстов) ударить по странице, выбрать нужный элемент или выделить область на экране пером или пальцем намного проще, быстрее и удобнее, чем светодиодный курсор или крутить колесо мыши. На первый взгляд это начинание кажется фантастическим, и реализовать его сложно. Но на самом деле все проще. Как сделать сенсорный монитор Alone – рассказывает этот материал.

Немного теории

Сенсорные поверхности экранов конструктивно представляют собой отдельный элемент, непосредственно связанный с матрицей дисплея. Конечно, в последних поколениях смартфонов и планшетов используются так называемые OGS-панели, в которых чувствительный элемент встроен между пикселями, но все они равны контролю. Есть три типа сенсорных экранов, каждый со своими характеристиками.

резистивный

Резистивная технология построения сенсорных экранов самая простая и дешевая.По принципу действия такие тачскрины относятся к компьютерным клавиатурам. На двух слоях прозрачной подложки расположены дорожки из почти прозрачного проводящего материала. Эти два слоя расположены друг на друге с зазором в несколько микрометров. Верх обязательно гибкий и при прикосновении пальца становится траекторией закрытия. Чем дальше расположена локация – тем больше по пути проходит ток и тем выше сопротивление. По его значению (с точностью до Ом) контроллер датчика рассчитывает, в каком месте произошло местонахождение.

Резистивные сенсорные экраны Недорогие, простые, реагируют на любой предмет, но недостаточно надежны (вывести тачскрин можно с небольшим порезом) и имеют ограниченную прозрачность (проводящие дорожки также видны под определенным углом).

Емкостный

Емкостный сенсорный экран

является самым распространенным в наше время (по состоянию на 2016 год). Он более совершенный и надежный. Количество слоев уменьшилось до одного, толщина стала меньше. На поверхность сенсорного стекла или пленки нанесена сетка из прозрачных проводников, которые отличаются низким сопротивлением.Организм человека не проводит электричество и может накапливать электрический заряд, поэтому при прикосновении пальца к стеклу происходит небольшая утечка тока, место которой определяет контроллер.

Волна

В волновом сенсорном экране для регистрации прикосновений используются акустические (ультразвук, технология поверхностно-активных веществ) или световые (инфракрасные, ультрафиолетовые, технология PSV) волны. По периметру экрана установлена ​​рамка, объединяющая излучатель и регистратор.Когда палец касается поверхности – он поглощает и частично отражает волну, а датчики фиксируют место.

.

Экраны ПАВ и ПСВ надежны, абсолютно прозрачны (нет сетчатых электродов), имеют неисчерпаемый теоретический ресурс (реально зависит от качества комплектующих), при наличии защитной рамки сам датчик не может быть поврежден, и использование бронетранспортера делает матрицу неуязвимой и экранной. Поэтому они часто используются в банкоматах, платежных терминалах, промышленных машинах и медицинском оборудовании.Но точность определения координат пальца посредственная. Кроме того, волновые сенсорные панели требуют регулярного протирания (грязь на стекле вызывает фантомные реакции).

Существуют и другие типы датчиков для дисплеев, но они наиболее распространены. К тому же эти методы сложно реализовать в домашних условиях, потому что они не рассматриваются.

Практическое применение датчиков

Применительно к сенсорным мониторам все три технологии востребованы. Резистивный тип раньше широко использовался, но встречается сейчас.Это он интересуется терминологией, но об этом чуть ниже. Емкостные датчики применяются практически во всех современных дисплеях, изначально сенсорных. Волновые сенсорные экраны, как уже упоминалось выше, используются в банковском, промышленном, медицинском и другом специфическом оборудовании. Благодаря предприимчивым китайцам они интересны и при переделке обычного монитора на ощупь.

Сразу стоит отметить, что пропадание обычного монитора на сенсорную емкостность: такой тачскрин относительно дорог, специфичен и отдельно не встречается.Но гораздо интереснее в этом плане резистивные и волновые технологии. Также стоит упомянуть чисто световой (не на ПСВ, а инфракрасный) вариант.

Метод 1: Легкий

Первый способ самый простой и доступный, но требует определенных навыков и желания работать. Перед тем, как сделать монитор сенсорным, необходимо запастись камерой с инфракрасной веб-камерой (как в ТВ панели), кусочком пленки (не выпускается), аккумулятором и корпусом для самодельного стилуса (например, лазерной указки), так как а также программа Community Core Vision.Что делать со всем этим добром – пункты ниже.


Перед тем, как сделать обычный монитор сенсорным этим методом, необходимо убедиться, что уровень технической подготовки достаточен, и ситуация не препятствует воплощению идеи. Ведь веб-камера требуется точно позиционировать, а для этого нужно место на столе, это еще не все. К тому же небольшое смещение ее или экрана заставляет заново все настраивать.

Способ дешевле: из оборудования покупать только самую дешевую камеру рублей за 500 (самая и т. Д. В наличии), ИК-диод (можно вытащить из сломанной консоли), лазерную указку (можно взять маркер или другой тонкий трубка вместо нее), батарейки («мини-пальцы» или «таблетка»).Самое сложное с фильмом: большинство людей фильм «Мыльницы» последний раз держали в руках более 10 лет назад. Кроме того, из недостатков метода – сложность настройки, нестабильность конструкции, не высший уровень удобства.

Некоторые китайские производители предлагают готовые решения данного типа, позволяющие сделать монитор сенсорным. Такие изделия представляют собой специальную широкоугольную веб-камеру, закрепляемую на дисплее и стилусе. Этот вариант не лишен указанных недостатков, но выглядит привлекательно и не требует навыков работы с самоделкой.

Метод 2: Волна

Существуют готовые сенсорные панели, работающие по принципу поверхностно-световых (ПСВ) и поверхностно-акустических (ПАВ) волн. Они представляют собой стекло с рамкой, к которой подключен специальный контроллер с интерфейсом USB или COM (RS-232). Подобные решения предназначены в первую очередь для создания терминалов и спецтехники, но никто не запрещает использовать их дома.

Процесс переделки дисплея с их помощью предельно прост.

  1. Перед тем, как сделать монитор сенсорным, необходимо протереть его микрофиброй со специальным чистящим средством или универсальным протирочным средством. Важно помнить: если экран имеет антибликовое покрытие – пользоваться им нельзя. для этого средства, содержащие аммиак (нашатырный спирт), так как смывают этот слой!
  2. После этого на экран накладывается сенсорное стекло, которое закреплено в комплекте креплений или имеет качественное двустороннее склеивание (но все же лучше приклеить).
  3. Дальнейшая процедура настройки заключается в установке фирменного драйвера и другого программного обеспечения (поставляется на диске с датчиком или загружается с сайта производителя) и калибровки сенсорного экрана.

Основным недостатком такой переделки монитора на сенсорную является относительная дороговизна. Новый сенсор стоит от нескольких тысяч до десятков тысяч рублей в зависимости от диагонали. К тому же подобрать нужный размер на современных широкоформатных матрицах часто бывает сложно с большой диагональю.Это связано с тем, что экраны узкого формата (4: 5 или 3: 4) имеют наилучшее соотношение диагоналей и полезную площадь, поэтому такие сенсорные экраны выпускаются чаще. Кроме того, стекло с рамкой может испортить эстетичный вид монитора, не вписываясь в его внешний вид.

Метод 3: резистивный

С точки зрения цены, эффективности и простоты использования резистивный сенсорный экран является наиболее предпочтительным. Китайские производители создают специальные сенсорные пленки разного уровня точности, прочности и функциональности, разного размера.

Некоторые из них можно обрезать по размеру дисплея, другие такую ​​модификацию не поддерживают. Поэтому перед покупкой такого тачскрина нужно изучить его описание и характеристики.

  1. Раньше, как штатный монитор делали тач, его тоже нужно протирать от пыли и разводов.
  2. Далее следует снять переднюю рамку с экрана (обычно это делается с помощью посредника, ненужной банковской карты или другого тонкого предмета из прочного пластика, который вставляется в зазор) и снова протереть дисплей из микрофибры.
  3. Если тачскрин не влезает, но поддерживает обрезку – нужно снять мерки с матрицы, чтобы сенсор под него поместился. Делать это нужно в соответствии с инструкцией производителя датчика. Также рекомендуется посмотреть видео оформление по разборке дисплея, чтобы он не сломал его. Напоследок важно помнить: модификация лишит вас гарантий производителя дисплея.
  4. По краям матрицы монитора (вне видимой области) нужно наклеить специальные прокладки, на которые будет садиться тач.Это необходимо для защиты дисплея от давления пальцев во время работы.
  5. Затем вы должны расположить датчик и наклеить его на матрицу.
  6. Чтобы спрятать контроллер сенсорного экрана и закрепить его, необходимо снять заднюю крышку монитора. Для этого нужно отсоединить ножку или подставку, открутить сзади винты (если есть).
  7. Рядом с платой скейлера (контроллером матрицы) желательно найти свободное место, где контроллер будет насаживаться на винт или двусторонний скотч (первый вариант).
  8. Кабель питания контроллера и передачи данных должен быть выведен в имеющееся отверстие рядом с разъемом VGA / HDMI / DVI или другим интерфейсом подключения. Если отверстий нет – это можно сделать дрелью или горячим гвоздем (диаметр подбирать по толщине шнура).
  9. При установке контроллера важно следить за целостностью петли, не допуская ее перекручивания, острых гербинов и т. Д.
  10. Если матрица плотно прилегает к корпусу монитора – в том месте, куда поезд будет возвращаться, лучше сделать на корпусе выдавливание наждачной бумагой, собственноручно или горячим ножом для снятия пластикового слоя.
  11. Тогда заднюю часть корпуса можно ставить обратно.
  12. Чтобы рама монитора вернулась, необходимо ее переделать. В зависимости от особенностей конструкции, вам придется подправить крепеж, отрезать или немного прогнать внутренние стороны и т. Д. После примерки ее можно будет устанавливать.
  13. Заключительный этап – Подключение датчика и его калибровка. Для этого устанавливаем драйвер (скачивается с сайта производителя датчика или идет в комплекте с ведром), а затем настраиваем точность, касаясь точек, которые отображает программа драйвера.

Предлагаю собрать интересную радиолюбительскую конструкцию, которую легко повторить даже начало своими руками. Этот сенсорный выключатель, схема которого приведена ниже, может использоваться в различных ситуациях. В сенсорных устройствах хоть и нет гальваники с электросетью, но они полностью безопасны и не навредят здоровью человека

Принцип работы схемы заключается в том, что как только биологический объект попадает в зону действия сенсора, включается свет.Если он выйдет из зоны контроля ИК-датчика, то освещение выключит прибор через указанный промежуток времени.

В момент включения напряжения схемы счетчик CD4040 находится в состоянии сброса и на его выходе логический ноль, а на выходе инверторного элемента или не-DD1.6 блока, а на транзисторе разомкнут, а реле с нормально замкнутыми контактами шунтирует кнопку переключателя.

Для работы инфракрасного датчика используется он на элементах DD1 или нет.1 и DD1.2. Для применяемого фотоприемника выбрана частота импульсов 36 кГц. Если использовать другой, то для него необходимо будет настроить генератор на частоту, на которую рассчитан фотоприемник.

Для увеличения импульсного тока, идущего от генератора к инфракрасному светодиоду HL2, на элементах DD1.3 и DD1.4 используется усилитель. Особенность фотодатчика заключается в том, что при вводе модулированного ИК-излучения на его выходе будет установлен сигнал логического нуля.

Пройдя через инвертирующий элемент DD1.5, на одиннадцатом выходе счетчика появится логическая единица, которая его запретит. Если отраженный луч не попадает в фотоприемник, то на этом же входе будет логический ноль, и счетчик начнет отсчет импульсов, поступающих на десятый вход от мигающего светодиода HL1.

Элементы схемы подобраны таким образом, чтобы за двадцать минут работы, если в зоне доступа датчика биологического объекта не наблюдается, на выходе будет установлена ​​логическая единица, а на выходе DD1.6 элемент. В этом случае транзистор выключит реле К1 и загорится.

При включении схема переключает триггер в одно из стабильных состояний и включает свет при первом повороте датчика касания на датчик касания, при повторении триггер переключает триггер в противоположное состояние и тем самым выключает освещение.

Длительность срабатывания триггера ни при каких условиях не устанавливается, пока напряжение не приложено к диаграмме.

Триггер подключается по типовой схеме для микросхемы К561ТМ.С первого выпуска микросхемы управляющий сигнал поступает в усилитель тока, выполненный на биполярном транзисторе. Управляющий выход тиристора подключен к эмиттеру этого транзистора, и при достижении на нем напряжения тиристор открывается и включает свет.

Так как полевой транзистор имеет большее сопротивление переходу сток-исток-затвор, плюс в цепи датчика есть обратные резисторы, это не позволит опасному потенциалу на сенсорной пластине.Полевой транзистор откроется под действием напряжения питания, которое ориентируется датчиком руки. R3 резистор шунтирующий вход 3 триггера. Триггер срабатывает при каждом положительном сигнале на третьем входе. Если первый выход триггера – логический ноль, биполярный транзистор закрывается и подсветка отключена. Когда появляется логическая единица, транзистор и тиристор открыты и горит лампочка.

Датчик может быть изготовлен из любого металла диаметром не менее 30 мм. Такая схема гарантирует, что питание включается и выключается мощностью не более 60Вт.Для большей мощности тиристор потребуется установить на радиатор.

Вы можете управлять светом двумя способами. Первым поднесите руку к оптическому датчику на десять сантиметров. Во-вторых, с помощью пульта дистанционного управления ИК-излучением.



Реле можно взять практически любые, главное, чтобы напряжение срабатывания триггера проходило в диапазоне от 6 до 12 вольт. Датчик представляет собой кусок фольгированного текстолита. Оба транзистора можно заменить на КТ315 или СТ3102. Любой импульсный диод на напряжение от 100 вольт можно взять и.

Схема работает как усилитель сигнала – при прикосновении к датчику за счет внутреннего сопротивления человека открывается VT1, а за ним и VT2 реле срабатывает и замыкает цепь, в которую по принципу можно подключить любую нагрузку ( видеть). Контакты реле служат переключателем, один из выводов этих контактов подключен к сети 220, а другой – к нагрузке, например, осветительным лампам.

Коммутатор подходит для сенсорного управления любой нагрузкой, практически независимо от мощности.В случае низковольтного источника питания реле можно удалить, а второй транзистор заменить на более мощный, например КТ819.

Универсальный таймер используется для генерации повторяющихся и одиночных импульсов со стабильными временными характеристиками.

NE555 B. Этот вариант работает в режиме компаратора. При прикосновении к сенсорной пластине сработает переключатель компаратора, выход которого соединен с двумя светодиодами. Поскольку максимальный ток NE555 составляет 200 мА, вместо светодиодов можно подключить реле для управления нагрузкой.Напряжение питания конструкции может быть в пределах от 5 до 15 вольт.

Электромагнитные помехи могут нарушить работу сотового телефона и ухудшить качество приема сигнала. Но они могут стать ключом к преобразованию традиционных ЖК-дисплеев с управлением жестами.

Группа исследователей из компьютерной лаборатории Вашингтонского университета разработала метод преобразования обычного жидкокристаллического дисплея (LCD) в сенсорный с помощью метода электромагнитных помех.Технология Utouch подразумевает использование простого сенсора и программного обеспечения. В основе этой технологии лежит слабое электромагнитное излучение, источником которого является бытовая электроника.

«Устройства вокруг нас являются источником всех этих сигналов. Но люди не придают им значения, потому что они воспринимают их как бдительные», – говорит исследователь и соавтор книги Сидхант Гупта.

Если для планшетных компьютеров и смартфонов сенсорные экраны успели стать нормой, то в телевизионных панелях и компьютерных мониторах они только начинают получать распространение.

Существующие методы преобразования пассивных дисплеев в сенсорные экраны, как правило, основываются на камерах или других датчиках. Однако такое решение не всегда практично. Результаты последнего исследования будут представлены в рамках майской научной конференции в Париже, где будут обсуждаться вопросы взаимодействия человека и компьютера.

Авторы исследования отмечают, что они измерили и проанализировали характер сигналов, поступающих с ЖК-дисплеев при обращении к ручному экрану. Эти сигналы регистрируются как электромагнитные помехи, и их измерение может производиться с помощью 5-долларового датчика, подключенного к домашней розетке.

Датчик собирал информацию об электромагнитных помехах и отправлял ее на компьютер, подключенный к системе со специальным программным обеспечением. Программа использовала метод машинного обучения для предсказания сигнала, который распознается как шум, или как один из пяти установленных жестов. После регистрации касания или жеста экран выполнил команду пользователя.

«Мы пытаемся лучше понять природу изменения сигнала, его интенсивность», – говорит Гупта.

Каждый дисплей создает собственные электромагнитные помехи.Датчик способен видеть разницу между ними. Это позволяет научить обычные жидкокристаллические дисплеи распознавать прикосновения и жесты.

Но технология Utouch имеет свои ограничения. Этим методом нельзя включить обычный дисплей с интерактивным экраном iPhone или -смартфон. Девайс реагирует на незамысловатые жесты, проигрывают видео, запускают и останавливают приложения. Более сложные движения кончиков пальцев по экрану пока непонятны.

Исследователи не планируют коммерциализировать технологию, но, по словам гупты, необходимые компоненты доступны в свободной продаже, а все алгоритмы рассмотрены в отчете.Поэтому при желании систему можно собрать самостоятельно.

Команда продолжит работу над улучшением технологии Utouch.

«Умирающий» рынок ПК можно спасти.

Доставка доставкой и отслеживанием

Китайцы подарили мне странный трек UA ****** YP. Сначала подумал, что товар ошибочно отправили в Украину, как писал продавец.
Продавец заверил, что с отправкой все в порядке. Что у них есть новая логистика для ускорения доставки и что эти треки можно отслеживать по адресам
или
Но эти сайты ничего не сказали по моему треку 🙁

Симистор Перепания – минутный бизнес

У меня было сломать немного иначе нагреть электролитические конденсаторы, как одно касалось корпуса симистора.А у него BT137, увы, не изолирован.

Включаю – все работает как часы. В итоге получаю сенсорный выключатель “1-Way 5a” на китайской градуировке;)))
Фактически Симистор в корпусе TW 220 без радиатора можно переключить на 150-200Вт.

Но кому мешает симистор на радиаторе. Например радиатор 25см2 позволяет переключать уже 800Вт, если полная нагрузка этого симистора 8 стандартных (не китайских ампер)?
А для того, чтобы на радиаторе не было высокого напряжения, крепится сормистор к таким вещам – пластмассовые изоляторы под винт и силиконовые прокладки:


которые продаются за копейки 50-100 шт


– 1 $.42/100
– 0,99 $ / 100

Ну или по старинке на пластинах слюны.

Итак коммутаторы приехали, успешно модернизированы и введены в эксплуатацию.

В активе остались 5 бывших в употреблении Mac97 маломощных Simistor и пара 3-х позиционных переключателей на китайский 3A.

Давно изученные печатные платы Переключатели.


К сожалению, никаких перемычек, задающих режим работы «1-ходовой / 3-ходовой», не обнаружено. Видимо разные микросхемы “черные кляксы” или их прошивки, если это PLC.

Подведем итог

Достоинства:
– Работает без нареканий (если сразу не сгорает в питании)
– Низкая цена
– Маленькие габариты
– Простое подключение
– Возможны апгрейды для увеличения желаемой мощности
Недостатки :
– максимальный коммутируемый ток существенно меньше заявленного
– очень харвестеры

Датчик на кота не реагирует, но экспериментом крайне недоволен

Техническое описание биполярного переходного транзистора Npn pdf

Техническое описание биполярного переходного транзистора Npn pdf

Типичные варианты, например, для серий to92–98.Введение в биполярные переходные транзисторы bjt bipolar. Этот биполярный npn-транзистор 40 В может использоваться в качестве усилителя и переключателя общего назначения. 2n3904 – действительно распространенный транзистор, который мы используем все время, а 2n3906 – его брат по pnp. Биполярные транзисторы npn bjt можно купить в магазине Mouser Electronics. Резюме: биполярный переходной транзистор bjt состоит из трех областей.

Для идентификации выводов транзистора требуется схема выводов конкретной части bjt, она будет доступна в таблице данных.Биполярный переходной транзистор bjt как переключатель биполярный. 2n2222a относится к разновидности npn-транзисторов с биполярным переходом, используемых для общих маломощных усилительных или коммутационных приложений. Основная функциональная область 2n2222 заключена в корпусе to18. Я склонен видеть больше лиц bc fuzz, я знаю, что это был выбор gilmours, чем лиц bc fuzz. На приведенном выше рисунке показано, что электрический ток всегда течет из одной области в другую. Введение в биполярный транзистор bjt youtube. Блок биполярного транзистора npn использует вариант уравнений Эберсмолла для представления биполярного транзистора npn.Основная функциональная область 2n2222 заключена в корпусе to92. Излучатель, встроенный в обгонный диод. Общее описание. Данное устройство предназначено для высоковольтного, высокоскоростного переключения. 9 декабря, 2016 kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, kt315 pinout, kt315 manual, kt315 schematic, kt315 эквивалент, kt315 data.

Биполярные транзисторы работают как регуляторы тока с регулируемым током. Структура биполярного npn-транзистора показана на рисунке 5. Bjt-операции биполярного переходного транзистора.Транзистор, биполярный, npn, 45 В, to92 bc33725ta представляет собой эпитаксиальный кремниевый транзистор npn, предназначенный для использования в усилителях и переключателях общего назначения. Vce пределы транзистора, которые необходимо соблюдать для надежной работы. Он разработан для высокоскоростного переключения при токе коллектора до 800 мА и имеет полезный коэффициент усиления по току в широком диапазоне тока коллектора, низкие токи утечки и низкое напряжение насыщения. Транзистор npn состоит из двух полупроводниковых материалов n-типа, разделенных тонким слоем полупроводника p-типа.

26 марта, 2019 d1555 datasheet, pdf 3dd1555, биполярный транзистор npn, d1555 pdf, распиновка d1555, эквивалент d1555, данные, схема, схема d1555, транзистор 3dd1555. Бесплатные пакеты доступны максимальные рейтинги рейтинг символ значение единицы коллекционер. Здесь мы опишем системные характеристики конфигурации bjt и исследуем ее использование в схемах формирования основного сигнала и усилителя. Кремниевый npn-транзистор в металлическом корпусе to39, рассчитанный на использование в качестве высокочастотного. Комплементарный кремниевый силовой транзистор Дарлингтона в микроэлектронике.Учебник по биполярному npn-транзистору. В транзисторе с биполярным переходом электрический ток проводится как свободными электронами, так и дырками. 9 декабря 2016 г. это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. Биполярный npn-транзистор имеет коэффициент усиления по постоянному току, бета-значение 200.

Прохождение этих электронов от эмиттера к коллектору формирует ток, протекающий в. D1555 datasheet, pdf 3dd1555, биполярный npn-транзистор, d1555 pdf, распиновка d1555, эквивалент d1555, данные, схема, схема d1555, транзистор 3dd1555.D880 datasheet, d880 pdf, d880 data sheet, d880 manual, d880 pdf, d880, datenblatt, electronics d880, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, таблицы данных, техническое описание, данные. Sbn02d sbn02d sbn02d sbn02d highvoltagefastswitchingnpnpowertransistor имеет символ символ символ символ символ 2. Npn биполярные переходные транзисторы linkedin обучение. Полезный динамический диапазон расширяется до 100 мА в качестве переключателя и до 100 МГц в качестве усилителя.

Поиск продукта биполярные транзисторы общего назначения. Условное обозначение схемы и аналог диода npn-транзистора показаны на рисунке ниже.KT361 является дополнительным pnp для транзистора KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах. Транзистор будет работать как усилитель или другая линейная схема, если транзистор смещен в линейную область. HBT может обрабатывать одиночные сигналы очень высоких частот в несколько сотен ГГц, как правило, он используется в сверхбыстрых цепях и в основном используется в радиочастотах. Ознакомьтесь с таблицей данных, чтобы узнать, узнаете ли вы какие-нибудь знакомые характеристики. Bjt – трехполюсное устройство с коллектором c, базой b и эмиттером e.Он использует различные полупроводниковые материалы для эмиттерной и базовой области и создает гетеропереход. Список патентной защиты полупроводниковой продукции можно найти по адресу. В этом посте мы шаг за шагом рассмотрим, что такое биполярный транзистор bjt. Контакты установлены ко всем трем областям: две внешние области, называемые эмиттером и коллектором, и средняя область, называемая базой. Вычислите ток базы биполярного npn-транзистора с напряжением смещения 10 В и входным сопротивлением базы 200 кОм.Коллектор с очень высокой скоростью переключения и высоким напряжением 1. Таблица данных биполярного переходного транзистора npn, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf.

Fzt953 транзистор биполярный npn dzt3150 dzt953 dzt853 dzt951 npn транзистор средней мощности в сот корпусе 100в транзистор npn 5a npn 5a. Униполярные транзисторы, такие как транзисторы с полевым эффектом, используют только один вид носителей заряда. Ss9014 npn эпитаксиальный кремниевый транзистор Mouser российская электроника. Биполярный транзистор позволяет небольшому току, подаваемому на один из его выводов, управлять гораздо большим током, протекающим между двумя другими выводами, что приводит к увеличению.

Массивы биполярных транзисторов npn, pnp bjt в компании farnell. Транзистор с биполярным переходом состоит из двух обратных pn-переходов, которые имеют общую тонкую область шириной wb. Биполярные переходные транзисторы bjt и их применение. Это твердотельное устройство, которое пропускает ток по двум клеммам, т.е. Биполярный переходный транзистор npn bjt показан на 3 клеммах. Мы также узнали, что переходы транзисторов могут быть смещены одним из трех различных способов: общая база, общий эмиттер.

Как работает биполярный транзистор с биполярным соединением, все зависит от легирования. Принцип работы транзистора можно описать со ссылкой на рис.В ранних транзисторах с биполярным переходом для выработки тока использовались различные методы. Стандартные биполярные транзисторы 267 скрывают параметры. Другими словами, транзисторы ограничивают количество проходящего тока в соответствии с меньшим управляющим током. Mje18008, mjf18008 switchmode npn биполярный силовой транзистор для импульсных источников питания, mjemjf18008 имеет состояние для конкретных приложений. Биполярный транзистор Биполярный транзистор или bjt – это тип транзистора, который использует как электроны, так и дырки в качестве носителей заряда.

Работа транзистора очень зависит от степени легирования различных частей. Это полупроводниковое устройство двух основных типов. Это хороший способ проверить транзистор и убедиться, что это так. Транзисторы с одинарным биполярным переходом bjt транзисторы. Его аналог справа – pnp-транзистор. Транзисторы Pnp в качестве общего эмиттера переключают длительность. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, эквивалент kt315, данные kt315.Драйвер катушки зажигания высокого напряжения npn силовой транзистор.

Массивы биполярных транзисторов npn, pnp bjt farnell россия. Транзисторы с биполярным переходом, также известные как bjts, могут использоваться в качестве усилителя, фильтра, выпрямителя, генератора или даже переключателя, пример которого мы рассмотрим в первом разделе. Хотя транзистору чуть больше 70 лет, и он заменил старые электронные лампы почти во всех приложениях. Bc817 series 45 v, 500 ma npn транзисторы общего назначения rev. 23 января 2015 г. npn-транзистор является одним из типов bjt-транзисторов с биполярным переходом.

But70w – многоэпитаксиальный планарный npn-транзистор в пластиковом корпусе to247. Схема работы npn транзистора, характеристики, применение. BJT – это трехконтактное устройство двух разных типов. Массивы биполярных транзисторов npn bjt farnell da. Обратите внимание, что вы должны найти техническое описание своей батареи и ввести значения в поля с желтым фоном.

Mje18008, mjf18008 switchmode npn биполярный силовой транзистор. Слово «транзистор» представляет собой комбинацию двух слов «передаточный вариатор», описывающих их режим работы еще на заре развития электроники.Биполярный переходной транзистор или bjt – это электронное устройство с тремя выводами, которое усиливает ток. Работа на постоянном токе биполярных переходных транзисторов bjts есть два типа bjts, npn и pnp, два перехода называются переходом база-эмиттер и переходом база-коллектор, чтобы транзистор работал должным образом, два перехода должны иметь правильные напряжения смещения постоянного тока. baseemitter be junction. Напряжение и ток для pnp-транзистора отрицательны. Сентябрь 01, 2019 28 видео воспроизвести все биполярный транзистор bjt все об электронике npn vs.На полупроводниковых транзисторах общего назначения pnp биполярный переходной транзистор комплементарный npn-устройство.

Биполярные транзисторы можно приобрести у ведущих производителей в Mouser Electronics. Биполярный транзистор bjt – это трехконтактная схема или устройство, усиливающее ток. BJT имеет два pn перехода, переход база-эмиттер и переход база-коллектор. Биполярные транзисторы малой мощности серии bcbc page 3 v1. Bjt слева называется npn-транзистором, потому что он содержит секцию материала p-типа, зажатую между двумя секциями n-типа.Здесь основными носителями заряда являются электроны. Физика биполярных переходных транзисторов и радиоэлектроника.

Конкурентоспособные цены от ведущих дистрибьюторов биполярных транзисторов npn, pnp. Из-за невысокой стоимости и небольших размеров это наиболее часто используемый транзистор. Это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. Добавление новых транзисторов на форум электроники ltspice.Одним из наиболее важных свойств транзистора с биполярным переходом является то, что небольшой базовый ток может контролировать гораздо больший ток коллектора. Отличается повышенной эффективностью благодаря низким требованиям к базовому приводу.

Существует два основных типа конструкции биполярных транзисторов, pnp и npn, которые в основном описывают физическое устройство полупроводниковых материалов p-типа и n-типа, из которых они состоят. D1555 datasheet, pdf 3dd1555, транзистор биполярный npn. Две полярности сокращенно обозначаются как биполярные, отсюда и название транзистор с биполярным переходом.Биполярный транзистор npn с использованием расширенных уравнений Эберсмолла. Bc635 – это кремниевый планарный эпитаксиальный биполярный транзистор средней мощности npn с высокопроизводительными низкочастотными устройствами, обычно с номинальным током от 1a до 1 Вт рассеиваемой мощности. Вычислите базовый ток ib для переключения резистивной нагрузки 4 мА биполярного npn-транзистора, имеющего коэффициент усиления по току. Высокомощный эпитаксиальный планарный биполярный транзистор npn имеет высокое напряжение пробоя vceo 140 В, типичный фут 20 МГц, полностью охарактеризованный при 125 oc описание источника питания. Устройство представляет собой транзистор npn, изготовленный с использованием нового биполярного транзистора Bitla для технологии линейных усилителей.Стандартные биполярные транзисторы 267 автомобильные биполярные транзисторы 69 параметрический поиск. Управление транзистором с биполярным соединением npn, схема на, 2. Rohs mje05a npn rohs semiconductor nell high power products switchmode series npn кремниевые силовые транзисторы 4a 400v 75w особенности vceosus. Гетеробиполярный переходной транзистор также является типом биполярного переходного транзистора. Биполярные транзисторы npn 12 v 3 a bjt можно купить в магазине Mouser Electronics.

Схема генератора импульсов на tl494. Управление силовым транзистором на микросхеме tl494.Принципиальная схема и графики

Полазав по интернету, не нашел ни одной схемы регулятора напряжения и, главное, тока – на современной элементной базе. Всего

были либо аналоговыми, либо на биполярных транзисторах, в ключевом включении. Я попробовал один из них.

Ток более 2,5 ампер не получил, без значительного нагрева транзистора КТ818. При попытке убрать примерно 4 ампера сгорел транзистор и диод Шоттки.Сразу уточню – они были без радиаторов. Что, впрочем, не меняет ситуации. Размышляя над тем, как использовать в этом включении оператор поля P-channel, я наткнулся на описание его работы. Теплоотдача из-за высокого сопротивления на открытом спине слишком велика – о хорошем КПД можно было бы забыть. Было решено использовать N-канальные полевые драйверы, управляемые драйвером верхнего ключа.

Принципиальная схема устройства

Одно монолитное устройство, используемое для подключения входов аудиовхода для приема соответствующих входных аудиосигналов, подлежащих усилению, и сеть обратной связи для приема сигналов обратной связи представляет собой модуль широтно-импульсной модуляции.Другое монолитное устройство используется для формирования интегральной схемы с входными портами прямоугольной формы ШИМ. Цепи драйвера полевого транзистора подключаются к соответствующим входным портам с помощью импульсного модуля с импульсной модуляцией.

Схема хоть и рабочая и имеет хороший КПД, но не лишена недостатков. Это касалось его использования для зарядки аккумуляторов. Они были связаны с тем, что нижний ключ всегда открыт, когда верхний закрыт. Если энергия дроссельной заслонки иссякнет, ток от аккумулятора пройдет через дроссельную заслонку в обратном направлении и сожжет нижнюю клавишу.Верхний перегорит при открытии закороченного нижнего.

Фильтрующие схемы, подключенные к интегральным схемам, используются для приема и фильтрации усиленных прямоугольных сигналов и получения непрерывных усиленных аудиосигналов. Аудиоусилитель, содержащий. Более того, первая секция имеет по крайней мере один аудиовход, к которому применяется соответствующий аудиовход.

Принципиальная схема и графики

Вторая секция, имеющая первое монолитное устройство, образующее интегральную схему, связанную с указанным соответствующим входом аудиосигнала, для приема указанного соответствующего входного аудиосигнала, подключенного по меньшей мере к одной сети обратной связи для приема соответствующего сигнала обратной связи с соответствующего выхода упомянутого аудиоусилителя и приспособлен для генерации по меньшей мере одного прямоугольного сигнала ШИМ.

Было решено отказаться от синхронного ключа и по старинке использовать мощный диод Шоттки.

В результате долгих поисков, проб и ошибок, сгоревших микросхем и полевиков родилась эта схема


Основные характеристики.

1. Работает стабильно.

Упомянутая соответствующая сеть обратной связи соединена с указанной соответствующей схемой фильтра и указанным соответствующим входным портом для передачи указанного соответствующего сигнала обратной связи, от которого зависит формирование соответствующего соответствующего прямоугольного сигнала с широтно-импульсной модуляцией; а также.

Усилитель звука по п.1, в котором. В указанное запрещенное количество источников энергии входит один положительный источник питания. Первая секция, имеющая, по меньшей мере, один вход сигнала, к которому применяется соответствующий вход, подлежащий усилению.

2. Отличное удержание тока и напряжения.

3. Имеет КПД около 90 процентов. Иногда до 94!

4. Все детали разбросаны на свалке.

5. Конфигурация практически не требуется.

6. Очень простой и повторяемый.

7. Ток регулируется от нуля до любого желаемого пользователем.

8. Регулировка напряжения от 2,5 В.

Из особенностей.

Выходной ток регулируется шунтом.

Третий участок, выполненный во втором монолитном устройстве, образующий вторую интегральную схему, имеющую. По крайней мере, один порт ввода сигнала прямоугольной формы с широтно-импульсной модуляцией. По крайней мере, два порта вывода прямоугольных сигналов.

Каскад согласования импульсного источника питания

Устройство вывода, подключенное для приема упомянутого соответствующего непрерывного усиленного сигнала.Говорится, что запрещенное количество блоков питания содержит как положительный, так и отрицательный источник питания. Описание известного уровня техники.


Его сопротивление около 0,01 Ом. Отвод тепла на нем относительно невелик. Сила тока регулируется в широких пределах. От 0 ампер … до того, насколько позволяют диод и переключатель дроссельной заслонки. Максимальный предел регулирования тока (и короткого замыкания) устанавливается резистором R6. Сразу оговорюсь ниже 4 ампера, ставить не советую.Особенностью управления током является использование «повышения напряжения шунта», реализованного на диоде D4. Это позволяет TLke правильно работать с токами, близкими к нулю, и устанавливать (с помощью резистора R9) ток короткого замыкания … скажем, 1 мА. Диод D5 используется для термостабилизации цепи управления током.

Этот прямоугольный сигнал можно модулировать с помощью сигнала низкого напряжения в пределах звуковой полосы пропускания. Модуляция создает на выходе сигнал с широтно-импульсной модуляцией. Отфильтрованный сигнал высокого напряжения теперь находится в полосе пропускания звука и будет воспроизводить звук при подаче на динамик.Генератор треугольной волны 12 генерирует несущую частоту треугольного сигнала. Сигнал ошибки генерируется усилителем 18 ошибки, когда входной командный сигнал на 20 сравнивается с фактическим сигналом, снимаемым с выхода на интерфейсе.

Изначально шунт представлял собой кусок медного провода длиной около 4,5 см и диаметром 0,4 мм. Так как медь очень нетермостабильна и при нагревании ток уплывал, было решено подобрать мультиметр китайский. Вытащенный оттуда шунт был разрезан пополам и впаян в плату.

Дроссель


Реакция системы управления контуром определяет, насколько быстро выход может реагировать на входную команду и выдает сигнал ошибки. Сигнал ошибки пропорционален разнице между входным аудиосигналом и фактическим выходным сигналом. Топология полного моста требует увеличения количества дискретных компонентов. В дополнение к генератору треугольной волны 12, компаратору 16 и усилителю ошибки 18 для полной мостовой топологии требуется дифференциальный усилитель 30, который требует более сложной обработки выходного сигнала для цепи обратной связи.

SSTC video

Во время работы дифференциальный усилитель 30 принимает дифференциальный сигнал и выдает от него выходной сигнал для объединения с входным аудиосигналом. Выбранная топология определяется требованиями к выходной мощности усилителя. Усилители более высокой мощности (более 200 Вт) обычно используют полную мостовую топологию.


накатился на желто-белое кольцо от БП компьютера. Содержит около 24 витков провода диаметром 2 мм. Провод был намотан от компьютерного трансформатора ИБП.


Дискретные компоненты также обеспечивают управление ограничением тока, подавление во время включения и спада, мягкое ограничение и, кроме того, предоставляют дискретные операционные усилители, используемые для обработки сигналов обратной связи и других основных функций обработки сигналов. Термин «несовершенный» относится к таким спецификациям, как пределы частоты операционного усилителя, шум операционного усилителя и опорное напряжение, пределы полосы пропускания и пилообразные характеристики, нелинейность и так далее. схема, однако, настоящее изобретение работает, потому что контур управления согласно изобретению линеаризует всю систему.

Только с таким проводом можно было избавиться от чрезмерного нагрева дросселя при токах выше 5А.

Изюминкой является драйвер ключа трансформатора. Спасибо LiveMaker с сайта Microsmart за это. Изготавливается практически из любого ферритового кольца. В идеале – штампы 2000 от 2 см в диаметре. Кольцо, снятое с провода фильтра импульсов, тоже работает (хотя наблюдается его практически незаметный нагрев). У меня уже работают две платы на кольцах, которые были сняты с жгута проводов, соединяющего платы копира.Единственный и пока не привел к отрицательным последствиям минус – выбросы на границах трапециевидных сигналов переключения. Они не большие (2-3В) и на работоспособность устройства не влияют. В намотке нет ничего сложного. Очередь к очереди болтается на глаз. Постарайтесь равномерно распределить витки двух катушек по кольцу. Первичная обмотка содержит 9 витков провода. Вторичный – 27 витков провода. Наматываю одну обыкновенную витую пару. Напряжение на затворе ограничивается двумя стабилитронами на 12-15 В.Водитель легко качает полевого работника IRF3205. Фронт импульсов на затворе составляет около 168 нс.

Если в контуре управления присутствуют несовершенные компоненты, несовершенная работа этих элементов будет устранена. Этот компаратор может иметь дополнительную цифровую логику для обеспечения гашения. Заглушка просто ограничивает максимальный рабочий цикл выходных драйверов.

Инвертирующий вход усилителя ошибки представляет собой суммирующее соединение сигнала обратной связи и входного аудиосигнала.При правильном масштабировании системы на выходе при отсутствии входного звукового напряжения создается прямоугольный сигнал с рабочим циклом 50%. В результате на динамик не будет подаваться звуковое напряжение, как показано в следующем уравнении.

В качестве обратного диода использован мощный диод Шоттки от блока питания компьютера. Он вместе с полевым транзистором через изолирующие прокладки сидит на радиаторе процессора компьютера.


Протравил и протестировал.Обратите внимание – резисторы R14 и R12 на самом деле состоят из резистора и конденсатора. Повторно разводить просто лень.

Плюсы и минусы

Это очень полезная функция для обеспечения антипрерывной работы усилителя. Эта функция предотвратит удары динамика при включении и выключении источника питания. Это обеспечит защиту от ударов практически бесплатно. Усилитель ошибки формирует сигнал ошибки из разницы между входным аудиосигналом на уровне 105 и выходным сигналом обратной связи.Это очень важная особенность для автомобильных рынков.

Аудиовход 101 также проходит через суммирующий резистор. Резистор 153 увеличивает максимальный рабочий цикл примерно до 95%. Усилитель ошибки неинвертирующего входного контакта 1 подключен к опорному напряжению 5 В. Выходной драйвер 1 сконфигурирован как эмиттерный повторитель, а выходной драйвер 2 сконфигурирован как общий эмиттер. Резистор 162 расположен между источником питания 12 В и коллектором выходного драйвера 2, а резистор 164 подключен между эмиттером выходного драйвера 1 и землей.

В связи с тем, что на режимы регулирования тока большое влияние оказывает сопротивление шунта – блок требует первоначальной настройки. Он заключается в установке необходимого сопротивления R6. Необходимо подобрать такое сопротивление, чтобы при повороте ручки регулировки тока (R9) схема выдавала максимальный ток, который вам нужен (4-20А). Если максимальный выходной ток нужно часто менять, то вместо постоянного переменного резистора можно поставить переменный резистор. На плате есть место и контакты для этого.

Одиночный источник питания согласно изобретению. Конденсатор 183 сдвигает синусоидальную волну, чтобы генерировать положительный и отрицательный усиленный выходной звуковой сигнал напряжения для динамика. Выходной сигнал передается по линии 193 и инвертируется транзистором. Затем инвертированный сигнал уменьшается на резистивном делителе, образованном резисторами 158. Сигнал обратной связи инвертируется для достижения правильной фазы, чтобы обеспечить меньшее включение, как описано ниже.

Микросхема управления

Tl494

Разница в том, что добавлен резистор 245 для увеличения выхода при 50% быстром заполнении без входа.Выходной фильтр 263 в этом случае является двухкаскадным, а не одноступенчатым. Это улучшает общее гармоническое искажение.

Планируется заменить линейный регулятор LM7815 на импульсный MC34063, поскольку LM7815 сильно нагревается при напряжении питания выше 24 В, что снижает эффективность.

Фото. Очень сильно забитые тестами пайки.



Перейдем от теории к практике

Два выходных порта на контактах 7 и 10 сконфигурированы как открытые коллекторы и работают независимо.Внутренний драйвер выводов канала 1 привязан к выводу 7, в то время как внутренний привод выводов канала 2 привязан к выводу. Во время включения входы управления таймером для обоих каналов, контактов 6 и 11, будут видеть сигнал 5 В, который будет медленно затухать до нуля.

Выходной фильтр, образованный 364 и 366, удаляет несущий сигнал и восстанавливает звуковой сигнал. Выходной фильтр, образованный катушкой 370 индуктивности и конденсатором 372, удаляет несущий сигнал и восстанавливает звуковой сигнал. Это мертвое время задается 380 резисторами.



Собрал блок питания для зарядки и проверки щелочных батарей. От дохлых блоков питания ПК. Максимальный ток (решил, что пока мне этого тока хватит) – 20А. Обычно использую до 10А, 18В. Итого – 180 Вт. Со средним расходом воздуха. Работает уже неделю круглосуточно.

Конденсаторы 408 и 410 – это развязывающие конденсаторы для регулятора. От мощного автомобильного аудиоусилителя до портативного стазера. Есть специальная, очень дешевая и очень удобная микросхема.Это устройство, разработанное в первую очередь для управления питанием, позволяет гибко адаптировать план управления питанием к вашей сети. конкретное приложение. Компаратор мертвой точки имеет фиксированное смещение, которое обеспечивает примерно 5% мертвой точки. время.

Цепи в многорельсовых синхронных источниках питания. Выходные транзисторы с плавающей точкой имеют либо общий эмиттер, либо следящий эмиттер. снятие. Архитектура этого устройства запрещает. возможность одновременного импульсного импульса при двухтактном режиме работы.

Комментарии

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 “

0 # 203 Михаил 19.04.2017 22:46

В общем заметил, что даже при работающей лм-ке на максимальной заливке стабилитроны немного прогревались (до 50 градусов). Перемотал трансформатор затвора (витков 15 на 35), нагрев ушел, стабилизатор работает, пока полет нормальный) Спасибо автору за схему и за советы!
Кольцо, которое я использовал, сняли либо с монитора, либо с принтера (с жгута проводов) не помню, но по размеру оно больше, чем то, что в статье на фото.

На выходе должны появиться прямоугольные импульсы. 10 мА. максимальная ширина. или он может управлять общими цепями в источниках синхронного питания с несколькими рельсами. Часть 2 Теперь поговорим о выводах. если оно составляет ~ 5 В или больше, выход отключен. Этот вывод аналогичен обратной связи.

Выходной сигнал не более 200 мА на транзистор. Последние контакты используются в блоке контроля ошибок. но для транзистора № выходные транзисторы работают в одной фазе. Они используются для обнаружения различных ошибок и защиты от коротких замыканий и дефектов.так что вы можете соединить их параллельно и так.

0 # 202 Super User 17.04.2017 22:45

Ну если логически мыслить, то 7815 может убивать либо превышение входного напряжения, либо превышение выходного тока. Превышать входное напряжение с питанием 27 вольт у нас не получится (если распечатка будет строго по моей схеме). Перегрузка по току на выходе остается. Вы сами указали, что пробой наблюдался при максимальных напряжениях или токах. Это означает, что заполнение импульсов было максимальным.Может сердечник (неподходящего размера или материала) при маленьком Кзапе чувствует себя нормально, а при увеличении заполнения сердечник насыщается и ток резко возрастает. Хотя я такого не видел. Загрузите фото тюленей в хорошем качестве. Вы можете загружать фото на форум.

АТ в следующих экспериментах будет заменена катушкой трансформатора. Итак, нам нужны мощные транзисторы … и мы хотим больше мощности. Мощная мощная мощная система управляется в пассивном режиме. Осциллограф подключен к стоку силового полевого МОП-транзистора.Это связано с очень длинными проводами, использованными в эксперименте. Часть 4 Теперь давайте займемся высоким напряжением! Поскольку схемы выполнены на макетной плате. на выходе должно получиться около 100В.

Сердечник выполнен из феррита. Таким образом, коэффициент преобразования равен 1: на силовых полевых МОП-транзисторах также нет радиатора. В цепи ворот нет нагрузки. Мы можем использовать активную схему зарядки. У пассивного влечения есть ограничения. Вы можете заметить небольшое увеличение производительности. И если нам нужно быстрое переключение, мы должны очень быстро заряжать и разряжать ворота.Небольшая нагрузка: с осциллограммами. А теперь заглянем в Интернет. Поэтому позаботиться о них должен инженер-конструктор.

0 # 201 Михаил 15.04.2017 09:24

Четвертый раз пробивает линейный стабилизатор. Не могу понять причину, уже убил два lm7815, и два lm317t, симптомы всегда одинаковые, сначала все работает нормально, через некоторое время замечаю, что при выставлении максимального напряжения или тока стабилитрон диоды в цепи затвора начинают дымить.Замеряю напряжение питания tl494 и вижу, что оно равно входному 25 вольт, а стабилизатор пробит, меняю его и через некоторое время все новое.
Напряжение на входе 25-27 вольт, лм не перегревается, стоит на радиаторе.

Все электронщики, занимающиеся проектированием устройств питания, рано или поздно сталкиваются с проблемой отсутствия эквивалента нагрузки или функциональных ограничений существующих нагрузок, а также их габаритов.К счастью, появление на российском рынке дешевых и мощных полевых транзисторов несколько исправило ситуацию.

Начали появляться любительские конструкции электронных нагрузок на основе полевых транзисторов, более подходящие для использования в качестве электронного сопротивления, чем их биполярные аналоги: лучшая температурная стабильность, практически нулевое сопротивление канала в открытом состоянии, низкие управляющие токи – основные преимущества, которые определить предпочтительность их использования в качестве регулирующего элемента в мощных устройствах.Более того, появилось большое количество разнообразных предложений от производителей устройств, цены на которые пестрят самыми разнообразными моделями электронных нагрузок. Но, поскольку производители ориентируют свои очень сложные и многофункциональные изделия, называемые «электронной нагрузкой», в основном, на производство, цены на эти товары настолько высоки, что позволить себе купить их может только очень обеспеченный человек. Правда, не совсем понятно, зачем обеспеченному человеку электронная нагрузка.

Я не заметил EN промышленного производства, ориентированного на любительский сектор инженерии.Так что опять же придется все делать самому. Эх … Начнем.

Преимущества электронного манекена

Почему в принципе электронные эквиваленты нагрузки предпочтительнее традиционных средств (мощные резисторы, лампы накаливания, тепловые нагреватели и другие устройства), которые часто используются конструкторами при настройке различных силовых устройств?

Граждане портала, имеющие отношение к проектированию и ремонту блоков питания, несомненно, знают ответ на этот вопрос.Лично я вижу два фактора, достаточных для наличия электронной нагрузки в моей «лаборатории»: небольшие размеры, возможность регулировать мощность нагрузки в большом диапазоне простыми средствами (поскольку мы регулируем громкость звука или выходное напряжение блока питания. – обычным переменным резистором, а не мощными контактами переключателя, двигателя реостата и т. д.).

Кроме того, «действия» электронной нагрузки можно легко автоматизировать, что упрощает и усложняет тестирование силового устройства с электронной нагрузкой.Это, конечно, освобождает глаза и руки инженера, и работа становится более продуктивной. Но прелести всевозможных наворотов и совершенств нет в этой статье, а, возможно, от другого автора. А пока – как раз о другом виде электронной нагрузки – импульсном.

Особенности импульсной версии EN

Аналоговые электронные нагрузки, безусловно, хороши, и многие из тех, кто использовал EN при настройке силовых устройств, оценили его преимущества.У импульсных электроприводов есть своя изюминка, позволяющая оценить работу блока питания с импульсным характером нагрузки, как, например, работу цифровых устройств. Мощные усилители звуковых частот также имеют характерное влияние на блок питания, и поэтому было бы неплохо узнать, как блок питания, рассчитанный и изготовленный для конкретного усилителя, будет вести себя при определенном заданном характере нагрузки.

При диагностике отремонтированных блоков питания также заметен эффект от использования импульсного ЭП.Так, например, с помощью импульсного ЭН была обнаружена неисправность блока питания современного компьютера. Заявленная неисправность этого блока питания мощностью 850 ватт заключалась в следующем: при работе с этим блоком питания компьютер произвольно отключался в любой момент при работе с любым приложением, вне зависимости от потребляемой мощности на момент выключения. При тестировании на нормальной нагрузке (связка мощных резисторов + 3В, + 5В и галогенных ламп + 12В) этот БП проработал на ура несколько часов, при этом мощность нагрузки составила 2/3 от заявленной.Неисправность проявилась при подключении импульса EN к каналу + 3V и блок питания начал отключаться, как только стрелка амперметра дошла до деления 1А. В этом случае токи нагрузки для каждого из остальных каналов положительного напряжения не превышали 3А. Плата супервайзера оказалась неисправной и была заменена на аналогичную (к счастью, был такой же блок питания с сгоревшей силовой частью), после чего блок питания нормально заработал на максимально допустимом токе для использованного экземпляра. импульсного ЭН (10А), который и является предметом описания в данной статье.

Идея

Идея создания импульсной нагрузки появилась довольно давно и впервые была реализована в 2002 году, но не в нынешнем виде, а на другой элементной базе и для несколько иных целей, и на тот момент не было достаточного стимул лично для меня и другие основания для развития этой идеи. Теперь звезды другие, и что-то сошлось для следующего воплощения этого устройства. С другой стороны, изначально устройство имело несколько иное назначение – проверка параметров импульсных трансформаторов и дросселей.Но одно другому не мешает. Кстати, если кому-то захочется изучить индуктивные компоненты на этом или подобном устройстве, просьба: ниже представлены архивы статей маститых (в области силовой электроники) инженеров, посвященных этой теме.

Итак, что же такое “классический” (аналоговый) EN в принципе? Стабилизатор тока, работающий в режиме короткого замыкания. И ничего больше. И будет прав тот, кто в порыве азарта замкнет выходные клеммы зарядного устройства или сварочный аппарат и скажет: это электронная нагрузка! Конечно, не факт, что такое короткое замыкание не будет иметь вредных последствий как для устройств, так и для самого оператора, но оба устройства действительно являются источниками тока и вполне могут претендовать, после некоторой доработки, на роль электронная нагрузка, как и любой другой произвольно примитивный источник тока.Ток в аналоговом ЭН будет зависеть от напряжения на выходе тестируемого блока питания, омического сопротивления канала полевого транзистора, задаваемого напряжением на его затворе.

Ток в импульсном EN будет зависеть от суммы параметров, которая будет включать ширину импульса, минимальное сопротивление открытого канала выходного переключателя и свойства тестируемого блока питания (емкость конденсаторов, индуктивность дроссели питания, выходное напряжение).
При разомкнутом ключе ЭН образует кратковременное короткое замыкание, при котором конденсаторы тестируемого блока питания разряжаются, а дроссели (если они есть в блоке питания) стремятся к насыщению. Классического короткого замыкания, однако, не происходит, поскольку длительность импульса ограничена во времени микросекундными значениями, которые определяют величину разрядного тока конденсаторов источника питания.
В то же время проверка импульсного EN является более экстремальной для тестируемого источника питания.Но с другой стороны, такая проверка выявляет больше «подводных камней», вплоть до качества подводящих проводов к питающему устройству. Так, при подключении импульсного ЭН к 12-вольтовому блоку питания с подключением медных проводов с диаметром жилы 0,8 мм и током нагрузки 5А на осциллограмме на ЭН выявлены пульсации, которые представляют собой последовательность прямоугольных импульсов с размах до 2В и скачки с амплитудой, равной напряжению питания. На выводах самого БП пульсаций от EN практически не было.На самом EN пульсации были минимизированы (менее 50 мВ) за счет увеличения количества жил каждого проводника, питающего сам EN – до 6. В «двухжильном» варианте минимальные пульсации, сравнимые с «шестеркой». -core », была достигнута установкой дополнительного электролитического конденсатора емкостью 4700мФ в точках соединения питающих проводов с нагрузкой. Итак, при построении источника питания импульсный EN может быть очень полезен.

Схема


EN собран на популярных (в связи с большим количеством переработанных компьютерных блоков питания) компонентах.Схема ЭН содержит генератор с регулируемой частотой и шириной импульса, тепловой и токовой защитой. Генератор выполнен на ШИМ TL494 .



Частота регулируется переменным резистором R1; рабочий цикл – R2; тепловая чувствительность – R4; ограничение тока – R14.
Выход генератора питается от эмиттерного повторителя (VT1, VT2) для работы на емкости затворов полевых транзисторов от 4 и более.

Генераторная часть схемы и буферный каскад на транзисторах VT1, VT2 могут питаться от отдельного источника питания с выходным напряжением +12 … 15В и током до 2А или от канала + 12В. проверенный блок питания.

Выход ЭН (сток полевого транзистора) подключается к «+» исследуемого блока питания, общий провод ЭН соединяется с общим проводом блока питания. Каждый из затворов полевых транзисторов (в случае их группового использования) должен быть подключен к выходу буферного каскада с собственным резистором, выравнивая разницу параметров затвора (емкость, пороговое напряжение) и обеспечивая синхронную работу. переключателей.



На фотографиях видно, что на плате ЕН есть пара светодиодов: зеленый – индикатор мощности нагрузки, красный – работу усилителей ошибок микросхемы при критической температуре (постоянное свечение) или при ограничении тока (еле заметное мерцание) ). Работой красного светодиода управляет ключ на транзисторе КТ315, эмиттер которого подключен к общему проводу; база (через резистор 5-15кОм) с выводом 3 микросхемы; коллектор – (через 1.Резистор 1 кОм) с катодом светодиода, анод которого подключен к выводам 8, 11, 12 микросхемы DA1. Этот узел не показан на схеме, потому что он не является абсолютно необходимым.


По поводу резистора R16. Когда через него проходит ток 10А, рассеиваемая на резисторе мощность будет 5Вт (при сопротивлении, указанном на схеме). В реальной конструкции используется резистор на 0,1 Ом (требуемый номинал не найден), а мощность, рассеиваемая на его корпусе при том же токе, составит 10 Вт.Температура резистора намного выше температуры клавиш EN, которые (при использовании радиатора, изображенного на фото) не сильно нагреваются. Поэтому термодатчик лучше устанавливать на резисторе R16 (или в непосредственной близости), а не на радиаторе с ключами EN.

АРХИВ:


ROLAND: BeeBaa AF-100, макет Point to Point и Vero (с модификациями) | Гитарные эффекты – Vero – Point to Point

Это голый костяк Роланда Бибаа.Я построил полную версию и обнаружил, что все, что я действительно использовал, – это звук фузза с черпаком – так что это просто так. Ничего, кроме чистого винтажного японского фуза ….

Я думаю, что это лучше всего работает с транзисторами с низким коэффициентом усиления. Я сделал версию на странных транзисторах КТ315 российской BCE, и это звучит скупо. Если вы хотите сделать еще один шаг в простоте, просто отбросьте регулятор сустейна и работайте все время на полном наклоне – у вас будет японский фуз с одной ручкой. Также есть две отличные вариации BeeBaa и Dirtbox Layouts, на которые стоит обратить внимание.Каменная пчела и розовая коза. Действительно отличные макеты – проверьте это, если вы раньше не находили сайт Андера (что кажется маловероятным).

Версия 2, немного более разумная с точки зрения интервала.



Теперь, если вы хотите модифицировать его еще больше;

  • Уменьшите входной предел до 100n, чтобы уменьшить низкие частоты – или вы можете проявить творческий подход и развернуть или переключиться между двумя крышками для настройки тонкого на толстый
  • Уменьшите ограничение на 4,7n для увеличения высоких частот – 1n в Q3 в качестве примера
  • Полностью обойдите режекторный фильтр, взяв подачу из колпачка 1u на выходе Q3 – что, кстати, будет безумно громким
  • Снимите колпачок 10u, чтобы уменьшить усиление (Q1 или Q2)
  • Настройте выемку по своему вкусу – используйте значения из Univox Super Fuzz в качестве примера Виден отчетливый октавный эффект и много высокочастотного контента.

    примечание: Версия на анализаторе ниже имеет конденсатор 1 нФ вместо конденсатора 4,7 нФ на последнем транзисторе перед выходом, что приводит к более высоким частотам.

    Урезанный назад BeeBaa имеет большой выход, дополнительный регулятор тембра можно легко добавить перед регулятором громкости.


    В качестве справки, это примерно разница между ограничением 4.7n и ограничением 1n в Q3 в LTspice (1n = более высокочастотный контент, который я предпочитаю)


    Это все на LTspice, которое является очень похож на результаты осциллографа – всегда хорошо, когда совпадение (голубой – результат, остальные – прямо из Q1, Q2 и Q3)


    BRIDGED-T NOTCH FILTER

    Это режекторный фильтр, произведенный в модифицированный Roland Bee Baa.Как и выше, это включает ответ Q1, Q2 и Q3, а затем отметку голубого цвета.



    RUSSIAN BEEBAA

    Модифицированный Roland BeeBaa с российскими транзисторами KT315 (примечание: 1nf на последнем транзисторе) Он был построен с использованием немного другой схемы, чем та, что размещена выше, поскольку российские транзисторы BCE, а не CBE.

    Мне, наверное, стоило еще немного очистить края веро … это было то, что я собрал без макета, поэтому я не был уверен, как это будет звучать.В конце концов, я очень доволен – просто хотел бы, чтобы это была более аккуратная сборка, но эй ..

    РУССКИЙ BEEBAA VERO LAYOUT
    ROLAND BEEBAA AF-100 SCHEMATIC

    Урезанная версия удаляет;

    – секция усиления и переключение

    – опция с одним фильтром

    – регулировка тембра


    Экспериментальный приемопередатчик CW QRP_008_p60

    Ресивер. DA1 – смеситель. Кварцевый фильтр представляет собой «3-кварцевый». фильтр.«Я не занимаюсь подбором кварца для его использования. в фильтре (конечно, если есть возможность сделать выбор – сделай это). Все формы для катушек из бывшего СССР. УКВ FM трансивер “Лен.”

    DA2 используется как детектор CW и осциллятор на 10700 кГц.. Частота генерации снижена до требуемой с помощью RFC и L переключены последовательно. Аудиоусилитель, который показан на рисунке 3, реализуется с низким шумовой транзистор и LM386N.

    Преобразователь: L5 (3 витка) / L6 (10 витков) намотаны на феррите звонок, международный аналог ФТ-37-63, по 0.Провод 3 мм (28 AWG). Каждая катушка сидит на своей половине кольца. L3 5 витков провода 0,5 мм или 24 AWG) наматывается на форму диаметром 7 мм.

    VFO : На рисунке 4 показан VFO. Это я позаимствовал у “DC Receiver for 20 метров »Б. Степанова, (RU3AX). Однако я добавил сдвиг частот (VT2). Вот этот необходим для SSB / CW QSO.Катушка VFO намотана на керамическую форму в диаметром 10 мм и содержал 45 витков. Все конденсаторы качественные.

    Электронный switch: На рисунке 5 показан коммутатор. Заимствовано из радиожурнала Украина “Радио- Хобби »№1, 2000г.

    PSB : Я не проектировал PSB для трансивер.Я сделал это путем “некрасивого” монтажа. Каждый блок монтируется на собственной плате. Полностью собран и настроен платы припаяны по углам к корпусу трансивера.

    Регулировка и тюнинг: Ничего особенного в настройке агрегата. Сделайте регулировку от усилителя звука, затем приемник и передатчик.

    Комментарий к плате VFO:

    KT315, KT361- РЧ транзистор малой мощности, 250 МГц,

    300 мВт

    KP303E: Низкое энергопотребление РЧ полевой транзистор

    VD1: стабилитрон, 5 В

    VD2: Варикап, 10-30 пФ

    Комментарий к основной плате:

    174PC1 = NE602, NE612

    KD510 = Высокий Диод переключения скорости RF

    KT606 = ВЧ мощность Транзистор, 300 МГц, 1 Вт

    KT922B- ВЧ-силовой транзистор, 300 МГц, 10 Вт

    KP303E: Низкое энергопотребление РЧ полевой транзистор

    0B = 0 В

    12 В = 12 В

    Комментарий к коммутатору:

    KT209: Коммутационный транзистор, 400 мВт

    D311: германиевый диод

    Приемопередатчик Mosquito 20 м

    .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.